Изобретение относится к спектроскопии твердого тела, в частности к способам определения энергетического спектра в приповерхностном слое твердого тела.
Цель изобретения - повышение точности определения энергетического спектра поверхностных состояний.
На фиг. 1 приведены спектр угла поворота плоскости поляризации отраженного света (кривая 1) и спектр отражения естественного света (кривая 2) от границы раздела CdTe - электролит; на фиг.2 - блок- схема устройства для осуществления предлагаемого способа.
Основой для изобретения служит обнаружение нового явления - скачкообразных . изменений угла поврота плоскости поляризации отраженного света от поверхности твердого тела, точно соответствующее энергетическому спектру в приповерхностном слое. Это удобно наблюдать на границе раздела твердое тело - электролит, так как при помещении твердого тела в электролит естественным путем создается сравнительно однородный потенциальный рельеф на поверхности твердого тела. Это способствует более однородному распределению поверхностных состояний по всей исследуемой поверхности и выявлению их энергетического спектра.
Блок-схема установки (фиг.2) содержит источник 3 света,систему линз 4, фокусирующую свет на поверхности твердого тела 5, помещенного в электрохимическую ячейку 6 с прозрачным окном. Отраженный луч, проходя через монохроматор 7, регистрируется с помощью ФЭУ 8. Электрический сигнал с выхода ФЭУ после усиления и синхронного
О
ю
со
4 00 00
детектирования записывается самопишущим потенциометром.
Для получения плоско-поляризованного света на пути падающего луча помещен поляризатор 9, а для определения угла поворота плоскости поляризации отраженного луча используют второй поляризатор 10 (анализатор) с градуированной шкалой поворота угла плоскости поляризации р.
Особенностью эксперимента является наклонное падение и отражение луча от поверхности. Угол между падающим и отраженным лучами составляет 20 150° при регистрации спектров (фмг.2). При угле падения луча Э 85° отраженный луч не удается регистрировать, так как фактически наблюдается скользящий луч. При угле падения Э 40° скачкообразные вращения угла плоскости р-поляризации, подробно приведенной на фиг.2 (кривая 1), уже не наблюдаются. Следовательно, угол наклонного падения Р-поляризованного луча может меняться в пределах 40° 0 85°,
Для учета поляризованных эффектов, имеющих место в самой оптической системе, сначала получена поляризационная характеристика оптического тракта без твердого тела 5 при 2 ® 180°. Закон Малю- са полностью соблюдается, т.е. оптический тракт установки не приводит к дополнительным поляризационным эффектам.
При наличии же твердого тела на оптическом пути луча, например кристалла CdTe, в зависимости от длины волны отраженного луча наблюдались скачкообразные вращения угла плоскости Р-поляризации. В случае же S-поляризации эффекта вращения угла плоскости поляризации не наблюдалось.
П р и м е р. На поверхность кристалла CdTe наклонно падает Р-поляризованный луч от первого поляризатора. При фиксированной длине волны вращением угла р второго поляризатора (анализатора) достигается максимум сигнала, соответствующий максимальной интенсивности отра- женного луча. Таким путем определяют изменение угла поворота плоскости поляризации для всей области спектра. Угол поворота плоскости поляризации отраженного луча (р меняется скачкообразно (кривая 1), причем спектральные местоположения скачков р соответствуют местоположениям слабо выраженных особенностей (минимумов) на спектре отражения CdTe (кривая 2), полученного без помещения на оптическом пути поляризаторов 7 и 8. Скачки р наблюдаются как в коротковолновой, так и в длинноволновой области спектра, причем в одной области происходит увеличение значения р, а в другой - уменьшение.
При определении длины волн (или энергий), соответствующих минимумам отражения, допускаются значительные погрешности, так как минимумы выражены нечетко (фиг.1, кривая 2). А длины волн, соответствующие скачкам угла поворота (кривая 1), определяются с большой точностью ( ДЯ 0,1 нм) Значения энергий, при которых происходят скачки р, точно соответствуют энергетическому спектру поверх- ностных состояний для CdTe, о чем свидетельствуют большие значения скачков
(р (больше 6°) на таком узком спектральном интервале из-за значительного поглощения поверхностными состояниями. Обнаруженные поверхностные состояния в области энергии ширины запрещенной зоны CdTe
(длинноволновая область спектра) на основе кривой 1 (фиг,1) имеют следующие значения: 1,508 эВ (822,3 ± 0,1) нм; 1,4683 эВ (844,5 ± 0,1) нм; 1,4553 эВ (852 ± 0,1) нм; 1,4402эВ(861,5±0,1)нм; 1,422 эВ (872 ±0,1)
нм,
В области энергий, большей ширины запрещенной зоны CdTe (коротковолновая область спектра), также обнаружено поверхностное состояние, имеющее следующие значения: 1,5306(810,1 ±0,1) нм.
Подобные скачки р в зависимости от длины волны получены и для других кристаллических твердых тел (CdS, ZnTe, ZnO). Таким образом, предлагаемый способ
является весьма чувствительным, бесконтактным методом контроля поверхности и определения наличия различных состояний поверхности твердого тела.
Формула изобретения
Способ определения энергетического
спектра поверхностных состояний твердого тела, включающий облучение оптическим излучением образца, размещенного в электрохимической ячейке, измерение интеисивности света, отраженного от поверхности твердого тела, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения спектра энергетических состояний поверхности, на поверхность твердого
тела под углом 40-85° направляют Р-поля- ризованный луч, при измерении интенсив- кости отраженного света регистрируют изменение угла поворота плоскости поляризации в зависимости от длины волны Я и по
значениям Я, соответствующим скачкообразным изменениям угла поворота плоскости поляризации отраженного луча, определяют спектр энергетических состояний поверхности твердого тела.
I
r i
5Г ta ,
I
1
8 f
§W
.To
80
ID
300 К
.
i
s
ч
§
s
3
I
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР | 2012 |
|
RU2491679C1 |
СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОВОДЯЩЕЙ ПОВЕРХНОСТИ | 1999 |
|
RU2164020C2 |
Детектор линейно-поляризованного излучения | 1977 |
|
SU671634A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ ВЕЩЕСТВА | 1998 |
|
RU2147741C1 |
Устройство для измерения толщины и диэлектрической проницаемости тонких пленок | 2018 |
|
RU2694167C1 |
ПОЛЯРИЗАТОР | 1998 |
|
RU2147759C1 |
Способ исследования и контроляпОВЕРХНОСТНОй диффузии и СЕгРЕ-гАции | 1978 |
|
SU807167A1 |
СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ СПЕКТРОСКОПИИ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ПРОВОДЯЩЕЙ ПОВЕРХНОСТИ | 2000 |
|
RU2170913C1 |
ПОЛЯРИЗАТОР НЕЙТРОНОВ | 1994 |
|
RU2086025C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КАЛИБРОВКИ ДИХРОГРАФОВ КРУГОВОГО ДИХРОИЗМА | 2015 |
|
RU2590344C1 |
Изобретение относится к спектроскопии твердого тела. Цель изобретения - повышение точности определения спектра энергетических состояний поверхности. Для этого на поверхность твердого тела, размещенного в электрохимической ячейке, наклонно подают Р-поляризованный луч. На пути отраженного луча помещают второй поляризатор с градуированной шкалой поворота угла плоскости поляризации и определяют длины волн при скачкообразных изменениях угла поворота плоскостями поляризации отраженного , по которым строят спектр состояний поверхности. 2 ил.
800
810
3
860
A;///V
880
Ю
8
Фт.1
W.S | |||
Euloe et al | |||
Au electroreflectance study of CdTe | |||
-Appl | |||
Phys., 1987,61, №5, p | |||
Способ обработки целлюлозных материалов, с целью тонкого измельчения или переведения в коллоидальный раствор | 1923 |
|
SU2005A1 |
Паносян Ж.Р | |||
и др | |||
Обнаружение серии поверхностных экситонов в ZnO, связанных с собственными двумерными поверхностными подзон-ами | |||
- Письма в ЖЭТФ, 1985, 41, № 6, с | |||
Способ модулирования для радиотелефона | 1921 |
|
SU251A1 |
Авторы
Даты
1991-11-23—Публикация
1988-12-20—Подача