ФЕРРЙТОВЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1967 года по МПК G11C11/08 

Известны феррнтовые элементы иамяти с неразрушающнм считыванием информации, содержащие ферромагнитную пластнну с четырьмя отверстиями, при этом через два отверстия опроса проходит обмотка опроса, через два отверстия записи - обмотки записи и выходиая, намотанные встречно.

Предложенный запоминающий элемент отличается тем, что для повышения стабильности выходного сигнала при изменении температуры окружающей среды ширина наружных перемычек в пластине по линии, проходящей через центры отверстий опроса, примерно в два раза меньше ширины неремычки между отверстием записн и отверстием опроса.

На фнг. 1 показан магнитный запоминающий элемеит; на фиг. 2 - зависимости амилитуды выходного сигнала в режиме неразрущающего считываиия от тока опроса: а - зависимость предложенного заноминающего элемента, б - зависимость известных четырехотверстных элементов; на фнг. 3 - расиределение мариитиого потока.

В известных четырехотверстных элементах наличие острого максимума в зависимости амплитуды выходного сигнала при режиме неразрушающего считывания от тока опроса (фиг. 2, б) обусловлено тем, что магнитный поток, создаваемый в магинтопроводе, охватывающем отверстие опроса 1 от действия тока опроса ограничивается только перемычкой 2 между этими отверстиями. При увеличении тока опроса наблюдается все увеличивающееся необратимое переключение остаточного

магнитного потока в магнитоироводах записи, охватывающих отверстия записи 5. Выходной сигнал в режиме многократного (неразрушающего) считывания, обусловленный обратимыми измеиеииями магинтного нотока вокруг отверстий записи, имеет максимум в том случае, когда ток оироса достигает такой величины, что поток записи разрушается наполовину и ноток распределяется после взанмодейстБня тока онроса нрн первом счнтывании

с остаточным магиитным потоком записи как показано на фиг. 3. При этом неремычки 4 между отверстием опроса и отверстием записи намагничены до насыщения и магннтные потоки делятся иоиолам, охватывая отверстия

попарно. При увеличении тока онроса магнитный ноток, охватывающий отверстня онроса увеличивается, вследствие чего в режилш неразрушающего считывания обратимое измеиение потока, сцепленного с выходной обмоткой, уй1еиьшается, что приводит к уменьшению сигнала иа выходной обмотке.

да, идущей значительно (на фиг. 2 обратный ход показан нунктиром).

При изменении температуры изменяется коэрцитивная сила материала, что приводит к смещению максимума выходного сигнала в сторону увеличения или уменьшения тока опроса. При выбранном токе опроса изменение температуры приводит к изменению выходного сигнала в щироких пределах, так как в этом случае изменение температуры уподобляется соответствующему изменению тока опроса относительно коэрцитивного тока.

Этот недостаток можно устранить, ограничив распространение магнитного потока, создаваемого током опроса, до половины перемычки 4 между отверстием записи и отверстием опроса. Это легко выполняется, если наружную перемычку 5 сделать в два раза меньше, чем перемычку 4 между отверстием опроса и отверстием записи.

При этом характеристика считывания не имеет максимум, так как распространение магнитного потока, вызванного током опроса, доходит только до середины перемычки 4.

В элементе величина тока опроса больше /01Ш (см. фиг. 2) не ухудшает характеристику считывания и, следовательно, нри колебаниях тока опроса, а также при изменении темнературы стабильность выходного сигнала будет значительно выше.

Предмет изобретения

Ферритовый запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации, содержащий ферромагнитную пластину с четырьмя отверстиями, нрн этом через два отверстия опроса проходит обмотка опроса, через два отверстия записи-обмотки записи и выходная, намотанные встречно, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности выходного сигнала при изменении температуры окружающей среды, щирипа наружных перемычек в пластине по линии, проходящей через центры отверстий опроса, примерно в два раза меньше ширины перемычки между отверстием записи и отверстием опроса.

нВ

ICi бит W

35

30 25

20 5

10 5I Ion нIon

0, 0,8 0,87о Т

Фиг 2