УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАЗИПАРАЛЛЕЛЬНЫХ РЕНТГЕНОВСКИХ ПУЧКОВ Советский патент 1998 года по МПК G21K1/06 

Описание патента на изобретение SU1639313A1

Изобретение относится к технической физике и может быть использовано в физике плазмы, медицине, геологии, рентгеновской астрономии и других областях науки и техники.

Целью изобретения является упрощение конструкции устройства и снижение потерь излучения при работе как с точечным (микрофокусным), так и с неточечным источниками.

На чертеже схематически изображен первый по ходу пучка пакет пластин (схема второго пакета, повернутого относительно первого на 90o, аналогична).

Расходящийся пучок электромагнитного излучения от неточечного источника 1, распространяясь в направлении оптической оси 2 устройства, попадает в зазоры между пластинами первого пакета и, отражаясь от них, становится квазипараллельным в одной плоскости. Распространяясь после первого отражения в направлении оптической оси, пучок отражается вторым пакетом и становится квазипараллельным в плоскости, перпендикулярной первой. Таким образом, на выходе устройства пучок становится квазипараллельным и распространяется вдоль оптической оси устройства.

Упрощение конструкции устройства достигается тем, что отражающие поверхности выполнены плоскими, в отличие от поверхностей сложной формы, которые имеет смысл изготавливать только при работе с микрофокусным источником рентгеновского излучения. Однако для получения мощного квазипараллельного потока электромагнитного излучения необходимо использовать соответствующие источники излучения, имеющие значительно больший размер фокусного пятна. Устройство обеспечивает работу с такими источниками за счет соответствующего выбора длины и углом наклона каждой пластины. Снижение потерь достигается за счет того, что плоские пластины легко сделать значительно более тонкими, чем величина зазора между ними. Кроме того, качество плоских поверхностей, т.е. их отражающее свойство также более высокое, чем у поверхностей сложной формы.

Расчет устройства проводят в соответствии с выражениями


где
li - длина i-й пластины;
αi - угол наклона i-й пластины по отношению к оптической оси устройства;
F - расстояние от источника излучения до выходного торца соответствующего пакета отражающих пластин, мм;
S - диаметр источника, мм;
T - толщина пластин, мм;
Δ - зазор между пластинами на выходном торце соответствующего пакета, мм;
Ri - расстояние от оптической оси до соответствующей пластины на выходном торце пакета.

Эти выражения получены геометрически с учетом конечного размера источника и толщины пластин, руководствуясь следующими критериями: отсутствием прямого прохождения излучения между поверхностями, т.е. без отражения от них, отсутствием на выходе устройства квантов, испытывающих более одного отражения, обеспечением требуемой величины расходимости излучения относительно оптической оси в каждом из зазоров между пластинами.

Устройство работает следующим образом. Излучение от источника, попадая в соответствующие зазоры, отражается первым пакетом пластин, приобретая требуемую расходимость в плоскости, перпендикулярной плоскости чертежа. Распространяясь в том же направлении и попадая в соответствующие зазоры второго пакета, излучение приобретает требуемую расходимость и в перпендикулярной плоскости. Угол захвата излучения устройством определяется критическим углом полного внешнего отражения θкр для соответствующей энергии излучения и составляет для данной конструкции порядка 4θкр (в плоскости чертежа).

Пропускная способность такого устройства высокая, она определяется отношением величины зазора между пластинами к толщине пластины. Современная технология позволяет получать высококачественные отражающие поверхности толщин порядка десятка микрон, способные сохранять форму, т.е. не деформироваться в процессе эксплуатации.

Диапазон применения предложенного устройства очень широк, в частности в рентгеновской литографии, астрономии, рентгеновском анализе и т.д.

Пример. Устройство собрано из стеклянных пластин (С-52) толщиной 0,5 мм, изготовленных специальным способом (вытяжка с поверхности расплавленного металла). В таблице приведены размеры пластин и их расположение относительно оптической оси устройства с учетом выбранного зазора, равного 2 мм (указаны размеры для половины первого пакета, вторая половина симметрична относительно оптической оси).

Расстояние от источника до выходного торца первого пакета (F) принято равным 400 мм (исходя из требуемой ширины квазипараллельного пучка, равной 40 мм и критического угла полного внешнего отражения для энергии 1 КэВ, равного 3 • 10-2 рад). Размер источника 1 мм.

Экспериментальные исследования показали хорошие параметры предложенного устройства.

Расходимость пучка на выходе составила порядка (2 - 3) • 10-3 рад при потерях, обусловленных конечной толщиной пластин порядка 20% (для одного пакета).

Потери излучения за счет поглощения при отражении составили порядка 5%. Таким образом, коэффициент пропускания излучения для первого пакета отражающих поверхностей составил 76%. Второй пакет устройства аналогичен первому, поэтому в примере не рассматривается.

Данное устройство проектировалось для использования в качестве рентгенооптической системы в приборе для рентгеновской литографии. Параметры предложенного устройства, как показали испытания, вполне удовлетворяют требованиям субмикронной рентгеновской литографии.

James H. Underwood "High-energy x-ray microscopy with multilayer reflectors (invited)". Rev. Sci. Instrum., 57(8), 1986, p. 2119 - 2123.

Похожие патенты SU1639313A1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕНТГЕНОВСКОЙ ЛИТОГРАФИИ 2000
  • Кумахов М.А.
RU2187160C1
РЕНТГЕНОВСКИЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНО-ИСПЫТАТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС 2000
  • Кумахов М.А.
RU2208227C2
ЛИНЗА ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЕМ В ВИДЕ ПОТОКА НЕЙТРАЛЬНЫХ ИЛИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТАКИХ ЛИНЗ И СОДЕРЖАЩЕЕ ТАКИЕ ЛИНЗЫ АНАЛИТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛУЧЕВОЙ ТЕРАПИИ И УСТРОЙСТВА ДЛЯ КОНТАКТНОЙ И ПРОЕКЦИОННОЙ ЛИТОГРАФИИ 1999
  • Кумахов М.А.
RU2164361C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ЯРКОСТИ 2002
  • Кумахов М.А.
  • Ибраимов Н.С.
  • Лютцау А.В.
  • Звонков А.Д.
  • Котелкин А.В.
  • Никитина С.В.
  • Лихушина Е.В.
RU2210126C1
Устройство для контроля направленности оптического излучения в эллипсометрии для in situ диагностики формирования слоистых структур 2022
  • Азаров Иван Алексеевич
  • Швец Василий Александрович
  • Рыхлицкий Сергей Владимирович
  • Якушев Максим Витальевич
  • Аульченко Нина Александровна
RU2805281C1
Способ контроля распределения структурных неоднородностей в объеме монокристалла и установка для его осуществления 1986
  • Мингазин Т.А.
  • Бондарец Н.В.
  • Зеленов В.И.
  • Лейкин В.Н.
SU1389435A1
Способ получения рентгеновских дифракционных топограмм монокристаллов на отражение 1983
  • Чернов Михаил Александрович
  • Петрашень Павел Васильевич
  • Левчук Богдан Иосифович
  • Комяк Николай Иванович
  • Дорожкин Сергей Иванович
  • Гусев Константин Александрович
SU1138717A1
СПОСОБ ЭКСПОНИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ПЛОСКОСТЕЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН И ГЕТЕРОСТРУКТУР 2014
  • Лютцау Александр Всеволодович
  • Темпер Элла Моисеевна
  • Енишерлова-Вельяшева Кира Львовна
RU2559799C1
ЦИФРОВОЙ СКАНИРУЮЩИЙ МАММОГРАФ 2000
  • Альбиков З.А.
  • Будков С.А.
  • Дроняев В.П.
  • Паниткин Ю.Г.
  • Селантьева А.Н.
RU2171629C1
Устройство для рентгенофлуоресцентного анализа 1991
  • Кондуров Игорь Андреевич
  • Коротких Евгений Михайлович
SU1827600A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 639 313 A1

Реферат патента 1998 года УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАЗИПАРАЛЛЕЛЬНЫХ РЕНТГЕНОВСКИХ ПУЧКОВ

Изобретение относится к технической физике и предназначено для формирования квазипараллельных пучков рентгеновского излучения. Изобретение позволяет с помощью простой и технологичной конструкии снизить потери излучения при работе с точечными и неточечными источниками. Устройство состоит из двух многослойных и взаимно перпендикулярных относительно оптической оси пакетов отражающих поверхностей, выполненных в виде плоских пластин, концы которых со стороны выхода излучения лежат в одной плоскости, а длины li и углы наклона α1 этих пластин по отношению к оптической оси устройства определяют из выражения


где F - расстояние от источника излучения до выходного торца соотвутствующего пакета пластин;
S - диаметр источника;
Т - толщина отражающей пластины;
Δ - зазор между пластинами на выходном торце соответствующего пакета;
Ri - расстояние от оптической оси до соответствующей пластины на выходном торце пакета. 1 ил., 1 табл.

Формула изобретения SU 1 639 313 A1

Устройство для формирования квазипараллельных рентгеновских пучков, состоящее из двух расположенных взаимно перпендикулярно пакетов отражающих поверхностей, причем оси пакетов совпадают с осью устройства, проходящей через центр источника рентгеновского излучения, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и снижения потерь излучения, каждый пакет выполнен из плоских пластин, концы которых со стороны выхода излучения лежат в одной плоскости, а длины li и углы наклона αi пластин к оси устройства определены выражениями


где F - расстояние от источника излучения до выходного торца соответствующего пакета пластин;
S - диаметр источника;
T - толщина отражающей пластины;
Δ - зазор между пластинами на выходном торце соответствующего пакета;
Ri - расстояние от оси устройства до соответствующей пластины на выходном торце пакета.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года SU1639313A1

James H
Underwood "High-energy x-ray microscopy with multilayer reflectors (invited)"
Rev
Sci
Instrum., 57(8), 1986, p
Приспособление для записи звуковых колебаний 1916
  • Никифоров А.К.
SU2119A1

SU 1 639 313 A1

Авторы

Кованцев В.Е.

Коломийцев А.И.

Кумахов М.А.

Пономарев И.Ю.

Ходеев И.А.

Даты

1998-04-20Публикация

1989-05-16Подача