Преобразователь логических уровней Советский патент 1986 года по МПК H03K19/00 

Ной технике и может быть использовано для согласования уровней логических сигналов схем МДП-логики с различными элементами на биполярных транзисторах, например транзисторно- транзисторной логики (ТТЛ).

Цель изобретения - повышение нагрузочной способности.

На чертеже представлена принципи- О 6 устраняет влияние „ст и между его

коллектором и общей шиной уже будет иметь место только инжекционное напряжение. Ток базы транзистора 9 будет несколько меньше тока стока входальная схема предлагаемого преобразователя.

Преобразователь логических уровней содержит входной МДП-транзистор 1 с каналом h-типа, выходной ь-р-и- 5 ного МДП-транзистора 1. Транзистор 9 транзистор 2, резистор 3 и дополни- вместе с резистором 4 и транзистором тельный резистор 4, первьй 5 и второй 7 образует неинвертирующий усилительj 6 р-h-p-транзисторы, первый 7 и вто- служащий для увеличения нагрузочной рой 8 дополнительные р-h-p-транзи-- способности преобразователя. Транзисторы и дополнительный и-р-п-транзи- 20, стор 8 служит для согласования с ба- стор 9, исток и подложка МДП-транзи- зоной цепью выходного транзистора 2, стора 1 соединены с эмиттерами транзи- поддерживая необходимый выходной ток сторон 2 и 9, базами транзисторов 6 g одном состоянии преобразователя и 8 и с общей шиной устройства, за- уровней и способствуя надежному за- твор ВДП-транзистора 1 подключен к 25 рытию выходного транзистора 2 в дру- входу устройства 10, а сток - к базе -C-QM состоянии преобразователя, транзистора 5, эмиттер которого через резистор 3 соединен шиной 11 питания. Коллектор транзистора 5 соединен с эмиттером транзистора 6, коллектор 30 которого соединен с базой транзистора 9, а коллектор транзистора 9 - с базой транзистора 7, эмиттер которого через резистор 4 соединен с ши- .

Формула изо бретения

ЧПреобразователь логических уровней, содержапщй входной МДП-транзистор, затвор которого подключен к входу преобразователя, основной резистор, первый вьшод которого под- ной It питания,, коллектор транзистора 35 ..ен к шине питания, два основных 7 соединен с эмиттером транзистора о, коллектор которого соединен с базой

выходного транзистора 2, коллектор которого подключен к выходу 12 устройства.

р и-р-транзистора, база первого из которых соединена со стоком МДП-транзистора, и выходной и -p-h-транзи- стор, эмиттер которого соединен с ба- ЗОЙ второго Р-и-р-транзистора, ис- , При запертом МДП-транзисторе 1 ток током МДП-транзистора и общей щиной, стока не протекает,поэтому и цепи коллектор подключен к выходу пре- базы выходного транзистора 2 равен нулю. образователя, отличающий- При открытом входном МДП-транзисторе тем, что с целью повышения грузочной способности, в него введены два дополнительных р-и-р-тран- зистора, дополнительный п-р-ь-тран1 в цепи его стока будет протекать ток, который является и током эмиттера транзистора 5. Преобразуясь транзисторами 5 и 6, работающими в инжек- ционном режиме, этот ток будет протезистор и дополнительньй резистор, эмиттер первого дополнительного Ркать в цепь базы транзистора 9 и под- SO ь-р-транзистора через дополнительный держивать его в открытом состоянии. резистор подключен к шине питания. Ток коллектора транзистора 9 является током эмиттера транзистора 7„

Преобразуясь транзисторами 7 и В, рабаза соединена с коллектором дополнительного и-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной ботающими в инжекционном режиме, этот 55 и базой второго дополнительного р- ток будет протекать в цепь базы вы- ь-р-транзистора, коллектор которого ходного транзистора 2, поддерживая соединен славой выходного h-p-fi- его открытое состояние.транзистора, эмиттер - с коллектором

1 в открытом состоянии обладает значительным остаточным напряжением iJ (десятые доли вольта), напряжение между коллектором транзистора 5 и общей шиной имеет величину большую, чем инжекционное напряжение транзистора 5, на -1., которое является фактором нестабильности. Транзистор

коллектором и общей шиной уже будет иметь место только инжекционное напряжение. Ток базы транзистора 9 будет несколько меньше тока стока входного МДП-транзистора 1. Транзистор 9 вместе с резистором 4 и транзистором 7 образует неинвертирующий усилительj служащий для увеличения нагрузочной способности преобразователя. Транзистор 8 служит для согласования с ба- зоной цепью выходного транзистора 2, поддерживая необходимый выходной ток g одном состоянии преобразователя уровней и способствуя надежному за- рытию выходного транзистора 2 в дру- -C-QM состоянии преобразователя,

ого МДП-транзистора 1. Транзистор 9 месте с резистором 4 и транзистором образует неинвертирующий усилительj лужащий для увеличения нагрузочной пособности преобразователя. Транзистор 8 служит для согласования с ба- зоной цепью выходного транзистора 2, поддерживая необходимый выходной ток g одном состоянии преобразователя уровней и способствуя надежному за- рытию выходного транзистора 2 в дру- -C-QM состоянии преобразователя,

Формула изо бретения

ЧПреобразователь логических уровней, содержапщй входной МДП-транзистор, затвор которого подключен к входу преобразователя, основной ре31252936, 4 ,

первого дополнительного p-h-p-тран- тор которого соединен с эмиттером зистора, второй вывод основного ре- второго основного р-и-р-транзистора, зистора соединен с эмиттером первого коллектор которого соединен с базой основного р ь-р-транзистора, коллек- дополнительного и-p-h-транзистора

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для согласования уровней логических сигналов схем МЦП-логики с различными элементами на биполярных транзисторах. Целью изобретения является повьшение нагрузочной способности. Для достижения цели в преобразователь, содержащий входной ЩЩ- транзистор 1 с каналом h-типа, выходной h-р-п-транзистор 2, резистор 3, р-h-p-транзисторы 5 и 6, вход 10, шину питания 11, выход 12, введейЫ дополнительные р -vi-p-транзисторы 7 и 8, дополнительныйh-р-п-транзистор 9 и дополнительный резистор 4. Транзисторы 7, 9 и резистор 4 образуют неинвертирующий усилитель, служаирш для увеличения нагрузочной способности преобразователя. Транзистор 6 предназначен для устранения фактора нестабильности, а транзистор 8 - для согласования с базовой цепью выходного транзистора 2, что способствует его надежному закрытию в другом состоянии преобразователя. 1 ил. 12 СП