МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Советский патент 1973 года по МПК G11C5/02 G11C11/14 

Изобретение относится к BbiUHCirtHte bHoft технике, а именно к запоминающим устройствам вычислительных машии, и может быть использовано при построении быстродей.ствующих запоминающих устройств цифровых вычислительных ман1И.н. Известна запоминающая матрица, использующая тошчие слои ферромагнитных материалов в качестве носителя информации. Запоминающ.ий элемент известных устройств состоит из двух магнитных пятен, расноложеиных На нротивоноложных поверхностях электропроводящей подложки, и управляюпгих проводников. Поскольку подложка кроме своего основного назначения выполвяет также функцию обратного проводника разрядной полосковой линии выборки, а толщина подложки взята на порядок меньще линейных размеров магнитных нятен, то при записи в элемент информации посредством пропускания то«ов но разрядной и адресной нолосковым линиям выборки элемент устанавливается в состояние, характеризующееся противоположным направлением векторов намагниченности но оси легкого Н1амагничивания (о. л. н.) двух магнитных пятен, составляющих элемент (о. л. н. магнитных пятеп направлена перпендикулярно краю разрядного проводника). При этом поля рассеяния магнитных пятен элемента замыкаtotcsi Друг IM Друга, образуя замкнутую MdrБитную систему. Основным достоинством матрицы с замкнутой магнитной системой элементов в сравнении с матрицами, магни тонровод элементов которых разомкнут, является возможность зиачительного увеличения амплитуды полезного сигнала, плотности хранения информации и уменьшения унравляющих токов. Недостаток известной матрицы заключается в трудности совмещения магнитных пятен, расположенных на противоположных поверхностях подложки. Эта трудность обусловлена малыми размерами магнитных пятев при больших размерах самой матрицы и, следовательно, больщим количеством магнитных пятен, подлежащих совмещению, а также невозможностью непосредственного контроля качества совмещения, носкольку совмещаемые пятна разделены непрозрачной подложкой. Поскольку качество совмещения существенно отражается на эффективности замыкания нолей рассеяния элементов матрицы и их работоспособности, то вышеперечисленные обстоятельства в значительной степени усложняют процесс изготовления матриц, уменьшают выход годных матриц и увеличивают их стоимость. Цель изобретения - упрощение процесса изготовления матриц. Это достигается тем, что магнитные пленки, замыкающие магнитный поток элементов, выполнены в виде сплошного магнитного слоя. Предлагаемая конструкция матрицы запоминающего устройства представлена еа чертеже. Принятые обозначения: / - электропроводящая подложка; 2 и 3 - металлические (диэлектрические) подслои, используемые для сглаживания неровностей поверхностей подложки; 4 - дискретные магнитные пленки; 5 - сплощная магнитная пленка; б и 7 - соответственно разрядные и адресные полосковые линии выборки; 8 и 9 - днэлектричесКИе изоляционные слои. В нредлагаемой матриде элемент с замкнутой магнитной системой образован дискретной магнитной пленкой 4, расположенной на одной поверхности подложки, участком сплошной магнитной пленки 5 на другой поверхности подложки, адресным 6 и разрядным 7 проводн-иками. Форма и размеры участка сплощной магнитной пленки, входящего в состав запоминающего элемента в предлагаемой матрице, определяются конфигурацией поля адресной полосковой линии выборки и поля рассеяния дискретной магнитной пленки. Таким образом, в рассматриваемой матрице операция совмещения сводится к совмещению направлений осей легкого намагничивания дискретных и сплошной магнитных пленок. Матрица работает следующим образом. При записи двоичной информации под воздействием адресного поля, создаваемого током, протекающим по выбранной адресной линии, намагниченности всех дискретных пленок и участка сплошной пленки, расположенных внутри выбранной адресной линии, устанавливаются в одном направлении оси трудного намагничиваНия. Перед отключением адресного тока по разрядным линиям пропускается разрядный ТОК записи, полярностью которого определяется записываемая («О или «1) информация. В мОМент отключения адресного тока намагниченность дискретной пленки, находящейся под пересечением выбранных адресного и разрядного проводников, под воздействием разрядного поля в зависимости от того, записывается в элемент «О или «1) будет вращаться соответственно или по чйсовой, или против часовой стрелки. При этом намагниченность участка сплошной магнитной пленки, находящегося под дискретной пленкой на противоположной повернхости подложки, иод воздействием поля рассеяния дискретной пленки вращается в противоположном направлении, т. е. против часовой стрелки при записи «О и по часовой стрелке нри записи «1. После отключения разрядного тока намагниченности дискретной пленки и участка снлощной пленки Элемента оказываются ориентированными в противоположных направлениях вдоль оси легкого намагничивания, чем оОеснечивается замыкание полей рассеяния элемента при хранении информации.: Считывание сигнала происходит на передаем фронте адресного тока при вращении намагниченностеи дискретной пленки и участка сплошной пленки элемента из остаточного состояния вдоль оси легкого намагничивания к направлению оси трудного намагничивания. Такое вращение сопровождается изменением пОТока, проходящего через плоскость разрядной линии, от его нолпого значения з:Ф до иуля и выделением па разрядной линии полезного сигнала. Сигналы считанных «1 и «О различаются полярностью. .Взаимодействие между элементами матрицы через межэлемен1твые участки сплошной пленки отсутствует, поскольку магнитная система элементов матрицы при хранении информации замкнута и поля рассеяния отсутствуют. предмет изобретения Матрица запоминающего устройства, содержащая запоминающие элементы с замкнутым магнитопроводОМ, образованные магнитными пленками, осажденными на одну поверхность электропроводящей подложки, и магнитными пленками, замыкающими магнитный поток элементов, осажденными на другую поверхность подложки, адресные и разрядные полосковые линии выборки, отличающаяся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления, магнитные пленки, замыкающие магнитный поток элементов, выполнены в виде сплошного магнитного слоя.