Способ формирования межуровневой изоляции интегральных схем из борофосфоросиликатного стекла Советский патент 2008 года по МПК H01L21/76 

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбората в инертном газе и кислорода, наращивание пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины с содержанием фосфора 2-5 мас.% и бора 3-6 мас.% при давлении 15-100 Па и соотношении ингредиентов фосфин-кислород более или равном 0,2 при температуре нагрева реактора, оплавление борофосфоросиликатного стекла, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межуровневой изоляции путем снижения дефектности и повышения стабильности стекла во времени, после наращивания пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины прекращают подачу паров триметилбората в инертном газе и осаждают защитный слой толщиной 0,02-0,1 мкм без изменения температуры реактора и давления, а перед оплавлением удаляют защитный слой селективно к пленке борофосфоросиликатного стекла.