Способ изготовления регистрирующей среды на основе халькогенидного стекла Советский патент 1980 года по МПК G11C11/34 H01L21/00 

Изобретение относится к регистрирующим средс1М для использования их в системах оптической записи информации. Оно может быть использовано голографической записи, как элемент памяти в системах оптической обработки, а также в других областях современной оптоэлектроники. Известны способы получения регист рирующих сред-полупроводниковых мате риалов путем их нанесения на подложку в вакууме fl. Ближайшим известным техническим решением является способ изготовления регистрирующей среды на основе халькогенидного стекла путем нанесения слоя халькогенидного стекла на подложку напылением в вакууме 2, При напылении, в данно;.-. случае материала Ae.Sj , получается регист рирующий слой, при засветке которог (необходимо освещение светом с А. 500 нм, н.п. аргоновым лазером) произойдет негативная запись, т. е. засвеченные участки потемнеют, что соответствует сдвигу края пропускан VB длинноволновую область спектра. Недостаток такой записи состоит в том, что по мере записи слой темнеет и соответственно уменьшается е пропускание Т в местах попадания света, т. е. толщина слоя, где происходят индуцированные светом изменения коэффициента поглощения Л , а также показателя преломления n сильно ограничивается в процессе записи самопоглощением слоя. С другой стороны, при считывании слой будет засвечиваться и в силу неизменной чувствительности контраст записи будет быс-тро падать, практически до нуля. Целью изобретения является возможность получения позитивной записи. Для достижения цели напыление производится при температуре 600-800 С. В предложенном способе инициирующую роль в процессе фотозаписи играют электронно-дырочные процессы с участием локализованных состояний в запрещенной зоне халькогенидного стекла. В результате определенных изменений связей происходит изменение «t и И стекла. Учитывая приготовление слоя в описываемом случае форсированным режимом напыления при высокой температуре, можно предположить связь начальной конфигурации связей, равновесного состояния электронов и дырок с характером записи и величиной изменений и n .

Как показали опыты, для стекла AujS оптимальные температуры Hcnsipeния, при которых реализуется позитивная запись на получаемых слоях, находятся в пределах 600-800°С, что в два раза превышает обычно npHwejin:емые температуры-400 С, при которых получаются слои с негативной чуЕ1Ствительностью.

Край поглощения позитивных слоев сдвинут в длинноволновую область по сравнению с негативными на величину 0,8 мкм, что обеспечивает некоторую чувствительность на ,633 мкм уже при комнатных температурах при подогреве такого слоя чувствительност на этой длине волны резко возрастает и появляется возможность позитивной записи.

На чертеже показана схема квазиэамкнутого испарителя, позволяющего производить напыление -при повышенных температурах без заметного разбрызгивания вещества.

Он состоит из трубки 1, свернутой из танталовой фольги со щелевым зазором между витками, кварцевого теплоизолирующего стержня 2, зажимной муфты 3 и конуса 4, а также медного токоввода 5.

Формула изобретения

Способ изготовления регистрирукяцей среды на основе халькогенидного стекла, путем нанесения слоя халькогенидного стекла на подложку напылением в вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения позитивной записи, напыление осуществляют при температуре бОО-ЗОО С.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме, М., Госэнергоиздат, 1963, с. 561.

2,Регистрирукхцие среды для голографии, под ред. Кириллова Н.И., Барачевского В.А., Л., Наука, 1975, с. 145-147 (прототип).