"Контактное устройство для подключения интегральных схем с "DIP" корпусом" Советский патент 1993 года по МПК H05K1/18 

(Л

С

Сущность изобретения: устройство содержит диэлектрическое основание с закрепленными в нем контактными элемента-, ми в виде гибких пластин-держателей и кон- тактов-нэконечников,каждый контакт-наконечник выполнен в виде пластины, изогнутой под углом от 0 до 90°, причем линия перегиба делит пластину на две части, одна из которых, торцом контактирующая к выводу микросхемы, имеет отношение стороны, перпендикулярной плоскости симметрии контактного элемента, к другой стороне торца более 2:1, а другая часть пластины имеет площадь части, присоединяемой к гибкой пластине-держателю, большую не менее чем в 5 раз площади торца, контактирующего к выводу микросхемы, что повышает надежность контактирования. 2 ил,

Изобретение относится к области электроники, в частности к конструкциям контактных устройств для подключения интегральных схем.

Целью изобретения является повышение надежности контактирования к выводам микросхемы за счет одновременного уменьшения контактного переходного сопротивления иувеличения прочности соединения контакта-наконечника с упругой пластиной,

На фиг.1 изображено контактное устройство в сборе: 1 - основание, 2 - контактные элементы, 3 - контактируемая микросхема. На фиг.2 изображен контактный элемент: 4 - гибкая пластина-держатель, 5 - наконечник. Число контактных элементов соответствует числу выводов измеряемой микросхемы, контактные элементы размещаются в пазах диэлектрических пластин основания, после чего пластины

стягиваются, В собранном КУ с одной стороны диэлектрического основания (из трех пластин) размещаются части контактных элементов, которые контактируют к выво- .дам микросхемы, с другой - части КЭ, которые подключаются к согласующему устройству. Контактные элементы могут быть подпружинены дополнительными плоскими пружинами, если необходимо увеличить усилие прижатия,

В конкретном исполнении КУ гибкие пластины контактных элементов выполнены из стали 65Г толщиной 0,2 мм, шириной 1,9 мм и закалены до 48-52 HRC. Контакты выполнены из никеля толщиной 0,4 мм, шириной 1,9 мм в месте контакта на вывод микросхемы и 1,2 в месте соединения с гибкими пластинами/ Соединение контакта и пластины произведено пайкой припоем ПОС-61.

vi о

с ю со ю

Использование заявляемого изобретения позволяет, как показывают результаты опытной эксплуатации:

Формула изобретения Контактное устройство для подключения интегральных схем с DIP корпусом, содержащее диэлектрическое основание с закрепленными в нем контактными элемен

фи, i

тами, выполненными в виде гибких пластин держателей с присоединенными к ним кон тактами-наконечниками, отличающее с я тем, что, с целью повышения надежно сти контактирования к выводам микросхе мы, каждыйконтакт-наконечник выполнен в виде/пластины, изогнутой под углом от 0 до 90°, причем торец пластины контактирующий к выводу микросхемы, имеет отношение стороны, перпендикулярной плоскости симметрии контактного элемента, к другой стороне торца более 2:1, а площадь части пластин, плоскостью присоединяемая к гибкой пластине-держателю, больше площади торца, контактирующего к выводу микросхемы, не менее чем в пять раз.

U

Pt/e 2

°

о/т О - Ж