СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИОДНЫХ МАТРИЦ Советский патент 1966 года по МПК G06G7/46 

Известны способы получения диодных матриц путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданныеперекрестия матрицы.

Предложенный снособ отличается тем, что в заданные перекрестия микроэлектронной п-р--п (р-п-р)-матрицы подают напряжёние той или иной полярности с амплитудой, превышающей напряжение лавинного пробоя п-р (р-и)-перехода.

Это позволяет устранить изолирующие участки в перекрестии и получить биполярное включение элементов.

Предмет изобретения

Способ получения диодных матриц, например, из микроэлектронных п-р-п (р-п-р)матриц, путем подачи напрял ения по взаимно перпендикулярным щинам в заданные перекрестия матрицы, отличающийся тем, что, с целью устранения изолируюш,их участков в перекрестии и возможности биполярного включения элементов (диодов), подают упомянутое напряжение той или иной полярности с амплитудой, превышаюш,ей напряжение лавинного пробоя п-р (р-д)-перехода.