УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОДЛОЖКУ Советский патент 1995 года по МПК G03F7/16 G03C1/74 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на операциях фотолитографии при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Целью изобретения является расширение эксплуатационных возможностей устройства за счет его использования для нанесения пленочного покрытия на подложки любой формы при исключении затекания исходного раствора на обратную сторону.

На фиг.1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 конструкция столика.

Устройство содержит столик 1, установленный на валу центрифуги 2, муфту 3, образующую кольцевую полость 4 со столиком 1, соединенную отверстиями 5 с полостью 6, и защитный кожух 7. Полость 6 (фиг.2) соединена с кольцевым углублением 8, выполненным по форме и размеру подложки 9, равномерно расположенными отверстиями в дне углубления 8. Между столиком 1 и подложкой 9 образована полость 10, которая через отверстие в вале центрифуги 2 и кольцевую полость 11 (фиг.1) соединяется с вакуумным присосом для фиксации подложки 9, края которой и поверхность столика 1 образуют между собой щелевой зазор 12, что обеспечивается различной высотой h' и h'' стенок кольцевого углубления. Вал центрифуги 2 приводится во вращение приводом 13. Над столиком 1 размещен дозатор 14.

Устройство работает следующим образом.

На столик 1 устанавливается подложка 9 и фиксируется вакуумным присосом путем соединения полости 10 через центральное отверстие вала центрифуги 2 кольцевую полость 11 и отверстие в корпусе центрифуги. Затем включается наддув подачей сжатого воздуха или иного газа, например азота, в кольцевое углубление 8 через отверстие в муфте 3, кольцевую полость 4, отверстия 5,полость 6. Для обеспечения надежной работы устройства необходимо иметь достаточно малое остаточное давление в вакуумной магистрали, не превышающее 0,2 0,5 Па (150-375 мм рт.ст.) и возможно большую площадь присоса подложки, т.е. площадь полости 10. Оптимальное давление сжатого газа подбирается экспериментально и должно быть в пределах определяемых по формуле:
P (0,1-0,8) где Р_вак остаточное давление в вакуумной магистрали, Па;
S_пр площадь подложки в зоне присоса, м²;
S_под площадь подложки в зоне поддува, м².

При соблюдении приведенного соотношения усилие отрыва подложки под действием сжатого газа, поступающего в канавку, будет гарантированно меньше усилия присоса и составит 0,1-0,8 величины усилия присоса.

Поступающий через отверстия в кольцевой углубление 8 газ равномерно распределяется вдоль всего периметра подложки и выходит через щелевой зазор 12 во внешнюю среду. Благодаря этому по контуру подложки создается сообщающаяся с внешней средой газовая подушка, препятствующая перетеканию фоторезиста.

Затем из дозатора 14 в центр подложки наносится порция фоторезиста и включается привод 13. Через заданное время центрифуга выключается и после остановки стола и отключения вакуума подложка 9 с нанесенным фоторезистивным покрытием всплывает над столом на воздушной подушке, что облегчает ее снятие. Далее выключают поддув и устройство готово к следующему циклу работы.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на операциях фотолитографии при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения расширение эксплуатационных характеристик устройства. Цель достигается выполнением в столике центрифуги кольцевого углубления по форме и размерам подложки, соединенного с магистралью сжатого газа. При этом высота внутренней стенки больше высоты наружной стенки углубления на величину 0,01-0,2 мм. Разница в высоте обеспечивает зазор между нижней кромкой подложки и поверхностью столика, что позволяет избежать затекания фоторезиста на обратную сторону как круглой, так и прямоугольной формы подложки. 2 ил.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОДЛОЖКУ, содержащее столик для размещения и фиксации подложки, кинематически связанный с приводом вращения, магистраль для подачи сжатого газа на подложку со стороны столика и дозатор для подачи исходного материала покрытия, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей устройства, в столике выполнено кольцевое углубление, соответствующее форме и размеру подложки, соединенное с магистралью для подачи сжатого газа, причем высота h′ его внутренней стенки и высота h″ его внешней стенки связаны соотношением
h′-h″= 0,01-0,2 мм.