Способ неразрушающего контроля изделий из ферромагнитных материалов Советский патент 1992 года по МПК G01N27/82 G01N27/84 

w

ё

Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано в дефектоскопии изделий из ферромагнитных материалов. Цель изобретения - повышение достоверности при обнаружении дефекта и информативности при определении его размеров: ширины раскрытия и глубины. Для достижения цели в качестве параметра изменения картины доменной структуры магнитодоменного преобразователя используют ее период, а количественную оценку обнаруженных дефектов проводят по площади изменения магнитного отпечатка при ряде значений подмагни- чивающего поля, Изменения картины доменной структуры оценивают по отношению изображения картины над бездефектным участком изделия. 2 з.п.ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к неразрушаю- щему методу контроля и может быть использовано при обнаружениях дефектов в ферромагнитных материалах.

Целью изобретения является повышение достоверности и информативности обнаружения дефектов и их размеров за счет расширения информативной возмржности свойств магнитной пленки с управляемой доменной структурой.

На фиг.1 и 2 приведены виды доменных структур при наличии и отсутствии полей рассеяния дефектов соответственно; на фиг.З - структурная схема устройства для осуществления предлагаемого способа.

Устройство для осуществления способа неразрушающего контроля изделий из ферромагнитных материалов содержит последовательно соединенные магнитодоменный преобразователь 1 в виде пленки с управляющей доменной структурой, телевизионный

датчик 2, блок 3 обработки видеосигнала, микроЭВМ 4 и управляемый блок 5 подмаг- ничивания, подключенный к входу магнитодоменного преобразователя, и подключенный между микроЭВМ и вторым входом магнитодоменного преобразователя блок 6 автоматики.

Способ осуществляют следующим образом.

В начальном этапе осуществляют обучение устройства. Магнитодоменный преобразователь 1, чувствительный к магнитным полям рассеяния от дефектов, размещают над намагниченным эталонным образцом с дефектами различных размеров. При размещении преобразователя над дефектом на пленке образуется магнитный отпечаток. Сигнал магнитодоменного преобразователя 1 посредством телевизионного датчика передается в блок 3 обработки видеосигнала, где происходят фильтрация, квантова |

;Ю :СЛ

О iO

ние и дискретное выделение видеосигнала. Измерение периода доменной структуры преобразователя 1, измерение площади магнитного отпечатка от различных дефектов при разных полях подмагничивания Но производятся микроЭВМ и программным путем. Результатом обучения является составление и запоминание в микроЭВМ таблиц зависимостей площади магнитного отпечатка от ширины трещины и значений подмагничивающего поля. Кроме того, составляются таблицы зависимостей глубины дефектов и изменения площади магнитного отпечатка при фиксированной ширине дефектов. МикроЭВМ 4 управляет процессом контроля и обработкой информации в блоке 3 обработки видеосигнала, а также управляет блоком 5 подмагничивания.

После проведения обучения устройства на эталонных образцах переходят к контролю реальных изделий намагниченных аналогичным образом и изготовленных из того же материала, что и эталонный образец. Магнитодоменным преобразователем 1 посредством блока автоматики осуществляется сканирование контролируемого изделия (не показано). В процессе сканирования измеряют период доменной структуры магнитной пленки преобразователя, сравнивают с периодом доменной структуры,полученным на бездеффектном участке изделия, а обнаружение дефектов производят по степени изменения периода домен- ной структуры магнитной пленки преобразователя. Для определения ширины обнаруженных дефектов используют ранее установленную зависимость ширины дефекта и площади магнитного отпечатка при подмагничивании полем Но. При определении ширины дефекта используется тот факт, что площадь магнитного отпечатка не зависит от глубины дефекта в пределах чувствительности метода. Для определения глубины дефекта используется факт, что ширина уже установлена, и таблицы зависимостей глубины дефектов от изменения площади магнитного отпечатка минимум при двух значениях поля подмагничивания, одна из которых выбирается таким, что магнитная пленка не обнаруживает дефект, т.е. переходит в состояние насыщения. Тогда по изменению площади магнитного отпечатка и значению поля насыщения Нн можно оценить размер дефекта, т.е. глубину, используя ранее полученные на этапе обучения зависимости.

Предлагаемый способ по сравнению с известным обеспечивает повышение достоверности контроля и позволяет получить количественную оценку размеров дефектов в ферромагнитных изделиях за счет выбора таких параметров контроля, как период до- менной структуры магнитной пленки, площадь магнитного отпечатка и значение поля подмагничивания Н0.

В качестве микроЭВМ может быть использована любая класса Электроника-60 со стандартным набором устройств.

Формула изобретения

на основе магнитной пленки с управляемой доменной структурой размещают вначале над бездефектным, а затем - над испытуемым изделиями, и по изменению картины доменной структуры под воздействием полей рассеяния дефектов, определяют их наличие, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности обнаружения дефектов в процессе сканирования,в качестве параметра изменения картины доменной

структуры используют ее период.

изменения площади магнитного отпечатка и величине подмагничивающего поля определяют глубину дефекта.

Риъ.1

Риг.2

Риг.З