НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ Советский патент 1972 года по МПК G03C1/68 

Изобретение относится к светочувствительным материалам, используемым в фотолитографских (Процессах для создания защитного рисунка на поверхности металлических, полупроводниковых и изоляционных материалов.

Фотолитографические процессы широко используются в электронной промышленности для создания полупроводниковых приборов, тонкопленочных и твердых схем, изготовления фотошаблонов, сеток и других изделий.

Известен фоторезист на основе ненасыщенных полимеров, например циклокаучука, светочувствительной добавки - бисазида и растворителя.

Однако такой фоторезист имеет относительно невысокую разрешающую способность.

Цель изобретения - получение негативного фоторезиста высокой разрешающей способности.

Для этого вводят чувствительную добавку- бензантрон или его производные и растворитель. Добавка введена в количестве 5-10% от веса полимера.

Пример. Приготовление фоторезиста. Иа технических весах взвешивают 10 г циклокаучука и помещают в склянку из оранжевого стекла. Каучук заливают 100 мл толуола. В течение суток происходит растворение каучука. На аналитических весах взвешивают 0,7 г 1,9-бензантрона и добавляют в раствор каучука. Бензантрон растворяют при перемешивании в течение 10-15 мин. Полученный раствор фильтруют через бумажный фильтр. Приготовленный фоторезист хранят в затемненном месте.

Применение фоторезиста. На обезжиренные образцы хрома, напыленного на стекло, наносят на центрифуге при 800 об/мин слой фоторезиста толщиной 0,3-0,4 мк. Покрытие высушивают в термостате при температуре 70°С в течение 10 Л1ин. Экспонирование фотослоя производят через фотошаблон под ультрафиолетовой лампой ПРК-2 при освещении 25000 люкс но люксометру

в течение мин.

Изображение проявляют погружением в уайт-снирит на 2 мин и промывают струей водопроводной воды. После сушки струей горячего воздуха, качество изображения контролируют с помощью микроскопа МИИ-4. Получены изображения фотошаблона, имеющего элементы размером 5,0; 3,0 и 1,5 мк, а также копия штриховой миры № 1 с минимальной шириной линий 2,5 мк. Изображения на слое

фоторезиста полностью соответствуют рисунку фотошаблона и имеют четкий и ровный край линий. 3 , ленный рельеф на хроме полностью соответствует характеру рисунка на слое фоторезиста. Поедмет изобретения х редме изооретения 1. Негативный фоторезист на основе иена-5 сыщенного полимера, например циклокаучука, светочувствительной добавки и раствори4теля, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности фоторезиста, качестве светочувствительной добавки применено соединение типа бензантрона. 2. Фоторезист по п. 1, отличаюш ийся тем, что светочувствительная добавка введена в количестве 5-10% от веса полимера.