Способ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке Советский патент 1992 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для аттестации магнитных пленок, предназначенных для магнитооптических устройств обработки и хранения информации.

Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и расширение области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией,

Для этого магнитную пленку намагничивают до насыщения перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Нем, воздействуют на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни, регистрируют плотность Р доменов с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Ни, изменяют напряженность внешнего магнитного поля Н Ни - Нем и определяют зависимость от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависимости до пересечения с осью абсцисс.

Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость от Н, а также зависимость т от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе. Здесь т- время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции криXI

IO СП 00

5

вой Р 1(Н) и участка кривой т (Н) с наибольшей крутизной точка пересечения с осью абсцисс одна и та же. Для построения кривой (Н) требуются меньшие внешние поля, чем для построения кривой f1 (H).

Способ реализован при исследовании монокристаллических пленок феррит-граната состава (Bi, Но)з(Ре, Ca)sOi2 со слабой одноосной анизотропией, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из гадолиний-галлиевого граната, на установке высокоскоростной фотографии. Магнитную пленку помещали на столик поляризационного микроскопа. Перпендикулярно плоскости пленки прикладывали поле смещения Нем 600 Э, намагничивающее пленку до насыщения. В противоположном направлении прикладывали импульсное магнитное поле с амплитудой Ни, изменяющейся в диапазоне от 100 до 850 Э. Изменяя задержку импульса подсветки в установке высокоскоростной фотографии относительно начала импульса магнитного поля, регистрировали число доменов с обратной намагниченностью в поле зрения микроскопа, зарождающихся в процессе действия импульса магнитного поля. Кроме того, регистрировали время перемагничи.вания г магнитной пленки. Строили зависимости

,

„-1

Р (Н)ит (Н), показанные на чертеже. Вид-

0

5

0

5

0

но, что экстраполяция обеих кривых дает значение эффективного магнитного поля одноосной анизотропии равное 108 Э.

Формула изобретения Способ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке, основанный на намагничивании магнитной пленки до насыщения перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Нем, воздействии на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни и регистрации доменов с обратной намагниченностью, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и расширения области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией, регистрируют плотность Р доменов с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Ни, изменяют напряженность внешнего магнитного поля Н Ни - Нем и определяют зависимость от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависимости до пересечения с осью абсцисс.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для аттестации магнитных пленок, предназначенных для использования в магнитооптических устройствах обработки и хранения информации. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и расширение области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией. Способ основан на намагничивании магнитной пленки до насыщения перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Нем, воздействии на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Ни и регистрации доменов с обратной намагниченностью, причем регистрируют плотность доменов Р с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Ни, изменяют напряженность внешнего магнитного поля Н Ни - НСм и определяют зависимость Р 1 от Н. по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке. 1 ил. (Л С

-{

J,

6ГИ.

- ЧоО -ice

г Л

/W

-1

20

200