Изобретение относится к магнитометрии и может быть использовано о устройствах контроля и управления.
Целью изобретения является упрощение изготовления и уменьшение затрат на производство устройства за счет исполнения всех элементов в пленарной технологии микроэлектроники.
На чертеже представлено устройство для измерения слабых1 магнитных полей в разрезе.
Устройство содержит подложку 1 с расположенными на ней элементом 2, чувствительным к магнитному полю, четырьмя контактными площадками 3, соединительными проводами 4, конденсатором 5 частотной коррекции операционного усилителя, резисторами б делителя обратной связи и входа, операционным усилителем 7, контактными площадками 8 для присоединения внешних устройств.
Устройство работает следующим образом.
Магнитное поле, направление которого казано стрелкой, создает в чувствительном элементе 2 магнитный поток, который действует на носители электрического тока, протекающего через контакты, подключенные к источнику напряжения через разделительные резисторы. В результате этого на двух других контактах чувствительного эле0
5
0
5
0
мента появляется разность потенциалов, которая пропорциональна величине магнитного поля. Эта разность потенциалов через входное сопротивление подается на дифференциальный вход операционного усилителя. Усиленный сигнал, пропорциональный величине магнитной индукции, снимается с выходной контактной площадки и подается на измерительный прибор либо систему управления.
Формула изобретения Устройство для измерения слабых магнитных полей, содержащее подложку, гибридную интегральную схему, чувствительный к магнитному полю элемент, отл и- чающееся тем, что, с целью упрощения изготовления и уменьшения затрат на производство за счет исполнения всех элементов в пленарной технологии микроэлектроники, чувствительный к магнитному полю элемент выполнен тонкоплеиочным из магнитомягкого материала толщиной 200о
400 А и имеет форму эллипса, у которого соотношение полуосей находится в пределах от 1/10 до 1/100, причем в центральной части эллипса выполнены четыре контактных площадки из неферромагнитного материала для крепления питающих и сигнальных проводов.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ ТРЕХ КОМПОНЕНТ ВЕКТОРА МАГНИТНОЙ ИНДУКЦИИ | 2010 |
|
RU2470410C2 |
| ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ | 1992 |
|
RU2079147C1 |
| Бесконтактный датчик тока | 1990 |
|
SU1824603A1 |
| Магниторезистивный датчик магнитного поля | 2019 |
|
RU2738998C1 |
| НАВИГАЦИОННЫЙ МАГНИТОМЕТР (ВАРИАНТЫ) | 2007 |
|
RU2352954C2 |
| СПОСОБ МАГНИТОИНДУКЦИОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2016 |
|
RU2616071C1 |
| МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ДАТЧИК МИКРОПЕРЕМЕЩЕНИЙ С МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ | 2012 |
|
RU2506546C1 |
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК С ЦИФРОВЫМ ВЫХОДОМ | 2009 |
|
RU2437185C2 |
| НАВИГАЦИОННЫЙ ТРЁХКОМПОНЕНТНЫЙ ФЕРРОЗОНДОВЫЙ МАГНИТОМЕТР | 2020 |
|
RU2730097C1 |
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТОКОМАГНИТНЫЙ ДАТЧИК НА ОСНОВЕ БИПОЛЯРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА | 2008 |
|
RU2387046C1 |
Применение: в устройствах контроля и управления, в магнитометрии, Сущность изобретения: устройство для измерения слабых магнитных полей содержит чувствительный к магнитному полю элемент 2 из тонкопленочного магнитомягкого материала, расположенный на подложке 1, работающий на планарном эффекте Холла и имеющий контактные площадки 3. В качестве такого материала использован пермало лой толщиной 200-400 А. На той же подложке по гибридной технологии выполнена интегральная схема, позволяющая произвести развязку по питанию чувствительного элемента и увеличить его магнитную чувствительность, где 5 - конденсатор частотной коррекции операционного усилителя, 6 - резисторы делителя обратной связи и входа, 7 - операционный усилитель, 8 - контактные площадки внешних устройств. 1 ил. J 3 3 V 2 1 i±t+ СП С 00 со XI го ь (Л Z/Avr. -f-f/f
