изобретение относится к электротехнике, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития.
Цель изобретения - повышение скорости процесса.
Пример. Прямоугольные образцы ниобата лития LiNbO толщиной 0,75 мм с линейными размерами 8-10 мм подвергают травлению в плазме высокочастотного разряда - ВЧ газообразного гексафторида серы $рЈ. Способ возбуждения разряда - диодный, рабочая частота 13,56 МГц. Образцы располагают на металлическом столе в цилиндрической кварцевой реакционно-разрядной камере РРК вертикального типа на расстоянии 45 мм от потенциального электрода. Диаметр камеры 120 мм. Вакуумная система обеспечивает уровень предварительного разрежения в РРК не хуже 2,7 Па, Процесс травления LiMbO проводят при давлениях плазмообразующего газа , 53, 66 Па и средних значениях плотности мощности в объеме РРК от 0,13 до 0,34 Вт/смэ. Значения температуры образца измеряют хромель- алюмелевой термопарой на поверхности стола после окончания цикла травления. Среднюю скорость травления определяют взвешиванием образца до и после процесса с последующим пересчетом разницы веса в изме нение толщины.
В таблице приведены результаты травления образцов LiNbOg при различных параметрах процесса: Р - давление,. Па; W0 - среднее значение плотности мощности ВЧ энергии в объеме РРК, Вт/см , ТК - температура образца в градусах Кельвина; v - скорость травления образца, мкм/мин.
В известном способе скорость травления не превышает 0,2 мкм/мин.
Таким образом, использование изобретения позволит увеличить скорость плазмохимического травления ниобата лития.
(Л
о со
оо ю to
N
Формула изобретения
Способ сухого травления ниобата лития в плазме высокочастотного разря-,. да газообразного гёксафторида,. отличающийся тем, что, с целью повышения скорости процесса, для травления используют гексафторид серы и процесс ведут при условии ,4Р, ю где Т - температура ниобата лития, К; 40 ПаЈРЈб6 Па - давление гёксафторида серы.
Продолжение таблицы
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ травления карбида кремния | 2023 |
|
RU2814510C1 |
| СПОСОБ МИКРОПРОФИЛИРОВАНИЯ КОМПОЗИЦИИ "SiC-AlN" | 2000 |
|
RU2163409C1 |
| СПОСОБ ПЛАНАРИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 1992 |
|
RU2024992C1 |
| СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ОКОН В ИЗОЛИРУЮЩИХ И ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЯХ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ | 1992 |
|
RU2024991C1 |
| Способ получения на подложке тонких пленок ниобата лития | 2021 |
|
RU2762756C1 |
| СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК | 1992 |
|
RU2029411C1 |
| СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ | 2011 |
|
RU2456702C1 |
| Способ обработки поверхности пластин карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме | 2019 |
|
RU2708812C1 |
| Способ получения антибактериального кальцийфосфатного покрытия на ортопедическом имплантате, имеющем форму тела вращения и оснастка для его осуществления (варианты) | 2020 |
|
RU2745726C1 |
| СПОСОБ ДОПРОЯВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА, НАНЕСЕННОГО НА ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ | 2008 |
|
RU2401321C2 |
Изобретение относится к области электроники, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития. Обеспечивается повышение скорости травления. Способ включает сухое травление в плазме высокочастотного разряда газообразного гексафторида серы SF6 при условии Т 700-3, 4Р , где Т - температура ниобата лития, К; Р - давление SFg , равное Па. Достигнута скорость травления 0,25- 0,45 мкм/мин. 1 табл.
Звездочкой обозначены те значения Т, которые удовлетворяют условию в формуле изобретения.
| Chung P.S | |||
| -at al | |||
| Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
| Способ генерирования переменного тока | 1923 |
|
SU484A1 |
