Изобретение относится к способам повышения пропускания оптических сред, может быть использовано для уменьшения оптической плотности в УФ-части спектра кристаллов хлорида свинца с целью контроля и исследования электронных и дырочных точечных дефектов этих кристаллов.
Целью настоящего изобретения является увеличение оптического пропускания кристаллов хлорида свинца в УФ-части спектра (180-300 нм).
Данная цель достигается способом повышения оптического пропускания кристаллов хлорида свинца, по которому кристалл предварительно облучают УФ-излучением до флюенса (3,8 ±0,7) 105 Эрг .
Способ основан на том, что при облучении этих кристаллов световым потоком УФ- части спектра оптическое поглощение образцов в УФ-части спектра (длины волн 180-300 нм) при определенном поглощенном световом потоке (флюенсе) уменьшается на 11-15%, а при дальнейшем облучении кристаллов их поглощение не меняется. Причем это просветление сохраняется длительное время, по крайней мере в течение года в нормальных условиях.
Для пояснения изобретения ниже приводятся рисунки, на которых: фиг. 1 изображает спектры поглощения кристалла хлорида свинца, где 1,2,3- спектры поглощения исходного образца, и после его облучения световым потоком УФ-части спектра мощностью 2,5 103 Эрг/с мм2 в течение 2,5 и 100 мин, соответственно, фиг. 2 изображает зависимости относительного уменьшения оптической плотности кристалла хлорида свинца (в процентах) от времени облучения УФ-потоком на длине волны 280 нм - кривая А и одновременного увеличения оптической плотности этого кристалла на длине волны 450 нм кривая 5.
со с
00
ел
Предлагаемый способ работает следующим образом. Берется кристалл хлорида свинца, обработанный механически по способу прототипа. Спектр поглощения этого образца показан на фиг. 1 кривая 1. Кристалл облучается световым потоком УФ-ча- сти спектра до указанного в формуле изобретения флюенса. После такой обработки пропускание этого образца в УФ-об- ласти спектра возрастает на 11-15%. Спектр поглощения обработанного световым потоком кристалла показан на фиг. 1, кривая 2. Далее этот образец используют для практических целей в УФ-части спектра.
Одним из достоинств предлагаемого способа является то, что толщину кристаллов хлорида свинца не доводят до минимальной величины, при которой механические свойства образцов резко ухудшаются. За счет увеличения пропускания образцов после их обработки по заявляемому способу толщину кристаллов можно увеличивать на 11-15%, поэтому механические свойства образцов повышаются. Кристалл становится более устойчивым к внешним механическим воздействиям. При облучении кристаллов хлорида свинца флюенсом УФ-излучения большим 3,8 -10 Эрг/мм2 пропускание образца в УФ-части спектра не изменяется, а в видимом и ближнем ИК-диапазонахспектра поглощение образца возрастает (см. фиг. 1, длины волн 315-800 нм), т.е. его пропускание уменьшается. Это видно из фиг. 2, где изображены зависимости относительного изменения коэффициента поглощения образца на длинах волн 280 нм (4) и 450 нм (5) от времени его облучения УФ-излучением при мощности этого излучения 2,5 103 Эрг/мм2. Видно, что оптимальное время облучения образца (2,5 ±0.5) мин. что соответствует флюенсу (3,8 ±0,7) 10 Эрг/мм2. При этом поглощение на длине волны светового излучения 280 нм уменьшилось на 11-12 % кривая 4, а
на длине волны светового излучения видимой области 450 нм возросло на 50% кривая 5 и составило 1,05 см-1. Дальнейшее облучение кристалла УФ-излучением не приводит к изменению коэффициента поглощения на длине волны 280 нм и увеличивает коэффициент поглощений на длине волны 450 нм. Поэтому оптимальным флюенсом (световым потоком) в формуле
изобретения выбрана величина (3.8 ±0,7) 105 Эрг/мм2.
Таким образом, использование предлагаемого способа для дополнительной обработки кристаллов хлорида свинца
УФ-излучением по сравнению со способом прототипа позволяет увеличить пропускание этих кристаллов в УФ-области спектра (180-300) нм на 10-15%. Это в свою очередь может повысить чувствительность и точность контроля и исследований этих кристаллов в УФ-части спектра, а также увеличить механическую устойчивость образцов к внешним воздействиям, за счет. того, что появилась возможность увеличивать толщину образцов по направлению распространения светового потока на 10- 15%.
Экономический эффект от внедрения данного изобретения можно оценить исходя из того, что за счет увеличения толщины образцов на 10-15%, потери образцов при их изготовлении и использовании уменьшаются на 20%.
Формул а изо бретени я
Способ повышения оптического пропускания кристаллов хлорида свинца, включающий их механическую обработку по направлению распространения светового потока до заданной толщины, отличающ и и с я тем, что, с целью увеличения пропускания кристаллов в УФ-области спектра, их облучают световым потоком УФ-части спектра до флюенса (3,8 ±0,7) 105 Эрг/мм2.
0
2№
№
fl , М
600
$0
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов | 1990 |
|
SU1730223A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО СВЕТОФИЛЬТРА | 2006 |
|
RU2315231C1 |
СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СВЕТОФИЛЬТРОВ ЗАЩИТНО-ПРОФИЛАКТИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2011 |
|
RU2466173C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО СВЕТОФИЛЬТРА | 2004 |
|
RU2269802C1 |
Оптический композиционный материал и способ его обработки | 2014 |
|
RU2627371C2 |
Органо-неорганическая композиция | 2020 |
|
RU2729264C1 |
АЛМАЗНЫЙ МАТЕРИАЛ | 2010 |
|
RU2537857C2 |
КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ КОСМИЧЕСКОГО БАЗИРОВАНИЯ | 2014 |
|
RU2584184C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНО-АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В α-AlO | 2018 |
|
RU2692128C1 |
НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2007 |
|
RU2359299C1 |
Использование: в области исследования точечных дефектов в кристалле хлорида свинца. Способ включает механическую обработку кристалла по направлению распространения светового потока до заданной толщины и облучение их световым потоком УФ-части спектра до флюенса (3,8 ±0,7) 105 Эрг/мм2. Пропускание в области УФ спектра (180-300) нм увеличено на 10-15%. Уменьшены потери области при их изготовлении за счет увеличения толщины образцов на 10-15%. 2 ил.
М.Борн, Э.Вольф | |||
Основы оптики, издво Наука, М, 1973, с | |||
Способ получения морфия из опия | 1922 |
|
SU127A1 |
П.ДЛпексеев | |||
Электронные и ИК-спект- ры монокристаллов NaCi-OH до и после гамма- облучения, ж | |||
Оптика и спектроскопия, 1986, т, 60, вып | |||
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Авторы
Даты
1993-05-23—Публикация
1991-03-29—Подача