СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Советский патент 1964 года по МПК H01L21/27 

Способ фотогравировки па полупроводниках известеп. Он заключается в нанесении фоточувствительного слоя па поверхность полупроводника, экспонировапии его через трафарет с заданным рисунком и -последующем проявлении рисунка.

В полиграфической промышленности известен циклокаучук как составная часть типографских красок. Использование циклокаучука для получения глубоких рельефов на поверхности полупроводника неизвестно и не описано в патентной и технической литературе.

Предлагаемый фоточувствительный материал позволяет получать глубокий (более 0,1 мм) рельеф па поверхности полупроводника.

Для получения глубоких рельефов приготовляют 10%-ный раствор циклокаучука в бензине, который наносится на поверхность полупроводника па центрифуге (толщина слоя 1 мк).

После десятимипутной подсушки в термостате при 60°С на поверхность полупроводника, покрытую слоем циклокаучука, через кварцевый трафарет экспонируют рисунок. Проявляют его в холодном бензине, задубливают облучением под ультрафиолетовой лампой ПРК-4 в течение 15 мин. Глубокий рельеф вытравливают в смеси плавиковой и азотной кислот в соотношении 1 :4. Задублеппый циклокаучук, после вытравливания рельефа, снимают растворителем Р-4.

Фотогравировка с помощью циклокаучука может найти применение пе только в полупроводниковой промышленности, но и в других областях техники (полиграфии точной механике и т. д.).

Предмет изобретения

Способ получения рельефов па поверхности полупроводника путем фотогравировки, состоящий в нанесении фоточувствительпого слоя на поверхность полупроводпика,, экспонировании его через трафарет с заданным рисунком и последующем проявлении рисупка, отличающийся тем, что, с целью получения глубокого рельефа, в качестве фоточувствительного кислотозащитного материала используют полимерный материал - циклокаучук.