СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К СТОКОВОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА Российский патент 2014 года по МПК H01L21/58 

Описание патента на изобретение RU2534439C2

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Известен способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержетелем [1]. Сущность изобретения заключается в том, что на соединяемые поверхности кристалла и кристаллодержателя наносят слои металла: на кристалл - магний, на основание - алюминий, между ними размещают припойную прокладку из алюминий-магниевого сплава электрического состава, нагревают детали до 450-750°С, при которой образуется жидкая прослойка, выдерживают и охлаждают до формирования паяного соединения.

Недостатком способа является сложная технология, высокие температуры, низкая производительность процесса.

Известен способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем [2]. Сущность способа заключается в напылении на обратную сторону пластин слоя металлов хром-никель (Cr-Ni), между поверхностями кристалла и основания размещают припойную прокладку оловянно-свинцовую, нагревают детали до формирования паяного соединения.

Недостатком способа является ненадежность контактного соединения.

Целью изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.

Сущность способа заключается в том, что на обратную сторону кремниевой пластины наносят последовательно в едином технологическом цикле два металла: хром-германий. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 250-280°С в течение 2-3 с. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с кристаллодержателем, равномерное распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.

Качество посадки контролируется методом отрыва с определенным усилием и визуально под микроскопом. При проведении контроля посадки кристалла с двухслойной металлизацией кристалл не отрывается от основания корпуса при приложении соответствующего усилия, а при приложении большего усилия разламывается сам кремний. Это объясняет то, что посадка кристалла качественная. При визуальном контроле под микроскопом со всех сторон кристалла по периметру проступает припой на 0,3-1,0 мм от края, что показывает удовлетворительное распределение припоя по всей площади кристалла. Кроме того, контроль площади распределения припоя по основанию кристалла с помощью рентгеновского микроскопа показал равномерное распределение припойного слоя по площади кристалла без пор, что улучшает тепловые свойства прибора.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят в установке вакуумного напыления, в которой размещены полупроводниковые пластины. Задают режимы напыления металлов: хром-германий. Процесс проводят в едином технологическом цикле, на поверхности полупроводника формируется тонкая металлическая пленка. Процент выхода годных на операции «Посадка кристалла» составляет 96-98%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Задают режимы напыления металлов: хром-германий. Процент выхода годных на операции «Посадка кристалла» составляет 99-100%.

Использование данного способа позволяет повысить надежность контакта кристалла с кристаллодержателем при проведении процесса напыления слоя металлов: хром-германий в едином технологическом цикле.

ЛИТЕРАТУРА

1. АС СССР №1674293, Н01L 21/58, 30.08.91.

2. Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974, с.318-321.

Похожие патенты RU2534439C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО СЛОЯ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ 2007
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2343586C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К КОЛЛЕКТОРНОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Захарова Патима Расуловна
  • Литовченко Мария Николаевна
RU2534449C2
СПОСОБ ПОСАДКИ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВАНИЕ КОРПУСА 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2375787C2
СПОСОБ ПОСАДКИ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2359360C1
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 1999
  • Шахмаева А.Р.
  • Исмаилов Т.А.
  • Саркаров Т.Э.
  • Гаджиев Х.М.
RU2173913C2
СПОСОБ ПОСАДКИ КРИСТАЛЛА ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) 2020
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Казалиева Эльмира
RU2786366C2
СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛА КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 2023
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Казалиева Эльмира
RU2815323C1
СПОСОБ ПОСАДКИ КРИСТАЛЛА НА ОСНОВАНИЕ КОРПУСА 2021
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Казалиева Эльмира
RU2792837C2
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2021
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Казалиева Эльмира
RU2798772C2
Ленточный композиционный припой на основе сплава золота и способ его получения 2019
  • Томилин Николай Алексеевич
  • Серегин Вячеслав Сергеевич
  • Пилавова Лариса Владимировна
RU2734609C1

Реферат патента 2014 года СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К СТОКОВОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора на посадочную поверхность кристалла напыляют последовательно в едином технологическом цикле два металла: титан-германий. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 250-280°С в течение 2-3 секунд. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с основанием корпуса, 100% распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.

Формула изобретения RU 2 534 439 C2

Способ присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металла и пайку кристалла к кристаллодержателю, отличающийся тем, что проводят последовательное напыление двух металлов хром-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при 250-280°С.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2014 года RU2534439C2

СПОСОБ ПОСАДКИ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВАНИЕ КОРПУСА 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2375787C2
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 1999
  • Шахмаева А.Р.
  • Исмаилов Т.А.
  • Саркаров Т.Э.
  • Гаджиев Х.М.
RU2173913C2
Способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем 1988
  • Суворов Владимир Александрович
SU1674293A1
US 4480261 A, 30.10.1984
Станок для изготовления деревянных ниточных катушек из цилиндрических, снабженных осевым отверстием, заготовок 1923
  • Григорьев П.Н.
SU2008A1
Машина для разделения сыпучих материалов и размещения их в приемники 0
  • Печеркин Е.Ф.
SU82A1
Устройство для поддержания постоянного уровня глубины модуляции телевизионных передатчиков 1960
  • Глушкин Б.Е.
SU142692A1

RU 2 534 439 C2

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Шахмаева Айшат Расуловна

Захарова Патимат Расуловна

Даты

2014-11-27Публикация

2013-01-09Подача