СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ Советский патент 1965 года по МПК G11C11/44 

Описываемое изобретение относится к способам записи и считывания информации в запоминающем устройстве типа Z на сверхпроводящих элементах памяти с захваченным потоком, работающих в адиабатическом режиме.

Двоичную информацию представляют в виде близкого к нулю тока сверхпроводимости в элементе памяти или сверхпроводящего тока отрицательного иаправления.

Сущность оцисываелюго способа заключается в следующем.

При записи информации в выбранную числовую линейку запоминающего устройства подают стирающий илшульс тока положительной полярности.

Амплитуда импульса тока достаточна для разрущения состояния сверхпроводимости всех элементов памяти выбранной числовой линейки.

Режим работы еверхпроводящнх элементов памяти близок к адиабатическому. Поэтому после окончания стирающего импульса тока во всех элемент.ах памяти числовой линейки ток сверхпроводи.мости равен или близок нулю, что соответствует записи «единицы в этих элементах памяти.

При записи «нуля, кроме нодачи в выбранную числовую лннейку стирающего импульса тока, подают в разрядные щины тех элементов памяти, в которых ну/зчно записать «нуль.

импульсы тока записи «нуля положительной полярности и длительностью, большей длительности стирающего импульса тока. Амплитуда тока записи «нуля равна величине отрицательного тока сверхпроводимости, используемого для представления состояния «нуля.

Поэтому после окончания тока записи «нуля в элементах памяти, в которых нужио записать «нуль, будет циркулировать сверхпроводящий ток отрицательного направления.

Считывание информации осуществляют подачей в выбранную числовую линейку положительиого импульса тока. Амплитуда этого тока должна быть достаточна для установлеиия нормального состояния сверхпроводимости тех элементов памяти, в которых хранится «единица, и недостаточна для изменения сверхпроводящего состояния тех элементов, в которых хранится «нуль в виде отрицательного тока.

Так как режи.м работы элементов памяти адиабатически, информация при считывании не разрушается.

Описываемый способ записи и считывания информации позволяет повысить адежность работы запоминаюндих устройств на сверхпроводниковых элеме тах памяти, с захвачен ;ым потоком, например на ячейках Крау или

Предмет изобретения

Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве типа Z на сверхпроводящих элементах с захваченным потоком, работаюн их в адиабатическом режиме, с представлением «единицы в виде близкого к нулю тока сверхпроводимости, а «нуля - в виде отрицательного тока сверхпроводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности указанного запоминающего устройства и считывания информации без ее разрушения, запись информации призводят подачей в выбранную числовую линейку стирающего импульса тока положительной полярности, разрущающего состояние сверхпроводимости всех элементов памяти выбранной числовой линейки, и подачей в разрядные щины тех элементов памяти, в которых нужно записать «нуль, импульса тока записи «нуля положительной полярности с длительностью, большей длительности стирающего импульса тока, и амплитудой, равной величине упомянутого отрицательного тока сверхпроводимости, а считывание информации осуществляют путем цодачи в выбранную числовую линейку импульса тока положительной полярности, устанавливающего нормальное состояние проводимости элементов памяти, хранящих «единицу, и нбизменяющего сверхпроводящее

состояние элементов памяти, хранящих «нуль.