Способ культивирования фитопатогенного гриба SертоRIа NоDоRUм Советский патент 1991 года по МПК C12N1/14 

Изобретение относится к технологии культивирования фптопатогенных грибов, в частности к производству спорового инокулюма возбудителя септориоза злаков Septoria nodcrum Berk для селекции на устойчивость к болезни.

Цель изобретения - увеличение удельного выхода спор гриба.

На фиг „ 1 изображен спектр пропускания лавсановой пленки марок 3-10(1) и Э-20(2) и разность потока излучения лампы ЛБ-80 через пленки Э-10 и Э-20 (3); на фиг. 2 - относительное пропускание пленок Э-10 и

3-20 (1) и спектральный КПД лампы типа ЛБ (2) на фиг. 3 - динамика споруляции изолята гриба на соломенном субстрате при различных условиях освещения; на фиг„ 4 - относительное спектральное распределение энергии излучения эритемной лампы Сущность способа заключается в том, что споры гриба Septoria nodorum сеют на твердую питательную среду, на которой осуществляют выращивание грибов в условиях непрерывного искусственного освещения лучистой энергией с максимумом излучения в области длин

ОЭ 4 СД tO

со

О-Ь.

31645290

волн 310-320 нм и аэрации, ё последующим сбором спор и их сушкой. Облучение грибов при выращивании осуществляют с двух противоположных сторон, ,

Установлено, что наиболее благоприятным режимом освещения грибов является облучение в области 310-320 нм.

Пример 1. Споры гриба Septo- ria nodorum, изолят В.,-4/10, засева- ю ют на соломенный субстрат и выращивают в условиях непрерывного искусственного освещения: в двух вариантах эритемными лампами ЛЭ-30 с максиму- мом излучения в области длин волн 310-15 320 нм (фиг. 4) согласно предлагаемому способу и в одном варианте лампами ЛБ-80, имеющих максимум излучения в области длин волн 360-370 нм и более 400.нм (табл. 1) по известному спосо- 20 бу. Из данных, приведенных на фиг 3, видно, что облучение грибов в период их выращивания излучением в области длин волн 310-320 нм (освещение с одной стороны) обеспечивает увеличение 25 удельного выхода спор гриба в два раза, при освещении с двух сторон - в 4- 5 раз.

Пример 2„ Аналогичный эффект может быть достигнут при исполь- JQ зовании люминесцентных ламп (ЛБ-80), имеющих максимум излучения в области длин волн 360-370 нм и более 400 нм (табл. 1), но при условии, что поток лучистой энергии от этих ламп прохосветопропускании именно в этой облас ти, так как с увеличением длины волн относительная разность светопропуска ния пленок 10 и 20 мкм резко снижает ся (фиго 2, кривая 1), а КПД лампы Л возрастает.

Пример ЗоВ табл„ 2 приведе сравнительные экспериментальные данн по выращиванию гриба S. nodorum (10 изолятов) на зерне в культиваторе и лавсановой пленки толщиной 10 мкм пр культивировании в условиях непрерывн го искусственного освещения„ Исполь вали два типа лам: ЛЭ-30 и ЛБ-80 (и вестный способ)о Установленная мощно ламп ЛЭ-30 была меньше в 3,3 раза. И данных табл. 2 видно, что достигаетс увеличение выхода спор гриба на 1-2 порядка (макс.) при облучении их лучистой энергией с максимумом излучения в области 310-320 нм (эритемные ламы ЛЭ-30) согласно предлагаемому способу по сравнению с облучением ла пами ЛБ-80 (максимум излучения в области 360-370 нм и более 400 нм).

В биологических свойствах спор (прорастаемость, морфолого-культурел ная идентичность с исходной культурой) гриба Sonodorum при облучении его лучистой энергией с длиной волны 310-320 нм отклонений не имелось.

Таким образом, освещение фитопато генного гриба S nodorum лучистой энергией с максимумом излучения в об

дит через фильтр, который обеспечивает ласти длин волн 310-320 нм в период

светопропускании именно в этой области, так как с увеличением длины волны относительная разность светопропуска- ния пленок 10 и 20 мкм резко снижается (фиго 2, кривая 1), а КПД лампы ЛБ возрастает.

Пример ЗоВ табл„ 2 приведены сравнительные экспериментальные данные по выращиванию гриба S. nodorum (10 изолятов) на зерне в культиваторе из лавсановой пленки толщиной 10 мкм при культивировании в условиях непрерывного искусственного освещения„ Использовали два типа лам: ЛЭ-30 и ЛБ-80 (известный способ)о Установленная мощност ламп ЛЭ-30 была меньше в 3,3 раза. Из данных табл. 2 видно, что достигается увеличение выхода спор гриба на 1-2 порядка (макс.) при облучении их лучистой энергией с максимумом излучения в области 310-320 нм (эритемные ламы ЛЭ-30) согласно предлагаемому способу по сравнению с облучением лампами ЛБ-80 (максимум излучения в области 360-370 нм и более 400 нм).

В биологических свойствах спор (прорастаемость, морфолого-культурель ная идентичность с исходной культурой) гриба Sonodorum при облучении его лучистой энергией с длиной волны 310-320 нм отклонений не имелось.

Таким образом, освещение фитопато- генного гриба S nodorum лучистой энергией с максимумом излучения в области длин волн 310-320 нм в период

максимум излучения в области длин волн 310-320 нм. В качестве такого фильтра (покрытие культиватора) может быть использована лавсановая пленка марки ГОГ-КЭ. При культивировании изолята гриба S. nodorum на зерне в стеклянных колбах (известный способ) и в емкости из пленки толщиной 10, 20, 50 мкм выход спор соответственно составил 300, 100 и 8Z от выхода в контроле (известный способ) при оди- . наковых прочих условиях культивирова- нил и освещении лампами ЛБ-80.

Анализ спектров пропускания пленки 10 (Э-10) и 20 (Э-20) мкм и излучения ламп ЛБ (фиг. 1 и 2) показывает, что расчетная разность потока излучения лампы, пропускаемого пленкой 10 и 20 мкм (фиг. 1, кривая 3), составляет около 8 мВт (порядка 0,01% от потребляемой лампой энергии) в диапазоне 310-320 нм. Разница в спорообразований обусловлена различием в

0

5

0

5

его культивирования на твердой питательной среде обеспечивает увеличение удельного выхода спор указанного гриба Формула изобретения

2„ Способ по По 1, отличающийся тем, что освещение осуществляют с двух противоположных сторон, а в качестве светспрозрачного материала используют лавсановую пленку.

Таблица 1 Спектр ламп типа ЛБ

750-760

Таблица 2

Спорообразование изолятов S.nodorum в культиваторе из лавсановой пленки толщиной 10 мкм в зависимости от источника света (выход в 1 Х10 спор/г субстрата)

Изоляты

В-25/МС-3

В-64

В-28/кг-1

В-26/Ср-1

В-29/ЭС-1

В-24/МС-2

В-40/У-6

В-63

В-65

D-70

0,39

Тип ламп ЛБ-90 I ЛЭ-30

400-450 450-500 300-350 400-410 450-480 200-240 450-480 95-100 45-50 550-600

Редактор А. Огар

Длина Волн и, ни

Фиг Л

Составитель Р. Андреев

Техред м.Дидык Корректор М. Шароши