Источник магнитного поля смещения для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1991 года по МПК G11C5/00 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения - расширение температурного диапазона работы источника магнитного поля смещения.

На чертеже изображена конструкция предложенного источника магнитного поля смещения.

Источник содержит ферромагнитный корпус 1, выполненный из магнитомягкого материала с большой магнитной проницаемостью, например пермаллоя. Внутри корпуса расположены друг против друга два плоских постоянных магнита 2 с полюсными

наконечниками 3. Магниты 2 прямоугольной формы выполнены, например, из феррита бария, а полюсные наконечники 3 выполнены из магнитомягкого материала. Каждый из магнитов 2 с полюсными наконечниками 3 соединен с экранирующим корпусом 1 при помощи установленной на внутренней стенке корпуса 1 прокладки 4, выполненной из термочувствительного материала с заданным коэффициентом температурного расширения. В качестве прокладок 4, играющих роль элемента коррекции магнитного поля смещения, могут быть использованы, например, биметаллические пластины. Корпус 1, магниты 2, магнитные наконечники 3 и прокладки 4 соединены в

о ю

сл ю о

источнике, например, при помощи склеивания.

Предложенный источник работает следующим образом.

При изменении температуры прокладки 4 из термочувствительного материала деформируются, при этом изменяется величи- на рабочего зазора h, а значит, и напряженность постоянного магнитного поля в зазоре. Установив зависимость вели- чины зазора от температуры h(T), можно подбирать параметры источника, обеспечивающие температурную зависимость напряженности магнитного поля смещения. При расчете параметров источника необхо- димо учитывать температурную зависимость магнитного поля, создаваемого постоянным магнитом, Нпм f (Т). Деформация тер- мочувствительных прокладок 4 при изменении температуры вызывает также со- ответствующее изменение магнитного поля в рабочем зазоре: (Т). Суммарная температурная зависимость поля в зазоре является промежуточной: НГГ) Н(НПм, Н3).

Подбирая материал и размеры прокла- док, можно добиться любой необходимой

зависимости поля смещения в рабочем зазоре от температуры без изменения состава материала магнита, что расширяет температурный диапазон работы источника магнитного поля смещения.

Формула изобретения Источник магнитного поля смещения для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах, содержащий корпус из ферромагнитного материала, внутри которого расположены друг против друга два плоских постоянных магнита с полюсными наконечниками и элемент коррекции магнитного поля смещения,о т л и - чающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы источника магнитного поля смещения, элемент коррекции магнитного поля смещения выполнен в виде двух параллельно расположенных прокладок из термочувствительного материала с соответствующим коэффициентом температурного расширения, каждая из которых размещена между плоским постоянным магнитом и внутренней стенкой корпуса из ферромагнитного материала и скреплена с ними.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является расширение температурного диапазона работы источника магнитного поля смещения. Источник содержит ферромагнитный корпус, выполненный из магнитомягкого материала с большой магнитной проницаемостью, например пермаллоя. Внутри корпуса расположены друг против друга два плоских постоянных магнита с полюсными наконечниками. Магниты прямоугольной формы выполнены, например, из феррита бария, а полюсные наконечники выполнены из магнитомягкого материала. Каждый из магнитов с полюсными наконечниками соединен с экранирующим корпусом при помощи установленной на внутренней стенке корпуса прокладки, выполненной из термочувствительного материала с заданным коэффициентом температурного расширения. В качестве прокладки, играющей роль элемента коррекции магнитного поля смещения, могут быть использованы, например, магнитные наконечники и биметаллические пластины. Корпус, магниты, магнитные наконечники и прокладки соединены в источнике, например, при помощи склеивания. 1 ил. сл С

/

I

/