Способ контроля чипов на пластине Советский патент 1993 года по МПК H01J37/28 

Изобретение относится к области электронно-лучевого технологического контроля изделий микроэлектроники.

Целью изобретения является повышение производительности способа, ..... Примером конкретного выполнения способа является процедура контроля распределений потенциалов в электрических цепях, чипов для ИС К133.

Кремниевую пластину устанавливают в объёктодержатель и совмещают центр первого контролируемого участка первого чипа с центром приемного окна анализатора. Далее опускают на пластину зондовую головку до образования омических контактов между зондами головки и контактными площадками чипа. После этого, сканируют поверхность чипа электронным пучком; регистрируют видеосигнал топологии участка чипа и по видеосигналу определяют координаты тестируемых узлой, лежащих в пределах первого участка. Подают через зондо- вую головку на чип питающие и рабочие напряжения и начинают последовательное зондирование узлов, постепенно перемещая пучок в сторону следующего контролируемого участка, Причем при облучении каждого узла измеряют величину сдвига спектра вторичных электронов и определяют по этой величине потенциал узла. Одновременно с этим, по мере перемещения пучка, осуществляют перемещение анализатора энергий электронов. И так до тех пор, пока все участки поверхности чипа не будут просканированы и протестированы. Затем осуществляют переход К следующему чипу и повторяют всю последовательность операций/:

Формула изобретения Способ контроля,чипов на пластине, включающий размещение пластины относительно анализатора энергий электронов,

ел

с

41 о

00

00

о

4

подачу на контактные площадки чипа питающих и рабочих напряжений, формирование с пбмощыд электронно-оптической системы электронным пучком растра на поверхности чипа, расположенной в пределах приемной апертуры анализатора энергии электронов, последовательное облучение электронным пучком контролируемых узлов электрической цепи чипа, лежащих в пределах участка поверхности, ограниченного приемнрй апертурой анализатора, регистт рацию спектральных характеристик вторич- нб-эмибсионнрго сйгн&яа, определение rto зарегистрированным данным искомых ве

личин и переход к следующему участку поверхности чипа путем относительного перемещения пластины и анализатора энергий электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, во время контроля чипа пластину жестко фиксируют относительно электр6н но-рптической системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществляют путем перемещения анализатора энергии электронов относительно неподвижной пластины в направлении электронного пучка, перемещающегося, от узла к узлу.

Использование: Изобретение относится к электронно-лучевому контролю изделий микроэлектроники, Целью изобретения яв-. 2 ляется повышение производительности процесса контроля чипов на пластине за счет исключения операции кривизны координат растра к координатам топологии исследуемого чипа. Сущность изобретения: во время контроля чипа пластину жестко фиксируют относительно электронно-оптцче- ской системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществ- лякэт путем перемещения анализатора энергии электронов относительно неподвижной пластины в направлении движения электронного пучка, перемещающегося от узла к узлу. Искомые величины определяются по спектральным характеристикам вторично-эмиссионного сигнала.