Времяимпульсное устройство Советский патент 1992 года по МПК H03K17/08 H03K17/60 

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования на одном из двух выходов импульса неискаженной длительности, в зависимости от того, какой ранее пришел передний Фронт импульса управ ления.

Известно времяимпульсное устройство, содержащее первый транзистор, база которого соединена с первым выводом первого резистора, коллек- :. тор - с первой выходной шиной, второй транзистор, база которого соединена с первым выводом второго резистора и с первой входной шиной, эмиттер - с эмиттером третьего транзистора и с общей шиной, четвертый транзистор, коллектор которого соединен с первым выводом диода, третий резистор и вторую входную шину.

Недостатком известного технического решения является его малый коэффициент полезного действия.

Целью изобретения является повышение коэффициента полезного действия, путем такой организации принципиальной схемы, которая не требует для своей работы щеточника напряжения в которой все детали схемы обесточены в течение времени отсутствия входных и управляющих напряжений.

Цель достигается тем, что во время- импульсное устройство, содержащее первый транзистор, база которого соединена с первым выводом первого резистора , коллектор - с первой выходной шиной, второй транзистор, база которого соединена с первым выводом .. второго резистора и с первой входной шиной, эмиттер - с эмиттером третьего транзистора и с общей шиной, четЧ

о:

СП

х ее ос

вертый транзистор, коллектор которого соединен с первым выводом диода, третий резистор и вторую входную шину, введены пятый, шестой и седьмой транзисторы, четвертый, пятый, шестой, седьмой и восьмой резисторы, вторая, третья и четвертая выходные шины и второй диод, первый вывод которого соединен через третий резистор с коллектором второго транзистора и непосредственно с базой пятого транзистора, коллектор которого соединен с второй выходной шиной, а через четвертый резистор - с базой третьего транзистора, которая через пятый резистор соединена с третьей выходной шиной и с коллектором четвертого транзистора, база которого через шестой резистор соединена с коллектором третьего транзистора, эмиттер - с второй входной шиной и с эмиттером пятого, шестого и первого транзисторов, коллектор последнего из которых соединен с вторым выводом второго диода и через седьмой резистор базой седьмого транзистора, которая через восьмой резистор соединена с четвертой выходной шиной и с коллектором шестого транзистора, база которого соединена, с вторыми выводами первого диода и второго резистора, примем коллектор седьмого транзистора соединен с вторым выводо первого резистора, эмиттер - с общей шиной, при этом тип проводимости первого, четвертого, пятого и шестого транзисторов противоположен типу проводимости второго, третьего и седьмого транзисторов.

Изобретение поясняется чертежом, на котором показаны транзисторы 1-7 резисторы 8-16, диоды 17 и 18, входные шины 19 и 20, выходные шины 21 - 2k.

Работа времяимпульсного устройства заключается в следующем.

При отсутствии напряжения на входных шинах 19 и 20 все детали устройства обесточены и выходные напряжени равны нулю.

В момент времени t на шину 19 пришел передний фронт импульса UBX, от которого происходит насыщение транзистора 2 током его базы, протекающим от источника напряжения Пэд по цепи: шина 19, эмиттер - база транзистора 2, резистор 11, шина 20, источник напряжения На и общая шина.

На коллекторе транзистора 2 форми- руется передний фронт выходного импульса U ( на шине 21, от которого

через резистор 10 происходит насыщение транзистора 3 и как следствие - насыщение транзистора 1 током базы, протекающим от источника напряжения Upx, по цепи: шина 19, эмиттер база транзистора 1, резистор 8 коллектор-эмиттер транзистора 3 и общая шина. На выходной шине 23 также формируется передний фронт выходного импульса U23, которое через резистор 9

5 подтверждает насыщенное состояние транзистора 3 и через германиевый диод 17 - диод с малым падением напряжения, запирает надежно транзистор k. Транзисторы 1-7 кремниевые, тогда

0 как диоды 17 и 18 германиевые. Если после этого придет передний фронт импульса Г2о на шину 20, то произойдет запирание транзистора 2 и через резистор 11 и формирование заднего

5 фронта импульса U21 на выходной шине 21 и насыщение транзистора 7 через резистор 12. Транзистор 3 удерживается в насыщенном состоянии током резистора 9 и поэтому на выходной шине 23 продолжает формироваться импульс IV

0

1

-«

5

0

В момент времени t% сформировался задний фронт импульса U19 и U25

В момент времени t пришел импульс U&x, тогда как на шине 20 имеется импульс Ugo который насыщает транзистор Ux током базы, протекающим по цепи: источник UBX, шина 19, эмиттер - база транзистора , резистор 13, коллектор - эмиттер насыщен-i ного транзистора 7 и на коллекторе транзистора k - выходной шине 22 формируется передний фронт импульса UZ2, от которого через резистор 16

5 насыщается транзистор 6, что приводит к насыщению транзистора 5 по цепи: источник напряжения УВД, шина 19 эмиттер - база транзистора 5, резне-4 тор 17 и коллектор-эмиттер транзисто0 ра 6, общая шина.

В момент времени t сформировал5

ся задний фронт импульса U-fa и импульса игг.. Импульс U- продолжает формироваться т.к. транзистор 6 остался в насыщенном состоянии током резистора 15.

В момент времени tg сформировался задний фронт импульса U и U

5

После момента времени t, вреТШ импульсное устройство возвратилось в исходное состояние и далее его работа аналогична рассмотренной.

Предложенное времяимпульсное устройство может быть использовано как в качестве фазового детектора,так и в качестве переключателя входных импульсов на два выхода без искажения их длительностей. Но при этом данное устройство не требует для своей работы специального источника напряжения - питания и в нем отсутствует потребление при отсутствии входных напряжений, что делает это устройство экономичным по потреблении электроэнергии. Формула изобретения

Времяимпульсное устройство, содержащее пероый транзистор, база которого соединена с первым выводом первого резистора, колллектор - с первой выходной шиной, второй транзистор, база которого соединена с первым выводом второго резистора и с первой входной шиной, эмиттер - с эмиттером третьего транзистора и с общей шиной, четвертый транзистор, коллектор которого соединен с первым выводом диода, третий резистор и вторую входную шину, отличающееся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия, в него введены пятый,шестой и седьмой

3Ь9У8

транзисторы,четвертый,пятый,шестой, седьмой и восьмой резисторы,вторая,тре тья и четвертая выходные шины и второй диод, первый вывод которого соединен через третий резистор с коллектором второго транзистора и непосредственно с базой пятого транзистора, коллектор которого соединен с второй

.Q выходной шиной и через четвертый резистор - с базой третьего транзистора, которая через пятый резистор соединена с третьей выходной шиной и с коллектором четвертого транзисто., ра, база которого через шестой резистор соединена с коллектором третьего транзистора, эмиттер - с второй входной шиной и с эмиттерами пятого, шестого и первого транзисторов, кол2Q лектор последнего из которых соединен с вторым выводом второго диода и через седьмой резистор с базой седьмого транзистора, которая через восьмой резистор соединена с четвер25 той выходной шиной и с коллектором шестого транзистора, база которого соединена с вторыми выводами первого диода и второго резистора, причем коллектор седьмого транзистора соединен с вторым выводом первого резистора, эмиттер - с общей шиной, при этом тип проводимости первого, четвертого, пятого и шестого транзисторов противоположен типу проводимости второго, третьего и седьмого транзис35 торов.

J

30

23 t/gtaS

21 Щих.1

22 Uba.2.

и ибыжМ

Фие.1

Времяимпульсное устройство предназначено для формирования на одном из двух выходов импульса неискаженной длительности в зависимости от очередности поступления этих импульсов. Целью изобретения является повышение КПД устройства. Устройство не требует дополнительных источников питания и не потребляет электро энергию при отсутствии входных CHI- налов. Устройство содержит транзисторы 1,2,4 и 5 p-n-p-типа и 7,8,3 n-p-n-типа, диоды Г/ и 18 и резисторы 8...16..Также имеются две входные шины 19, 20 и четыре выходные шины 21..,2k. 2 ил.