Способ образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов в доменосодержащей пленке Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

(5) СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ КАНАЛОВ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ В ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ

. , .

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при формировании каналов продвижения в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен способ образования структур направленного перемещения ЦМД за счет использования свойств самого магнитного материала til

Недостатками указанного способа являются технологические трудности, возникающие при выращивании многослойных пленок с заданными параметрами, а также произвольное формирование волнообразной структуры.

Известен также способ образования в однослойной магнитной пленке магнитной структуры направленного продвижения ЦМД, выполненной в виде чередующихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в них. Магнитная структура образуется с помощью системы последовательно соединенных проводников, нанесенных на пленку. При подаче в указанные проводники постоянного тока создается магнитное поле, нормальное поверхности магнитной пленки и периодически распределенное вдоль ее поверхности. Формируется магнитная структура в виде ряда полосовых доменов с интервалом, соответствующим интер10валу между проводниками. После этого в полосовых доменах зарождаются ЦМД и образуется магнитная структура в . виде ряда чередующихся волнообразных областей с противоположной намагниченностью ЦМД в них 21.

Однако известный способ технологически трудоемок вследствие необходимости нанесения аппликаций в ви20де проводников, требует создания специального стабилизирующего поля и не позволяет управлять периодом волнообразной структуры.

390

Цель изобретения -.упрощение образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов.

Указанная цель достигается тем, что в известном способе в доменосодержащей магнитной пленке формируют плотноупакованную решетку цилиндрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержащую пленку импульсами градиентного магнитного поля соответствующей полярности и амплитуды до образования областей с цилиндрическими магнитными доменами п|эотивоположной намагниченности и устанавливают такое расстояние между доменными границами смежных областей с цилиндрическими магнитными доменами противоположной намагниченности при котором расположенные между ними ЦМД коллапсируют,.а необходимую ширину канала продвижения ЦМД регулируют внешним полем смещения..

Способ образования каналов продвижения ЦМД в доменосодержащей плечке реализуется следующим образом.

Доменосодержащая пленка помещается в постоянное магнитное поле, по величине равное полю насыщения, для создания в ней однодоменного состояния. Затем создается импульсное градиентное магнитное поле, амплитуда которого больше напряженности поля зародышеобразования, а направление противоположно направлению поля смещения.

Это может быть обеспечено, например, за счет нанесенного на поверхность магнитной пленки проводника. После формирования регулярной ,решетки ЦМД уменьшают поле смещения и импульсное градиентное магнитное роле до нуля.

Далее в тот же проводник подается импульс тока той же полярности, что и первоначальный импульс, но увеличенной амплитуды, достаточной для создания на заданном расстоянии от проводника импульсного магнитного поля большей величины, чем напряженность поля насыщения. Затем амплитуда импульсного магнитного поля уменьшается до нуля так, чтобы вся заданная область магнитной пленки перемагничивалась в решетку с ЦМД, полярность которых противоположна полярности ЦМД в первоначально сформированной решетке.

Таким образом, формируется, магнитная структура в виде двух областей с противоположной намагниченными ЦМД, причем доменная граница раздела параллельна проводнику, а ее положение в магнитной пленке (расстояние от проводника) однозначно определяется амплитудой импульсов, подаваемых в проводник.

Подавая в проводник импульсы тока, полярность которых опять противоположна полярности первоначально подаваемых импульсов, а амплитуда не сколько меньше, чем амплитуда импульсов при первоначальном перемагничивании, можно сформировать магнитную структуру в виде полосы ЦМД, намагниченность которых противоположна намагниченности окружающих ее ЦМД. Ширина этой полосы полностью определяется амплитудой импульса противоположной полярности и при увеличении ее до величины амплитуды импульсов, используемых для перемагничивания первоначально созданной решетки с однополярными ЦМД, ширина полосы становится порядка диаметра ЦМД. При этом ЦМД, находящиеся в пределах этой полосы, коллапсируют и полоса превращается в домен той же намагниченности, что и окружающие его ЦМД. Так как ширина полосового домена меньше диаметра домена, то ЦМД в нем существовать не могут и использовать его.в качестве канала продвижения невозможно. Поэтому к манитной пленке прикладывается поле смещения, направление которого сов- падает с намагниченностью полосового домена. Поле смещения увеличивает ширину полосового домена до необходимых размеров для существования и продвижения в нем ЦмД.

Таким образом, производится формирование канала продвижения ЦМД непосредственно в пленке в виде магнитной структуры с периодически изменяющимся потенциальным барьером на основе плотноупакованной регулярной решетки ЦМД. Подобный канал облада ет высокой стабильностью за C4et сил магнитостатического взаимодействия, а управление параметром решетки позволяет создавать оптимальные условия для направленного продвижения ЦМД.

Применение предлагаемого пособа позволяет гибко перестраивать магнитные структуры направленного продвижеиия ЦМД, тогда как существующие аппликационные методы требуют замены всего элемента в целом. Последнее обстоятельство, кроме сугубо эко номического выигрыша, открывает широкие перспективы .для создания логиг ческих устройств в ЦМД. Энергетически схема канала продвижения весьма экономична и позволяет для перемещения ЦМД использовать традиционные методы. Формула изобретения Способ образования каналов продвижения цилиндрических магнитных до менов в доменосодержащей пленке, ос- нованный на формировании в доменосодержащей пленке волно9бразных до менных границ, отличающийс я тем, что, с целью упрощения образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов, формируют в доменосодержащей пленке плотноупакованную решетку цилиндрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержащую пленку импульсами градиентного магнитного поля соответствующей полярности и амплитуды до образования областей с цилиндрическими магнитными доменами противоположной намагниченности и устанавливают расстояние между доменными границами областей с цилинд рическими магнитными доменами проти воположной намагниченности,- при котором расположенные между ними цилиндрические магнитные домены коллаПсируют, и регулируют внешнее поле смещения до получения необходимой ширины канала продвижения цилиндрических, магнитных доменов. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США tf 3886905, кл. З О-17i, 1977. 2.Патент США Н 3916395, кл. , 1978 (прототип). кл