Способ электронографического исследования кинетики фазовых переходов в тонких пленках Советский патент 1993 года по МПК G01N23/20 

Настоящее изобретения относится крб- лэсти получения количественных данных по кинетике фазовых превращений в тонких пленках и может найти широко применение в электронографии.

Цель изобретения - упрощение способа,

На фиг. 1 изображена принципиальная схема устройства, используемого в данном способе0 на фиг. 2 представлена кривая зависимости интенсивности линии (100) убывающей фазы Ад2Те от температуры, полученная предлагаемым способом.

На приведенной схеме (см. фиг. 1) приняты следующие обозначения: 1 - электронный луч, 2 - исследуемый объект, 3 - неподвижная щель датчика, 4 - фотоэлектронный умножитель, 5 - система регистрации.

Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.

Вначале получаем дифракционную картину от исследуемого объекта на экране электронографа марки ЭМР-102. Наиболее информативная дифракционная линия исследуемого объекта подводится к неподвижной щели датчика с фотоэлектронным множителем и фиксируется на ней. При этом размер щели датчика устанавливается больше ширины дифракционной линии с учетом смещения линии в процессе нагрева исследуемого объекта, исключая попадание других линий спектра в данную щель. После установления необходимой для фазового перехода в исследуемом объекте температуры запускается регистрирующая стойка электронографа и производится запись кривой зависимости интенсивности линии от температуры, т. е. основной экспериментальный материал, с помощью которой строятся кинетические кривые фазовых превращений.

Тем самым отпадает необходимость получения серии кинематических элекгро- нограмм с фоторегистрацией и их последующего микрофотометрирования.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с известным способом позволяет более упрощенно не высокой точностью получать кривые изменения интенсивности дифСЛ

00 NJ ND ЧЭ

:(Л Јь

ракционных линий при фазовом переходе в тонких плевах. Тем самым отпадает необходимость получения серии кинематических электронограмм с фоторегистрацией и их последующего микрофотометрирования, Таким образом предлагаемый способ по сравнению с известным способом позволяет более упрощенно и с высокой точностью получать кривые изменения интенсивности дифракционных линий при фазовом переходе в тонких пленках.

формула изобретения Способ электронографического исследования кинетики фазовых переходов в

0

5

тонких пленках, включающий установку контролируемого объекта в электронографе, его нагрев, облучение пучком электронов и регистрацию дифракционного спектра в процессе нагрева, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, выбирают в дифракционном спектре изолированную линию, выделяют посредством приемной щели детектора, размер которой устанавливают большим ширины регистрируемой дифрйк- ционной линии вместе с величиной ее сдвига в процессе нагрева исследуемого объекта, при этом объект в процессе съемки размещают на ленточном нагревателе из тантала.

Сущность изобретения: исследуемый объект нагревают в электронографе и регистрируют одну из линий его дифракционного спектра широко раскрытой щелью. Ширина щели должна превышать ширину линии вместе с ее смещением в процессе нагрева.2 ил.

tar. I

«V. 2