СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДИОДНЫХ МАТРИЧНЫХ И полосовых СТРУКТУР Советский патент 1965 года по МПК G11C11/40 G11C11/34 

Известен способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур с большой плотностью диодов в единице объема непосредственно из пластин путем электролитического прорезания лунок в л-слое исходной пластины германия п-р-п-структуры, осаждения металла, нанесения изолирующего рисунка шин и травления формируемой матричной структуры, пока германий не останется лишь в виде столбиков на перекрестиях шин.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что слой исходной /г-/ -л-пластины германия снимают электрохимической полировкой, а холостые перекрестия шин получают полным удалением германия при травлении.

Это позволяет упростить технологию изготовления диодных матриц (полос) и повысить изолирующие свойства холостых перекрестий шин матриц.

Сущность способа заключается в следующем.

Исходный материал - пластины германия- подвергают двусторонней диффузии паром Sb в атмосфере водорода при 850°С. Один из п слоев полученной п-р-п-структуры снимают электрохимической полировкой или шлифовкой абразивным порошком. Затем производят

двустороннюю разметку пластин электролитическим прорезанием в них взаимно перпендикулярных борозд глубиной 0,05 мм шириной 0,1-0,15 мм и с шагом 1,4 мм, с последующей

шлифовкой поверхностей пластин в отмученном абразивном порошке. Далее электрохимическим путем осаждают на пластины металл, например медь, с толщиной покрытия 50 ж/с, наносят полистироловый рисунок взаимно перпендикулярных шин с утолщениями, соответствующими расположению будущих диодов, снимают путем химического растворения металл с незащищенных полистиролом участков пластин и, наконец, вытравливают германий

электрохимическим растворением в Юо/о-ном растворе NaOH при плотности тока У 0,2 - 0,4 а/сл12 до тех пор, пока р-/г-столбики германия останутся лишь на перекрестиях, где имеются утолщения.

Таким образом, получается микроэлектронная диодная матрица, представляющая собой две взаимно перпендикулярные системы параллельных шин, в утолщениях которых расположены диоды. 34

Предмет изобретениясистемы, отличающийся тем, что, с целью упСпособ получения микроэлектронных диод-матриц и полос и повышения изолирующих ных матричных и полосовых структур, с раз-свойств холостых перекрестий шин матриц, меткой д-р-п-структуры исходной пластины5 слой п-исходной п-р-п-пластины снимают элегермания под ряды диодов и шин осаждениемктрохимической полировкой, а холостые переметалла, нанесением изолирующего рисункакрестия шин получают полным удалением шин и травлением формируемой матричнойгермания при травлении.

168519 рощения технологии изготовления диодных