Стабилизатор постоянного напряжения Советский патент 1991 года по МПК G05F3/20 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника для писания интегральных инжекционных схем.

Цель изобретения - расширение функциональных возможное гей путем подавления импульсной помехи при сохранении высокого коэффициента стабилизации.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема стабилизатора постоянного напряжения

Стабилизатор содержит первый р-п-р- транзистор 1, балластный резистор 2, второй р-п-р-транзистор 3, МДП-транзистор 4 со встроенным n-каналом, два резистора 5 и б, и конденсатор 7. Входной вывод стабилизатора подключен к одной обкладке конденсатора 7 и одному выводу резистора 2, друюй выг Оп которого подключен к эмиттеру транзистора 1, коллектор которого подключен к ртоку МДП-транзистора 4 и выходному выводу. Другая обкладка конденсатора 7 подключена к затвору МДП- транзистора 4 и одному выводу резистора 5, другой вывод которого подключен к общей шине, истоку МДП-транзистора 4 и базе транзистора 3, эмиттер которого подключен к базе транзистора 1. Коллектор транзистора 3 подключен к одному выводу резистора 6, другой вывод которого подключен к подложке МДП-транзистора 4. Транзисторы 1 и 3 являются питающими и работают в инжек- ционном режиме, выполняя функции инжекторов. МДП-транзистор 4 выполняет как обычные функции полевого транзистора, управляемого по затвору, так и функции биполярного n-p-n-транзистора, управляемого по подложке (базе). С помощью резистора 6 задается ток подложки (базы), обеспечивающий необходимый режим этого п-р-п-транзистора. С помощью резистора 5 и конденсатора 7 задается постоянная времени цепи затвора МДП-транзистора 4.

Токи .эмиттеров транзисторов 1 и 3 порождают избыточный заряд дырок в их коллекторах, за счет чего на коллекторных переходах обоих p-n-p-транзисторов появляются положительные инжекционные напряжения. Максимальная величина инжекционного напряжения на транзисторе в основном определяется равновесной высотой потенциального барьера р-n- пе - рехода и для кремниевых структур примерно азна 0,7-0,8 В. Такое напряжение присутствует между коллектором транзистора 3 и общей шиной, а между коллектором транзистора 1 и общей шино й образуется выходное напряжение ивых. примерно равное удвоенной величине инжекционного напряжения одиночного транзистора.

При возрастании UDbix увеличивается инжекционное напряжение на коллекторном переходе транзистора 3, а следовательно, и ток базы (подложки) п-р-п-транзистора, функции которого выполняет МДП-транзистор 4. В результате ток стока (коллектора) МДП-транзистора 4 возрастает , что прово дит к уменьшению Увых, т.е. транзистор 4 подсаживает выходное напряжение инжекционного источника. Таким образом в предлагаемом устройстве реализуется высокий коэффициент стабилизации напряжения.

Предлагаемый стабилизатор постоянного напряжения как и прототип является низковольтным и предназначен в основном для питания схем интегральной инжекцион- ной логики. При переключении логических

схем в цепи питания могут возникать импульсные помехи, отрицательно влияющие на работу всей системы. Такие помехи устраняются за счет их шунтирования МДП - транзистором 4, на затвор которого они

поступают (через конденсатор 7) и снижают сопротивление его канала.

Если на вход устройства поступает напряжение U вх с пульсациями , то они сглаживаются с помощью МДП-транзистора 4. I ак

при кратковременном увеличении UBx приращение этого напряжения проходит на затвор МДП-транзистора 4 и уменьшает сопротивление его канала. В результате увеличение UBx сглаживается не только за

счет стабильности инжекционного напряжения (как и в прототипе), но и за счет дополнительного подсаживания этого напряжения МДП-транзистором 4. Таким образом, устройство одновременно выполняет и функции сглаживающего фильтра , чем и достигается расширение его функциональных возможностей.

Формула изобретения Стабилизатор постоянного напряжения, содержащий первый р-п-р-транзистор и балластный резистор, один вывод которого подключен к входному выводу, а другой - кзмиттеру p-n-p-транзистора, коллектор ко- горого подключен к выходному выводу, о т- личающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем подавления импульсной помехи, при сохранении высокого коэффициента стабилизации, в него введены второй р-п-р- транзистор, МДП-транзистор со встроенным n-канаяом, два резистора и конденсатор, одна обкладка которого подключена к входному выводу, а другая обкладка - к затвору .МДП-транзистора и

одному выводу первого резистора, другойра, другой вывод которого подключен к кол- вывод которого подключен к общей шине,лектору второго p-n-p-транзистора, эмиттер базе второго p-n-p-транзистора и истокукоторого подключен к базе первого р-п-р- МДП-транзистора. подложка которого под-транзистора, коллектор которого подклю- ключена к одному выводу второго резисто-5 чен к стоку МДП-транзистора.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника для питания интегральных инжекционных схем. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем подавления импульсной помехи при сохранении высокого коэффициента стабилизации. Устр-во содержит первый р-п-р-транзистор 1, бэлла- стный резистор 2 , второй p-n-р транзистор 3, МДП-транзистор 4 со встроенным п-кана- лом, два резистора 5 и 6, конденсатор 7. Входной вывод устр-ва подключен к одной обкладке конденсатора 7 и одному выходу резистора 2, другой вывод которого подключен к эмиттеру транзистора 1, коллектор которого подключен к стоку МДП-транзистора 4 и выходному выводу. Транзисторы 1 и 3 являются питающими и работают в инжек- ционном режиме, выполняя функции инжекторов. МДП-транзистор 4 выполняет как обычные функции полевого транзистора, управляемого по затвору, так и функции биполярного n-p-n-транзистора, управляемого по подложке (базе). С помощью резистора 6 задается ток подложки (базы), обеспечивающий необходимый режим этого п-р-п-тран- зистора. С помощью резистора 5 и конденсатора 7 задается постоянная времени цепи затвора МДП-транзистора 4. 1 ил.