Способ измерения шероховатости поверхности детали Советский патент 1991 года по МПК G01B11/30 

Изобретение относится к измеритель ной технике и может быть использовано, в частности, в оптических рефлексометри- ческих способах в машиностроении, оптической, электронной и других отраслях промышленности для бесконтактного экспрессного измерения среднеквадратичного отклонения микронеровностей от средней линии профиля.

Цель изобретения - повышение точности определения за счет проведения предварительных измерений на аттестованной по шероховатости поверхности и использования полученных результатов в измерениях на исследуемых деталях

На чертеже представлена принципиальная схема устройства для реализации предлагаемого способа

Устройство содержит источник 1 излучения, фотоэлектрический приемник 2. Позицией 3 обозначена исследуемая деталь.

Способосуществляют следующим образом.

На предметный столик гониометра (не показан) помещают деталь 3 с известным параметром Rq и облучают от источника 1 излучения исследуемую поверхность пучО

ел

VJ

о ел о

ком монохроматического коллимированно- го естественно поляризованного излучения под углами И, 12, значения которых находятся в диапазоне углов 40° И 12 70°. На зеркальных углах отражения, равных углам облучения, фотоэлектрически регистрируют соответствующие интенсивности 131. 1з2. Предварительно фотоэлектрически измеряют интенсивности 131обр и 32обр составляющих отраженного излучения соответственно от аттестованной по параметру Рдобр. поверхности образца, полученного аналогичным методом из того же материала, что и исследуемая деталь 3.

Определяют параметр А по формуле

1 - Мрбр

А RqSepWfc) Мо6рФ(И)

гдеВД-О

2CQS1l25ii чо.5 .

1 + cos1l25ii

)°

rTVi ( 2CQS1 25l2 л ,

ФОаМ-г г)

1+cos1-2V

5

0

что облучают исследуемую поверхность детали пучком коллимированного монохроматического излучения под углами И и 12, измеряют интенсивность 131 и )32 зеркальных составляющих отраженного излучения и определяют среднеквадратичное отклонение Rq микронеровностей от средней линии профиля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, облучение поверхности проводят естественно поляризованным излучением в диапазоне углов 40° Н la ТО ополнительно измеряют значения 131обр. и 132обр., при отражении излучения от аттестованной по параметру Rqo6p поверхности образца, изготовленного аналогичным методом из того же материала, что и исследуемая деталь, а определение среднеквадратичного отклонения микронеровностей от средней линии профиля производят из соотношения

1 Идет1

(12) - Мдет«Р(И)1/

0.8

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано, в частности, в оптических рефлектометрических способах в машиностроении, оптической, электронной и других отраслях промышленности для бесконтактного экспрессного измерения среднеквадратичного отклонения Rq микронеровностей от средней линии профиля. Цель изобретения - повышение точности определения за счет проведения предварительных измерений на аттестованной по шероховатости поверхности и использования полученных результатов в измерениях на исследуемых деталях. Облучают поверхность пучком коллимиро- ванного монохроматического естественно поляризованного излучения последовательно под двумя углами И, 2 в диапазоне 40-70 град предварительно фотоэлектрически измеряют интенсивность 131 и Э2 зеркальных составляющих отраженного излучения соответственно от аттестованной по параметру Rq поверхности, полученной аналогичным образом из того же материала, что и измеряемая деталь,и определяют параметр А по формуле А 1-M/Ra (i2)-MO(ii), где O(ik)2cos1;25ik/1+ cos ik, М-1з1обр./1з2обР Ф(12)/Ф(м)., 2,а после измерений I3i, 1з2 на исследуемых поверхностях определяют Rq по формуле Ядт{1-М/А Ф(12)-МФ(м)} 1 ил Ё

МобР

1з2обр

Ым 31 Ф(12)

7Гяет-тз2Среднеквадратичное отклонение Rq микронеровностей от средней линии профиля определяют по формуле

1 м10-8

1 - Мдет

НЯ - (12) - МДвтФ(Н)

Формула изобретения Способ измерения шероховатости поверхности детали, заключающийся в том.

25

где,

0

А 1 - Мрбр

КЙбрРВД МобРФ(М) М 31 (l2) , м „ з1о6р Ф(12)

ет 132 Д) Mo6p-TaW-ад

м., , 2cos1|25ii л Ф(Н)-(-:гиг)

1 -f cos

1,25,

35

25h

«CWKT ril-) 1 -f-COS l2