Магнитопровод для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1977 года по МПК G11C5/00 G11C11/14 

Изобретение относится к области вычисли,тельной техники и предназначено для использования в запоминающих устройствах (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен магнитопровод для ЗУ на ЦМД, содержащий постоянные магниты, к торцам которых на винтах присоединены пластины из магнитомягкого материала с регулируемым зазором, который заполнен резиной для амортизации 1. Недостатком этого магнитопровода является его относительная сложность.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является магнитопровод для ЗУ на ЦМД, который содержит паралле тьно расположенные пластины из магнитомягкого материала, магниты, закрепленные между пластинами у их противоположных торцов, и магнитные шунты 21. Для грубой регулировки величины поля в зазоре между пластинами используются шунтирующие стержни из магнитомягкого материала,вставляемые между верхней и нижней пластинами арматуры. Точная регулировка осуществляется с помощью винта, проходящего через одну из пластин арматуры и приближающегося при вращении к другой пластине. При минимальном щунтировании винт плавной регулировки выступает над поверхностью пластины

арматуры и тем самым существенно увеличивает габариты магнитопровода,а расположение винтов внутри воздущного зазора уменьщает его полезный объем. Кроме того, подбор определенного количества щунтов и их крепление делает регулировку напряженности магнитного поля трудоемким.

Недостатком является и то, что при использовании в ЗУ кристаллов на основе гранатовых сред, величина смещения магнитного поля которых должна изменяться при изменении температуры, необходимо каждый раз при изменении композиции гранатовых сред кристалла ЦМД изменять и состав материала магнита для получения новой температурной зависимость поля смещения.

Целью изобретения является упрощение магнитопровода.

Достигается это путем того, что в магнитопровод для ЗУ на ЦМД, содержащий параллельно расположенные пластины из магнитомягкого материала, магниты, закрепленные между пластинами у их противоположных торцов, и магнитные щунты, введен узел регулировки магнитного поля с резьбовыми отверстиями для размещения магнитных щунтов перпендикулярно боковой поверхности магнитов, выполненный из немагнитного материала и расположенный с внешней боковой стороны магнитов. Кроме то го, магниты выполнены составными из температурнозависимых,температурнонезавнснмых материалов. На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого магиитопровода; на фиг. 2 - составной wapHHTj вариант выпсшйения. Магнитодровод содержит параллельно расположенные пластины 1 из йагнитомягкого материала, составные магниты, образованные со. единением температурнонезависимого 2 и температурнозависимого 3 магйитотвердого материала,1 1агмитные шунты 4, узел регулировки 5 с резьбовым я отверстшми для перемещения шунтов. Температурнонезависимая (металлическая) часть 2 состйеаого магнита создает в рабочем зазоре магнитопроведа магиитиое поле, величина KOTOpor-Q практически, ме д;двисит от темперйтуры. . ,. Ч: : - : :, Температур11оэ-аавс: 1 з:я (ферритовая) часть 3 составйоя& waf:t T t создает магнитное яояе в pg&o40si аазорф мшшйзйройода, величнна .которого шльйозаейяетея..при изменении темп€|гату11ы. Тшиератур ая зависимость суммарчшго поля в рабсртам ааэсфе является промежуточной между зааиснйоетямй поля от температуры,папучаемыйр только яря температурноиезависимом или тем1тератур{)озавж:имом магните. Преобладав одного нлй другого магнитного, материала пшвояяет получить заданную температурцую зависймсЕть магнитного поля в рабочем зазоре без изменения состава материалов что температурный диапазон рзбшй магнйтопровода. Регулировка нагнитого поля в рабочем зазоре uartimv ciBOfld в необходимых пределах ocymeeta etcfl фа{це«ием шуитов 4 в резьбовщ отверстиях узла регулировки 5, который выяаявяется из HestertftiTHoro материала, что позволяет исключить его влияние на величину и темяературну з;ависймость магнитиого поля. Отноеительнйе увеличение габаритных иагнитонровода из-за наличия шунтов при этом иегиачйтельно, так как разме ры шунтов и их максимальное расстояние от магнитов, при котором еще сказывается их действие, невелико по сравнению с размерами магнитопровода, а расположение узла регулировки с внешней стороны позволяет полностью использовать рабочий зазор. Все это позволяет упростить конструкцию магнитопровода и расширить температурный диапазон работы, обеспечив необходимую температурную зависимость магнитного поля смещения в рабочем зазоре а также уменьшить размеры магнитопровода по сравнению с известными устройствами, что ведет к общему снижению трудоемкости при изготовлении и настройке магнитопровода. Формула изобретения 1.Магнитопр.р&од для запоминающего устройству на днлиндрических магнитных доменах, содержащий параллельно расположенные пластины из магнитомягкого материала, магниты, закрепленные между пластинами у их противоположных торцов, и магнитные Шунты, отличающийся тем, что, с целью упрощения магнитопровода, он содержит узел регулировки магнитного поля с резьбовыми сд-верстиями для размещения магнитных шуитов перпендикулярно боковой поверхности магиИтрв, выполненный из немагнитного материала и распсм1о1} енный с внешней боковой стороны магнитов. , 2.Магнитопровод по п. t, отличающийся тем, что магниты выполнены составными из температурнозависИмых и температурнонезависимых материалов. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1.ШЕЕ Trans: Magn., V.MAG-9, № 3, 1973, p. 438. 2.IEEE Trans. Magn., V. MAG-10, № 3, 1974, p. 742.