Полупроводниковый модуль преимущественно электропреобразовательной техники Советский патент 1991 года по МПК H05K7/20 H01L23/34 

Описание патента на изобретение SU1647936A1

а SI

JI

а& тгтгТБ

Похожие патенты SU1647936A1

название год авторы номер документа
Модуль силовой электропреобразовательной установки 1990
  • Вейцман Леонид Юдкович
  • Лаужа Гундис Вигуртович
  • Узарс Валдис Янович
  • Феоктистов Валерий Павлович
  • Храмцов Владимир Николаевич
  • Чаусов Олег Георгиевич
SU1709432A1
Полупроводниковый модуль силовой электропреобразовательной установки 1987
  • Лаужа Гундис Вигуртович
  • Никифоров Алексей Вячеславович
  • Скольцов Алексей Борисович
  • Узарс Валдис Янович
  • Феоктистов Валерий Павлович
  • Чаусов Олег Георгиевич
  • Чуверин Юрий Юрьевич
SU1457018A1
Модуль силовой электропреобразовательной установки 1991
  • Антюхин Валентин Михайлович
  • Лаужа Гундис Вигуртович
  • Узарс Валдис Янович
  • Феоктистов Валерий Павлович
  • Чаусов Олег Георгиевич
  • Чуверин Юрий Юрьевич
SU1771007A1
Модуль 1979
  • Каяри Енн Паулович
  • Феоктистов Валерий Павлович
  • Чаусов Олег Георгиевич
SU851557A1
Модуль преобразовательной установки 1986
  • Туфляков Виктор Дмитриевич
  • Узарс Валдис Янович
  • Феоктистов Валерий Павлович
  • Чаусов Олег Георгиевич
  • Якубсон Григорий Израилевич
SU1372425A1
Преобразовательная ячейка 1981
  • Каяри Енн Паулович
  • Тарс Яак Аугустович
  • Феоктистов Валерий Павлович
  • Чаусов Олег Георгиевич
SU966795A1
Полупроводниковый блок 1990
  • Наконечный Владимир Федорович
SU1742904A1
Охладитель 1977
  • Прохоров Юрий Николаевич
  • Щелков Николай Павлович
SU682970A1
Полупроводниковый преобразователь 1990
  • Чучукин Геннадий Васильевич
SU1734138A1
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЕНТИЛЬ 2002
  • Галанов В.И.
  • Гуревич М.К.
  • Шершнев Ю.А.
  • Локотков Г.И.
  • Мордовченко Д.Д.
  • Спирин В.В.
RU2242079C2

Иллюстрации к изобретению SU 1 647 936 A1

Реферат патента 1991 года Полупроводниковый модуль преимущественно электропреобразовательной техники

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано в полупроводниковых преобразователях электроэнергии и в высоковольтной бесконтактной коммутационной аппаратуре. Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения полупроводниковых приборов - достигается за счет того, что при помощи токоотв-одов 4 и 5 полупроводниковые приборы 1 включены во внешнюю электрическую цепь и осуществляют преобразование электроэнергии, при этом ток протекает по цепочке полупроводниковых приборов 1 и охладителей 2.Выделяющееся от приборов 1 тепло перею

Формула изобретения SU 1 647 936 A1

Ј 4

to

00

о

Wnr

дается охладителем 2 дискам, затем тепловой поток распространяется по радиусу. Сквозные прорези в дисках не мешают распространению тепла, по- , скольку они не ослабляют теплопроводя- щего сечения, От поверхности дисков тепло передается по воздушному пото

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано в полупроводниковых преобразователях электроэнергии и в высоковольтной бесконтактной коммутационной аппаратуре.

Цель изобретения - повышение эф- фективности охлаждения полупроводниковых приборов.

На фиг.1 показан модуль, общий вид; на фиг.2 - охладитель;на фиг.З - то же, разрез по АОА; на фиг.4 - часть охладителя с одним отверстием в увеличенном масштабе; на фиг.З - вид Б на фиг.4; на фиг.6 - разрез В-В на фиг.4; на фиг.7 - разрезы Г-Г Д-Д и Е-Е на фиг.4; на фиг.8 - вид Ж на фиг.З.

Модуль содержит силовые полупроводниковые приборы 1 таблеточного исполнения с охладителями 2 между ними, установленные соосно в прижим- ном устройстве с направлением прижатия, показанным стрелками. Полупроводниковые приборы 1 с охладителями 2 помещены в цилиндрический кожух 3, который одновременно являет ся воздуховодом и служит для закрепления в нем охладителей 2.

Столб полупроводниковых приборов с охладителями 2 снабжен токоотвода- ми 4 и 5, а цилиндрический кожух 3 имеет фланцы 6 и 7, при помощи которых он включен в воздушный канал 8 с охлаждающим потоком. Каждый охладитель 2 выполнен из одинаковых дисков 9, диаметр которых равен диаметру полупроводниковых приборов 1 таблеточного типа. Между ними находится диск 10 из листового металла, которы по периферии закреплен в цилиндрическом кожухе 3, например, при помощи уплотнительных втулок 11 из мягкой пластмассы. В диске 10 выполнены радиальные прорези 12, в зоне которых листовой материал своими частями 13

ку, который поступает из канала 8. Параметры движения воздушного потока определяются расположением,и размерами прорезей в дисках. Для снижения аэродинамического сопротивления воздушного потока количество прорезей необходимо увеличить.8 ил.

5

0

5 0

с Q

п

5

и 14 выгнут. Это выполняется при штамповке диска 10 за одну операцию. Диски скреплены вместе сваркой или пайкой.

Модуль работает следующим образом.

При помощи токоотводов 4 и 5 полупроводниковые приборы 1 включены во внешнюю электрическую цепь и осуществляют преобразование электроэнергии. При этом ток протекает по цепочке полупроводниковых приборов 1 и охладителей 2.

Выделяющееся в полупроводниковых приборах 1 тепло передается охладителям 2, а именно, сначала дискам 9, от них - диску 10. Затем тепловой поток распространяется по радиусу. Сквозные прорези 12 не мешают распространению тепла, поскольку они не ослабляют теплопроводящего сечения.

От поверхности дисков 10 тепло передается воздушному потоку, который поступает из канала 8. В пространстве между дисками 10 воздух поступает через прорези 12, при этом создается круговое движение воздуха в каждом междисковом пространстве, что обеспечивает хороший обдув дисков 10 тангенциальным потоком. При расположении прорезей 12 по фиг.2 воздушный поток делает-2-4 оборота в каждом пространстве. При переходе воздуха в следующее пространство обеспечивается его хорошее перемешивание. Таким образом, движение воздуха осуществляется по винтовой линии с количеством оборотов (витков), равным количеству полупроводниковых приборов 1.

Параметры движения воздушного потока определяются расположением и размерами прорезей 12 в дисках 10. Для снижения аэродинамического сопротивления воздушного потока количество прорезей 12 желательно увеличить. Это легко достигается в предлагаРс

CL3f t 3

по

ш//шшш//ш///////тш.

1Z

лея

-&

°

W

Bud 6

ФагМ

5-в

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1991 года SU1647936A1

Модуль 1979
  • Каяри Енн Паулович
  • Феоктистов Валерий Павлович
  • Чаусов Олег Георгиевич
SU851557A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Резинский С.Р
и др
Конструирование силовых полупроводниковых преобразовательных агрегатов
- М.: Энергия, 1973, с.34, рис.2-4
Патент ША I 3004196,
кл
Приспособление для обрезывания караваев теста 1921
  • Павперов А.А.
SU317A1

SU 1 647 936 A1

Авторы

Лаужа Гундис Вигуртович

Лейманис Улдис Янович

Узарс Валдис Янович

Феоктистов Валерий Павлович

Храмцов Владимир Николаевич

Чаусов Олег Георгиевич

Даты

1991-05-07Публикация

1988-06-15Подача