Известные сернисто-серебряные вентильные фотоэлементы, в которых в сплав сера - серебро добавлен третий компонент - сурьма в количестве 3%, обладают низкой чувствительностью. Предлагаемый вентильный фотоэлемент отличается более высокой чувствительностью в ультрафиолетовой части спектра и, кроме того, наличием двух максимумов спектральной чувствительности.10 Основу фотоэлемента составляет соединение AgaTe (р-фаза, гессит) с избытком серебра (37,6 ат. %) в виде второй фазы, легироBaHjforo сурьмой (9,25 ат. %). Устройство фотоэлемента схематически по- 15 казано на чертеже. На металлическую подложку / нанесена основа фотоэлемента 2 - соединение с избытком серебра. Это соединение легировано сурьмой, входящей в виде твердого раст- 20 вора как в серебро, так и в гессит. Полупроводниковый слой 3 п-типа состоит из AgaS с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы, т. е.: AgaS + S + Те + Sb.25 Полупроводниковый слой 4 р-типа состоит из пленки сурьмы толщиной 200-250 А. Поверх этого слоя нанесено контактное кольцо 5. Чистого теллура в сплаве нет. Он входит в сплав в виде соединения в его низко- 30 5 температурной модификации (гессит. или p-AgaTe). Оставшееся свободное серебро остается в сплаве в виде второй фазы. Сурьма входит в виде твердого раствора как в серебро, так и в гессит. Благодаря это.му атомы сурьмы при процессе сернения диффундируют в полупроводниковый слой, оставаясь в нем в виде примеси. Слой содержит избыток серы. Кроме того, в виде примеси присутствуют диффундирующие из основы теллур и сурьма. Наличие у предложенного фотоэлемента двух спектральных максимумов, находящихся в области: 1) 250-270 ммк (дальний ультрафиолет) и 2) 750-800 ммк ( инфракрасная область), говорит о том, что этот фотоэлемент может быть одновременно использован в двух фотоэлектрических схемах. Кроме того, наличие двух максимумов увеличивает интегральную чувствительность и расширяет спектральную характеристику фотоэлемента. Предмет изобретения Вентильный фотоэлемент на основе сернистого серебра с примесями сурьмы и теллура, чувствительный в ультрафиолетовой области, отличающийся тем, что, с целью получения спектральной характеристики чувствительности с двумя максимумами (в ультрафиолете н в ближней инфракрасной областн), его фоточувствптельная площадка состоит из трех слоев:
слой гессита {(З-фаза) с избытком серебра, легированный сурьмой;
полупроводниковый слой сернистого серебра с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы;
слой, представляющий собой напыленную тонкую пленку сурьмы.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ ДЛЯ УФ ДИАПАЗОНА | 2014 |
|
RU2572392C1 |
НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ОПТИЧЕСКОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 1999 |
|
RU2151432C1 |
ФОТОКАТОДНЫЙ УЗЕЛ | 2014 |
|
RU2574214C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaAs | 2013 |
|
RU2547004C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ СВЕТА В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ЭНЕРГИЮ | 2000 |
|
RU2170994C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ | 2008 |
|
RU2377698C1 |
СПЛАВ НА ОСНОВЕ СВИНЦА И СООТВЕТСТВУЮЩИЕ СПОСОБЫ И ПРОДУКТЫ | 2017 |
|
RU2699245C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 1992 |
|
RU2034372C1 |
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК С ГРАДИЕНТНЫМ ПРОФИЛЕМ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2010 |
|
RU2432640C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaInAsSb | 2023 |
|
RU2805140C1 |
ш.
5зз: г-яг5 5 ;-л х::я
Авторы
Даты
1965-01-01—Публикация