о ь и ю
00
Ьь
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам давления.
Целью изобретения является уменьшение габаритов датчика и повышение техно- логичности.
На фиг. 1 изображен предлагаемый датчик давления, разрез; на фиг. 2 - то же, со снятой крышкой, вид сверху.
Датчик содержит корпус 1 из поликар- бонатной смолы, квадратную плиту 2 из керамики с подстроечными резисторами, квадратный полупроводниковый кристалл 3 из кремния 1А2КМКЭФ 4,5/7,5-60, закрепленный в корпусе на присоединительной трубке 4 из стекла ИХС-10 (тензорезисторы не показаны). Полупроводниковый кристалл расположен асимметрично относительно центра платы в прямоугольном вырезе 5, выполненном в плате перпендикулярно и параллельно сторонам платы. Вырез расположен в одном из углов платы и выполнен в виде квадрата. Размеры сторон выреза определены в соответствии с заявляемым соотношением. При размерах кристалла 3X3 мм и зазоре между кристаллом и платой 0,5 мм размер стороны выреза равен 3,5 мм.
Тензорезисторы на кристалле соединены с подстроечными резисторами (не показаны) платы при помощи соединительных проводников 6. Для подачи напряжения питания и съема выходного сигнала используются выводы 7. Для уменьшения влияния окружающей среды используется крышка 8 из поликарбонатной смолы. Кристалл при- соединяется к присоединительной трубке при помощи электростатики. Расположение выреза в одном из углов платы позволяет уменьшить габариты датчика за счет устранения одного из трех зазоров между кри- сталлами и платой, а также позволяет более рациональное использование площади пла- ты вследствие наличия на ней одного сравнительного широкого выступа вместо двух узких, на которых не всегда возможно раз- мещение законченных элементом настройки. Кроме того, выполнение выреза в одном из углов платы позволяет повысить технологичность вследствие уменьшения требований к точности отработки расстояний, угловых коор- динат и положений устанавливаемых сборок в связи с отсутствием необходимости очень точной предварительной ориентации собираемых сборок вследствие сопряжения кристалла и платы только по двум смежным сторонам кристалла (или выреза платы). Сопряжение кристалла и платы только по двум смежным сторонам кристалла (или выреза платы) позволяет осуществлять сборку в плоскости платы и
кристалла во всех направлениях, заключенных между перпендикулярными к смежным граням выреза платы.
На фиг.2 перпендикуляры показаны знаком |-. На фиг. 2 видно, что сборка может осуществляться по любому направлению, заключенному между перпендикулярами.
-Сборка датчика осуществляется следующим образом.
Кристалл при помощи электростатики соединяется с присоединительной трубкой. Трубка с кристаллом устанавливается манипулятором в корпус. Плата предварительно располагается в одной плоскости с кристаллом в направлении, заключенном между перпендикулярами к смежным сторонам выреза. Наиболее приемлемым направлением является направление по диагонали кристалла, т.е. под углом 45° к смежным сторонам выреза. На фиг. 2 это направление отмечено стрелкой. Манипулятор при помощи механических захватов, толщина которых выбрана равной ширине необходимого зазора между кристаллом и платой, переносит плату по направлению, указанному стрелкой, до касания захватов соответствующих сторон выреза. Толкателем манипуля- тора плата прижимается к корпусу, закрепляется на нем и освобождается от захватов. Таким образом, плата оказывается автоматически ориентированной относительно кристалла с необходимым зазором. В случае, если кристалл устанавливается на клее, то возможна ориентация кристалла по плате.
Габаритные размеры гибридных датчиков давления, изготовленных в соответствии с заявляемым решением, 10Х 10Х 16 мм.
Таким образом, технико-экономические преимущества предлагаемого датчика давления по сравнению с прототипом заключаются в уменьшении габаритов в 1,2-1,5 раза за счет рационального использования площади платы, а также за счет уменьшения количества зазоров между кристаллом и платой, кроме того, в повышении технологичности за счет возможности осуществления сборки на робото-технических комплексах с пониженными требованиями к точности отработки расстояний, угловых координат и положений устанавливаемых сборок, а также за счет повышения количества направлений, по которым может осуществляться сборка кристалла и платы. Формула изобретения Датчик давления, содержащий корпус, квадратный полупроводниковый кристалл, в котором по центру выполнена мембрана, закрепленный в корпусе на присоединительной трубке, квадратную плату с подстроенными резисторами, расположенную в одной плоскости с кристаллом, и тензоре- зисторы, закрепленные на мембране, при этом кристалл расположен в прямоугольном вырезе платы с зазором, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и повышения технологичности, в нем вырез
расположен в одном из углов платы и выполнен с размерами сторон s, определяемыми из соотношения
s K + h. где К - размер стороны кристалла;
h - зазор между кристаллом и платой.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Тензометрический преобразователь давления и способ его изготовления | 1989 |
|
SU1615584A1 |
ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА С ЖЕСТКИМ ЦЕНТРОМ | 2012 |
|
RU2507490C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1990 |
|
SU1771272A1 |
Мембранный чувствительный элемент и способ его изготовления | 1987 |
|
SU1500884A1 |
ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА | 2014 |
|
RU2558675C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ | 2013 |
|
RU2537517C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА | 1996 |
|
RU2110117C1 |
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ | 2015 |
|
RU2606550C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2007 |
|
RU2346250C1 |
Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы при непараллельном монтаже элементов | 2018 |
|
RU2688037C1 |
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезистор- ным датчикам давления. Целью изобретения является уменьшение габаритов датчика и повышение технологичности. Для этого в датчике давления, содержащем корпус, квадратную плату 2 с подстроенными резисторами, квадратный полупроводниковый кристалл 3 с тензорезисторами, закрепленный в корпусе на присоединительной трубке и расположенный асимметрично относительно центра платы 2 в прямоугольном вырезе 5, выполненном в плате 2 перпендикулярно и параллельно ее сторонам, вырез 5 расположен в одном из углов платы 2 и выполнен в виде квадрата с размером сторон, определяемым по соотношению s К + h, где К - размер стороны кристалла 3, h - зазор между кристаллом 3 и платой 2 2 ил.
фиг1
Авторское свидетельство СССР № 1485051, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1991-04-15—Публикация
1989-04-25—Подача