Двухтактный усилитель мощности Советский патент 1991 года по МПК H03F3/26 

Описание патента на изобретение SU1684909A1

Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для использования во вторичных источниках питания, преобразователях, усилителях.

Цель изобретения - повышение выходной мощности.

На чертеже представлена электрическая принципиальная схема двухтактного усилителя мощности.

Двухтактный усилитель мощности содержит первый транзистор 1 п-р-п-структу- ры, второй транзистор 2 п-р-п-структуры, первый транзистор 3 p-n-p-структуры, второй транзистор 4 p-n-p-структуры, первый- четвертый источники 5-8 питания, первый и второй развязывающие диоды 9 и 10, пятый низковольтный источник 11 питания, первый резистор 12, первый дополнительный диод 13, второй резистор 14, второй дополнительный диод 15.

Двухтактный усилитель мощности работает следующим образом.

Рассмотрим работу первой плеча схемы.

При подаче сигнала на базу первого транзистора 1 он начинает открырэтьгч в нагрузку по цепи плюс первого источника питания 5 - первый развязывающий диод 9 - первый транзистор 1 протекает гок Как только напряжение на коллекторе первого транзистора 1 достигает величины, при которой начинает открываться второй транзистор 2, т.е. появляется ток базы второю транзистора 2 по цепи пятый низкопольтО 00 N О О О

ный источник 11 - первый резистор 12 - первый дополнительный диод 13 - переход база-эмиттер второго транзистора 2 - первый транзистор 1, первый диод 9 закрывается, ток в нагрузку поступает по цепи второй источник 5 - транзисторы 1 и 2. При дальнейшем возрастании тока базы первого транзистора 1 второй транзистор 2 входит в насыщение, затем входит в насыщение первый транзистор 1.

Второе плечо усилителя работает аналогично.

Таким образом, введение последовательно включенных дополнительных диодов 13 и 15, резисторов 12 и 14 в базы транзисторов 2 и 4 и пятого низковольтного источника 11 позволяет подавать управление только на две базы n-p-п- и р-п-р-транзисто- ров 1 и 3. уменьшает необходимый входной сигнал, при этом происходит более полное насыщение всех транзисторов, величина напряжения источников питания определяется только максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер транзисторов, что позволяет увеличить напряжение каждого источника, при этом выходная мощность возрастает.

Кроме того, появляется возможность набирать каждое плечо из неограниченного количества транзисторов, источников питания и развязывающих диодов, что увеличивает КПД и выходную мощность.

Формула изобретения Двухтактный усилитель мощности, содержащий в первом плече первый транзистор, включенный по схеме с общим коллектором n-p-n-структуры, коллектор которого соединен с катодом первого развязывающего диода, анод которого является входом для подключения положительной шины первого источника питания и отрицательной шины второго источника питания, и с эмиттером второго транзистора, включенного по схеме с общим коллектором, п-р-п- структуры, коллектор которого является входом для подключения положительной шины второго источник л -тания, а во втором плече - первый тра . истор, включенный по схеме с общим коллектором, p-n-p-структуры, коллектор которого соединен с анодом второго развязывающего диода, катод которого является входом для

подключения отрицательной шины третьего источника питания и положительной шины четвертого источника питания, и с эмиттером второго транзистора, включенного по схеме общим коллектором, р-п-р-структуры,

коллектор которого является входом для подключения отрицательной шины четвертого источника питания, а также пятый низковольтный источник питания, выполненный со средней точкой, при этом средняя точка подключена к точке соединения эмиттеров первых транзисторов и к одному выводу нагрузки, другой вывод которой является входом для подключения отрицательной шины первого источника питания,

положительной шины второго источника питания и общей шины, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности, введены первая цепь из последовательно соединенных первого резистора и

первого дополнительного диода и вторая цепь из последовательно соединенных второго резистора и второго дополнительного диода, при этом катод первого дополнительного диода соединен с базой второго транзистора первого плеча, а соответствующий вывод первого резистора является входом для подключения положительной шины пятого низковольтного источинка питания, анод второго дополнительного диода соединен с базой второго транзистора второго плеча, а соответствующий вывод второго резистора является входом для подключения отрицательной шины пятого низковольтного источника питания.

Похожие патенты SU1684909A1

название год авторы номер документа
УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ 1990
  • Галамага Василий Николаевич
  • Соловьев Евгений Филиппович
RU1748611C
Двухтактный усилитель 1986
  • Ногин Василий Николаевич
  • Догадин Николай Борисович
SU1408521A1
Усилитель 1988
  • Грошев Владимир Яковлевич
SU1720146A1
МОЩНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 1991
  • Белугин А.А.
  • Гарбуз Б.А.
  • Опалев В.Л.
RU2017322C1
Усилитель 1991
  • Сырицо Александр Петрович
SU1818678A1
Двухтактный усилитель мощности 1986
  • Тарасов Эдуард Павлович
  • Никифоров Юрий Александрович
  • Костюченкова Елена Николаевна
SU1350817A1
Стабилизированный преобразователь переменного напряжения в постоянное 1986
  • Васильев Павел Иванович
  • Дыцков Михаил Григорьевич
SU1403299A1
Усилитель 1988
  • Грошев Владимир Яковлевич
SU1656669A1
Усилитель 1988
  • Грошев Владимир Яковлевич
SU1580527A1
НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ИСТОЧНИК ЭТАЛОННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 1992
  • Киселев В.В.
RU2006063C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 684 909 A1

Реферат патента 1991 года Двухтактный усилитель мощности

Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для использования во вторичных источниках питания, преобразователях, усилителях. Цель изобретения - повышение выходной мощности. Двухтактный усилитель мощности содержит первый транзистор 1 n-p-n-структуры, второй транзистор 2 n-p-n-структуры, первый транзистор 3 p-n-p-структуры, второй транзистор 4 p-n-p-структуры, четыре источника питания 5, 6, 7, 8, два развязывающих диода 9, 10, пятый низковольтный источник питания 11. Введение диодов 13, 15, резисторов 12, 14с соответствующими связями и источника 11 позволяет подавать управление только на две базы транзисторов 1, 3, уменьшает необходимый входной сигнал, происходит более полное насыщение всех транзисторов, величина напряжения источников питания определяется только максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттрр транзисторов, что позвоялет увеличить напряжение каждого источника, при этом выходная мощность возрастает. Появляется возможность набирать каждое плечо из неограниченного количества транзисторов, источников питания и развязывлющих дио дов, что увеличивает КПД и выходную мощность. 1 ил. СЛ С

Формула изобретения SU 1 684 909 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1991 года SU1684909A1

Патент США № 4115742, кл
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

SU 1 684 909 A1

Авторы

Ларин Петр Петрович

Даты

1991-10-15Публикация

1989-01-09Подача