Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов Советский патент 1993 года по МПК H05K7/20 H01L23/36 

/

1Ьо

Изобретение может быть использовано в области радиоэлектронной аппаратуры, в частности в устройствах для обеспечения оптимального теплового режима работы полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что радиатор в зависимости от мощности охлаждаемого прибора 2 собран из различного количества однотипных гофрированных элементов 1, соединяемых между собой теплопроводным клеем, причем гофры 7 выполнены с переменным шагом, а их боковые стенки 6 перфорированы отверстиями 5. 5 з.п. ф., 2 ил.

00

о

Предполагаемое изобретение относится к области радиоэлектронной аппаратуры, в частности - к устройствам для обеспечения оптимального теплового режима работы полупроводниковых приборов.

Цель изобретения - улучшение массога- баритных характеристик, повышение эффективности охлаждения, технологичности и экономичности конструкции.

На фиг. 1 показан радиатор с полупроводниковым прибором; на фиг,2 - то же, вид сбоку.

Радиатор содержит гофрированные охлаждающие элементы 1 в виде пластин из металла. Радиатор собирают в зависимости от мощности охлаждаемого полупроводникового прибора 2 из различного количества гофрированных элементов 1, образующих между собой воздушные каналы 3. Соединение элементов между собой осуществляют по линиям контакта 4с помощью шва теплопроводного клея. Гофры охлаждающих элементов 1 выполняют с переменным шагом (на фиг.1 стрелками показано направление роста шага), а саму металлическую пластину предварительно перфорируют для создания дополнительных воздушных каналов, размещенных в боковых стенках 6 гофр 7.

Как вариант конкретного исполнения, возможно изготовление радиатора (штамповкой), в плане имеющего форму круга с концентрическими гофрами 2, переменный шаг которых также увеличивается от центра - места крепления полупроводникового прибора 2 к периферии. Набор таких элементов 1 соединяется тем же способом с помощью теплопроводного клея по линиям контакта. Переменный шаг гофр 7 обоснован соображениями переменной интенсивности теплового поля, уменьшающейся в направлении от источника тепла. Наличие дополнительных воздушных каналов5 обосновано соображениями усиления активности воздушных потоков. Для радиаторов, работающих без принудительного обдува, в условиях естественной конвекции, данные воздушные потоки могут без дополнительных затрат усилить эффект охлаждения теп- ловыделяющих .полупроводниковых приборов.

Технико-экономическая целесообразность применения заявляемого способа обусловлена простотой и технологичностью изготовления радиаторов из штампованных

гофрированных элементов, имеющих низкую металлоемкость, а также возможность получения компактных радиаторов для работы с приборами широкого диапазона

мощности из набора одинаковых, типовых элементов, что исключает необходимость разработки типоразмерного ряда данной продукции и соответствующего технологического обеспечения. Все это приводит к

достижению цели предполагаемого изобретения.

Формула и з о б ре тения 1. Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащий однотипные гофрированные пластины из металла, симметрично размещенные вокруг установочной площадки для размещения полупроводниковых приборов, отличающийся тем. что, с целью улучшения масс огабаритных характеристик, повышения эффективности охлаждения, технологичности и экономичности конструкции, однотипные гофрированные пластины поэтапно расположены одна на другой и ориентированы своими гофрами в одном направлении, одни напротив других соответственно, причем соседние однотипные гофрированные о пластины соединены между собой кромками вершин своих гофр и кромками оснований своих гофр по их длине с образованием между вершинами и основаниями их гофр каналов для потока охлаждающего воздуха с обеспечением теплового контакта между ними посредством клеевого шва.

Линия ifDHtnaxnia.

&/ с foxy 5

ото

D а а а

а а а а

о а а a

фиг, 2