Известные матрицы и кубы с цилиндрической магнитной пленкой и осью легкого намагничивания, направленной по окружности нормального сечения цилиндра либо близко к ней, имеют тот недостаток, что при подаче импул са управляющего тока в обмотку числововозбуждения поток магнитной индукции, обусловленный намагниченностью нленки, замыкается по воздуху. Возникающее при этом магнитное поле формы, действующее в заноминающей ячейке, резко снижает истинное поле управления, что требует значительного увеличения амплитуд управляющих токов.
В известных конструкциях матриц, использующих магнитные пленки с осью легкого намагничивания, направленной по образующей цилиндра, магнитный поток при отсутствии токов управления замыкается по воздуху. Обусловленное этим магнитное поле формы снижает надежность хранения информации в матрицах этого типа.
Предлагаемая матрица отличается от известных тем, что каждая ее запоминающая ячейка охвачена дополнительным магнитопроводом из ферромагнитного материала поверх обмоток возбуждения. Этот магнитопровод может быть выполнен из магнитодиэлектрика, оксифера, сверхтонкой магнитной ленты или магнитной пленки.
НОИ намагниченностью тонкой магнитной пленки, в предлагаемой матрице будет замыкаться Б основном но ферромагнитному материалу, в результате чего магнитное поле формы будет существенно снижено или устранено совсем. При этом оно будет мало зависеть от геометрических размеров запоминающей ячейки.
Таким образом, геометрические размеры ячеек могут быть уменьшены до таких величин, которые обеспечивают существующий уровень технологии. Величина истинного поля возбуждения в ячейках предлагаемой матрицы будет близка к величине поля управляющих токов, это даст возможность снизить их амплитуды. Выход магнитного потока из нленкн запоминающей ячейки будет локализован в месте подхода дополнительного магнитопровода к пленке. Благодаря этому запоминающие ячейки могут быть расположены весьма близко одна к другой.
На чертеже показан один из вариантов выполнения предлагаемой матрицы.
Цилиндрическая тонкая магнитная пленка нанесена на провод У малого диаметра, по которому подаются разрядные токи возбуждения.
нен из магнитодиэлектрика и имеет вид длинного полого параллелепипеда со сквозным отверстиями для прохода разрядных проводов.
Таким образом, каждая запоминающая ячейка оказывается охваченной обратным магнитопроводом. Сами параллелепипеды не обязательно должны быть отделены один от другого промежутками, они могут быть расположены вплотпую друг к другу.
Обмотки возбуждения 2 и разрядные провода / присоединяются к контактам, расположенным па контактной рамке 4. Контакты на вертикальных сторонах рамки 4 предназначены для разрядных проводов /, контакты на горизонтальных сторонах рамки 4 - для обмоток числового возбуждения 2. Для придания жесткости матрицу целесообразно залить компаундом.
Работа матрицы в составе запоминающего устройства ничем пе отличается от работы обычной матрицы на цилиндрических тонких магнитных пленках.
Предмет изобретения
Матрица запоминающего устройства на цилиндрических тонких магнитных пленках с обмотками возбуждения, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения величин управляющих токов и повыщения плотности размещения информации, в ней магнитопровод из ферромагнитного материала охватывает запоминающие ячейки матрицы поверх обмоток возбуждения.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЯЧЕЙКА | 1968 |
|
SU219634A1 |
БЛОК ПАМЯТИ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ | 1967 |
|
SU222469A1 |
ЗАМКНУТЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧИЫЙ МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1967 |
|
SU190414A1 |
МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 1973 |
|
SU377878A1 |
ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1968 |
|
SU209074A1 |
УСТРОЙСТВО ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ | 2017 |
|
RU2677564C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2001 |
|
RU2195636C2 |
Преобразователь линейных перемещений | 1987 |
|
SU1499102A1 |
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2532589C2 |
Авторы
Даты
1966-01-01—Публикация