Способ неразрушающего контроля намагниченности насыщения магнитных пленок Советский патент 1991 года по МПК G01R33/05 

Изобретение относится к технике измерения магнитных параметров материалов и может быть использовано для неразрушающего локального экспресс-контроля намагниченности насыщения пленок с осью легкого намагничивания (ОЛН), расположенной в плоскости пленки

Целью изобретения является повышение точности измерений.

Поставленная цель достигается тем, что в способе, заключающемся в намагничивании пленки постоянным магнитным полем в нормальном к ее плоскости направлении, дополнительном воздействии переменным магнитным полем с амплитудой, меньшей намагниченности насыщения материала пленки, и определении намагниченности насыщения в момент равенства нулю регистрируемой переменной составляющей сигнала, пропорционального магнитооптическому эффекту, дополнительное переменное магнитное поле прикладывают в плоскости пленки с амплитудой, в 2-3 раза превышающей коэрцитивную силу материала пленки, и регистрируют переменную составляющую тангенциального магнитооптического эффекта - экваториального или меридионального эффекта Керра при использовании отраженного света или эффекта Фогта при использовании прошедшего света

Величина амплитуды модулирующего поля, в 2-3 раза превышающая коэрцитив- ность материала, определяется необходимостью перемагничивания пленки в ее плоскости для повышения чувствительности регистрации.

На фиг. 1 представлена зависимость экватора зльного эффекта Керра в пленке с ОЛН, расположенной в ее плоскости от величины внешнего магнитного поля, на фиг, 2 - блок-схема устройства, реализующего способ.

(Л

С

о о

г

VJ

Ч)

а

Контролируют эпитаксиальную пленку феррограната иттрия, выращенную на подложке гадолиний-галлиевого граната с ориентацией (III).

Образец освещают лучом лазера 1. Намагничивают образец постоянным магнитным полем Н. При этом вектор намагниченности ленки выходит из ее плоскости и разворачивается по направлению внешнего поля. Одновременно воздействие слабого переменного поля Н в плоскости пленки приводит к колебанию составляющей вектора намагниченности в плоскости пленки, что регистрируется при помощи экваториального эффекта Керра с помощью фотоприемника 2. Когда постоянное магнитное поле развернет вектор намагниченности нормально к пленке, составляющая намагниченности в плоскости образца 3 исчезнет, и эффект Керра будет равен нулю. Поле насыщения определяют в момент равенства нулю эффекта Керра.

Формула изобретения Способ неразрушающего контроля намагниченности насыщения магнитных пленок, включающий намагничивание пленки

постоянным магнитным полем, перпендикулярным плоскости пленки, изменение величины этого поля, воздействие на пленку переменным магнитным полем с амплитудой, меньшей намагниченности насыщения

пленки, освещение пленки лучом поляризованного света, регистрацию оптического сигнала и определение величины намагниченности насыщения пленки в момент равенства нулю регистрирующей переменной

составляющей оптического сигнала, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составляющей

оптического сигнала проводят при использовании тангенциального магнитооптического эффекта.

Изобретение относится к технике измерения магнитных параметров и может быть использовано для неразрушающего локального экспресс-контроля намагниченности насыщения пленок с осью легкого намагничивания, расположенной в плоскости пленки Цель изобретения - повышение точности измерений - достигается тем, что переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составляющей оптического сигнала проводят при использовании тангенциального магнитооптического эффекта. 2 ил

&1 3

№/./

н

н Шиг2