Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора Советский патент 1990 года по МПК G06G7/48 

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а именно к области исследования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), в состав которой входят стабилитроны .

Цель изобретения - расширение класса решаемых задач за счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения с та били з ации.

На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг. 2 - вольт-амперные характеристики (ВАХ) стабилизатора

и устройства, имитирующего воздействия температуры.

Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора содержит первый 1 и второй 2 усилительные - транзисторы, первый 3 и второй 4 переменные резисторы, образуюп ие делитель напряжения, запираюР1Ий диод 5.

Устройство работает следующим ббразом.

Регулировка напряжения стабилизации осуществляется переменным резистором 3, а величина напряжения стабилизации определяется соотношением

СП

со

00

315998774

ноюоталов резисторов 3 и 4. При умень- ности) по параметрам U

шении величины сопротивления резистора А увеличиваемся ток через транзистор 1, который, в свою очередь, является базовым током транзистора 2, при этом выходное сопротивление транзистора 2 также уменьшается, что соответствует меньшему значению напряжения стабилизации устройства, ВАХ модели стабилитрона в прямом направлении определяется диодом 5,

С помощью модели стабилитрона можно устанавливать напряжение стабилизации от 0,7 до 15 В.

Измерение ВАХ устройства осуществляется с помощью прибору Л2-56. Регулировка устройства для моделирования работы полупроводникового при- .бора под определенный тип стабилитрона осуществляется прибором Л2-56 по. виду ВАХ. Напряжение стабилизации выставляется путем изменения сопротив ления резистора 4 и получения необходимого соотношения номиналов сопротивлений резисторов 3 и 4, Динамическое сопротивление г устройства определяется по крутизне (наклону) ВАХ.

.После этого т:„ уточняется по схеме

измерения снимается

Го на переменном токе и

зависимость г

f(l

сг

устройства, которая должна соответствовать типовой зависимости. Одновременно осуществляется контроль II ст ПО мощью цифрового вольтметра В7-27, Устройство для, моделирования работы полупроводникового прибора, -например, для моделирования стабилитрона

5

Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора, содержащее первый и второй усилительные транзисторы и первый переменный резистор, первый и второй выводы которого подключены соответ ственно к эмиттеру и базе первого усилительного транзистора, о т л и ч а ю 1ц е е с я тем, что, с целью расширения класса решаемых задач за счет моделирования работы полуп водникового прибора в условиях пов шенной температуры и технологическ го разброса напряжения стабилизаци в него введены второй переменный р зистор и запирающий диод, причем первый вывод первого переменного резистора подключен к коллектору второго усилительного транзистора и к катоду запирающего диода и является катодным выводом устройства второй вывод первого переменного р

2С133А позволяет изменять U Y (в Р ° зистора соединен с первым выводом

делах температурных уходов или технологических разбросов) при неизменном Га и изменять г при неизвестном Ug . Данное свойства позволяет использовать устройство для определения коэффициентов чувствительности стабилитрона на выходные параметра РЭА (при -оценке их параметрической надежности) по параметрам U

ет

и

г независимо друг от друга.

Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора может быть использовано при исследовании параметрической надежности РЭА для

0

5

0

5

0

5

имитации и и

гд серийных стабилитронов с напряжением стабилизации от 0,6 до 15 В, а также для исследования работы стабистора. При использовании устройства для имитации работы стабистора диод .5 необходимо исключить из схемы (U устанавливается от 0,7 до 2 в).

Формула изобретения

Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора, содержащее первый и второй усилительные транзисторы и первый переменный резистор, первый и второй выводы которого подключены соответственно к эмиттеру и базе первого усилительного транзистора, о т л и- ч а ю 1ц е е с я тем, что, с целью расширения класса решаемых задач за счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения стабилизации, в него введены второй переменный резистор и запирающий диод, причем первый вывод первого переменного резистора подключен к коллектору второго усилительного транзистора и к катоду запирающего диода и является катодным выводом устройства, второй вывод первого переменного зистора соединен с первым выводом

45

второго переменного резистора, второй вывод которого подключен к змит- теру второго усилительного транзистора и к аноду запирающего диода и является анодным выводом устройства, коллектор первого усилительного транзистора подключен к базе второго усилительного транзистора.

5

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а именно к исследованиям радиоэлектронной аппаратуры, в состав которой входят стабилитроны. Цель изобретения - расширение класса решаемых задач за счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения стабилизации. Достигают возможность моделирования работы стабилитрона при воздействии температуры и технологическом разбросе параметров за счет того, что два усилительных транзистора имеют различную проводимость. В устройство вводят второй переменный резистор, образующий с первым переменным резистором делитель, включенный в базовую цепь первого усилительного транзистора, эмиттер которого, второй вывод первого переменного резистора, коллектор второго усилительного транзистора и катод запирающего диода объединены, второй вывод второго переменного резистора, эмиттер второго усилительного транзистора и анод запирающего диода также объединены, коллектор первого усилительного транзистора подключен к базе второго усилительного транзистора. 2 ил.

сг,

стаЬилитрон гС7«7/1

-.--- «-г/сг,;

Z J 5 6

стабилитрон

2CWAII Устройство дм

мо улироВани

И. Сегляник

-

(23456

fpiiz 2

Составитель Н. Королев Техред М.Дидык

Фиг. 1

i/rmoJucmSo для MoSffJupofanue

- UcT. В

Корректор f. Кравцова