Способ испытания замкнутой цилиндрической оболочки из диэлектрика или материала с низкой электропроводностью на внешнее импульсное давление Советский патент 1990 года по МПК G01M7/08 

цов оболочки 1 выполнено на половине направляющей по разные стороны от . плоскости, проходящей через ось подвеса и ось оболочки 1. Измеряют угол С| отклонения оболочки 1 от вертикали под действием внешнего давления. Величину I внешнего давления определяют из соотношения 1(1(ОЦ )/(dhl) , где I - момент инерции оболочки с заглушками относительно оси подвеса;

(О- частота собственных колебаний оболочки с sarnyLUKaNfH; d - диаметр оболочки; h - ширина пояса покрытия

у торцов оболочки; 1 - расстояние от оси подвеса до пояса покрытий у нижнего торца. Точность определения величины внешнего давления определяется точностью измерения угла отклонения

оболочки, которая очень высока.1 з ,п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технике импульсных испытаний оболочечных конструкций. Целью изобретения является повышение достоверности за счет более точного определения давления. Для этого оболочку 1, оснащенную торцовыми заглушками 3 и 4 и покрытую материалом с высокой электропроводностью, подвешивают внутри индуктора 6 с обеспечением угловой степени свободы относительно оси, перпендикулярной оси индуктора 6 и проходящей через верхнюю заглушку 3. Покрытие 2 у торцов оболочки 1 выполнено на половине направляющей по разные стороны от плоскости, проходящей через ось подвеса и ось оболочки 1. Измеряют угол φ отклонения оболочки 1 от вертикали под действием внешнего давления. Величину I внешнего давления определяют из соотношения I=(JΩφ)/(DHL), где J - момент инерции оболочки с заглушками относительно оси подвеса

ω - частота собственных колебаний оболочки с заглушками

D - диаметр оболочки

H - ширина пояса покрытия у торцов оболочки

L - расстояние от оси подвеса до пояса покрытия у нижнего торца. Точность определения величины внешнего давления определяется точностью измерения угла отклонения оболочки, которая очень высока. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к испытательной технике, в частности к динамическим испытаниям оболочечных конструкций, а именно к способам испытания оболочек из диэлектриков.или материалов с низкой электропроводностью на внешнее импульсное давление.

Цель изобретения - повышение достоверности за счет более точного оп- ределения давления.

На чертеже представлено устройство для реализации способа.

Способ осуществляют следующим образом.

Испытываемую оболочку 1,.имеющую электропроводящее покрытие 2 и оснащенную верхней и нижней заглушками 3 и 4 соответственно, укрепленными на оболочке 1 с помощью шпильки 5, подвешивают внутри индуктора 6, установленного на основании 7. Оболочку 1 подвешивают с обеспечением угловой степени свободы относительно оси, перпендикулярной оси индуктора 6 и проходящей через верхнюю заглушку 3. С этой целью оболочку 1 устанавливают, например, на двух точечных опорах 8, с которыми контактирует верхняя заглушка 3. Электропроводящее покрытие 2 у торцов оболочки 1 наносят на половине направляющей так, чтобы оставшиеся непокрытыми зоны 9 и 10 у верхнего и нижнего торцов оболочки 1 располагались по разные стороны от плоскости, проходящей через ось качания и ось оболочки 1, Оболочку 1 нагружают с помощью импульсного магнитного поля. При этом вследствие упомянутого нанесения покрытия 2 и благог. даря подвесу оболочки она под действием импульсного магнитного поля отклоняется от вертикали. Измеряют с помощью, например, упругого элеме.нта

о

5

Q

5

0

5

11 с тензодатчиками угол (f отклонения- оболочки 1. Величину внешнего давления I на оболочку 1 определяют из соотношения

т dill

где I - момент инерции оболочки с- заглушками относительно оси подвеса; (О - частота свободных колебаний

оболочки с заглушками; d - диаметр оболочки; h - ширина пояса покрытия у торца оболочки;

1 - расстояние от оси подвеса до пояса покрытия у торца оболочки.

По сравнению с известным способом, предусматривающим размещение на поверхности оболочки датчиков магнитной индукции, измерение параметров магнитного поля и пересчет этих параметров в величину механического давления на оболочку, предлагаемый способ обеспечивает большую точность определения .величины давления, так как он исключает погрешности, обусловленные сложностью точной установки датчиков магнитной индукции в известном способе, а также неточностью пересчета параметров магнитного поля в величину давления. Точность данного способа определяется точностью измерения величины отклонения оболочки, которая очень высока.

Формула изобретения

516

торцовыми заглушками и покрытую материалом с высокой электропроводностью, размещают внутри индуктора, нагружают оболочку с помощью импульсного магнитного поля и определяют давление, действующее на оболочку, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности результатов испытания за счет более точного определения давления, оболочку подвешива- ют с обеспечением угловой степени свободы относительно оси, перпендикулярной оси индуктора и проходящей через, верхнюю заглушку, электропроводящее покрытие у торцов оболочки наносят на половине направляющей по разные стороны от плоскости, проходящей через ось подвеса и ось оболочки, измеряют угол f отклонения оболочки от вертикали, возниканлцего под действием внешнего давления, а величину

внешнего давления I определяют из соотношения

Т Pi dhl

где I - момент инерции оболочки с

заглушками относительно оси подвеса;

GJ - частота свободных колебаний оболочки с заглушками;

d - диаметр оболочки;

h - ширина пояса покрытия у торцов оболочки;

1 - расстояние от оси подвеса до пояса покрытия у нижнего торца оболочки;

2. Способ ПОП.1, отличаю- 20 Щ и и с я тем, что оболочку подвешивают на двух точечных опорах, с которыми контактирует верхняя заглушка.