Способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем Советский патент 1991 года по МПК H01L21/58 

Ё

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2, 7 мкм, а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм. Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450 - 750°С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из эвтектики магний-алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.

Цель изобретения - повышение надежности соединения.

Сущность изобретения заключается-в том, что на соединяемые поверхности кристалла и кристаллодержателя наносят слои металла: на кристалл - магний, на кристаллодержатель - алюминий, между ними размещают припойную прокладку из алюминий-магниевого сплава электрического состава, нагревают детали до 450- 750°С, при которой образуется жидкая прослойка, выдерживают и охлаждают до. формирования паяного шва. . Л р и м е р. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм, а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1.75 мкм. Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750°С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают до заданной температуры. С помощью пинцета наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из эвтектики магний - алюминий площадью 0,16 мм2, а затем присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде.

Применение данного способа позволяет повысить устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям.

Формула изобретения

Способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем, включающий нанесение слоев металла на соединяО

2

N0 Ю СО

емые поверхности кристалла и кристалле-надежности соединения, в качестве металдержателя, размещение между ними при-ла, наносимого на поверхность кристалла,

пойной прокладки эвтектического состава,используют магний, а на поверхность кринагрев до образования из прокладки жид-сталлодержателя - алюминий, используют

кой прослойки, выдержку и охлаждения до5 прокладку из алюминий-магниевого сплава,

формирования паяного шва, отличаю-а температуру нагрева выбирают равной

щ и и с я тем, что, с целью повышения450-750°С.