Известны способы получения диодных структур с большой плотностью диодов в единице объема.
Предлагаемый способ получения диодных матричных и полосовых структур отличается тем, что для получения диодных структур непосредственно из пластины германия электролитическим прорезанием образуют лунки в п-слое исходной пластины диффузионного л-р-п-германия, затем осаждают металл, наносят изолирующий рисунок шин и травлением формируют матричную диодную структуру, в которой холостые перекрестия шин заполнены квазиизолируюш,ими столбиками л-р-я-германия.
Суш,ность способа заключается в следуюшем. Исходную пластину германия подвергают двусторонней диффузии из пара Sb в атмосфере водорода при температуре 850°С. После этого в полученной д-р-«-структуре электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением п-слоя в соответствующих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65-90 мм.
Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин 0,8-0,9 мм. Незащищенный металл снимают анодным растворением в Ю /о-ной серной кислоте при плотности тока ,1-0,15 а/см до обнажения германия. После этого полистирол смывают Б толуоле, а пластину помеш,ают на химическое растворение германия в кипящий ЗОо/о-ный раствор с добавкой
NaOH и травят до тех пор, пока германий не останется лишь в виде столбиков на холостых перекрестиях шин. Контроль процесса - визуальный. Таким образом, получается миниатюрная
диодная матрица, представляющая собой две взаимно перпендикулярные системы параллельных шин, в узлах которых расположены диоды, а холостые перекрестия заполнены квазиизолирующими столбиками л-р-л-германия. Плотность расположения диодов в матрице составляет 250-300 диодов в куб. см. Полосовую структуру получают разрезанием матриц.
25
Предмет изобретения 34
ственно из пластины германия, электролити-щий рисунок шин и травлением формируют
ческим прорезанием образуют лунки в «-слоематричную диодную структуру, в которой хоисходной пластины диффузионного п-р-п-гер-лостые перекрестия шин заполнены квазиизомания, осаждают металл, наносят изолирую-лирующими столбиками «-р-п-германия.
168329 
