Известны способы измерения теплового сопротивления р-п-перехода иолупрозодниковы.х приборов при помонди разогрева их импульсами прямого тока нагрева с последуюпшм измерением порогового напря/кения, являюи1,егося температуро-зависимым параметром, путем пропускания прямого измерительного тока.
Этим методам свойственна погрешность измерения, обусловленная конечным временем рассасывания заряда неравновесных носителей, накопленного в базе за время протекания тока нагрева. Во время рассасывания пороговое напряжение не достигает мнни.мума, соответствующего максимальной температуре нагрева. Задержка измерения этого минимума вносит в результат измерения погрешность вследствие остывания кристалла после снятия греющего импульса.
В способе, осуществленном согласно изобретению, указанный недостаток устранен тем, что задний фронт тока нагрева растягивают на время, равное 70-80о/о времени рассасывання.
Во время затягивания заднего фронта время рассасывания не увеличивается, а температура р-я-перехода снижается медленнее, что уменьшает вышеуказанную погрешность измерения.
С другой стороны, рассасывання у.меньи:ается с увеличением измерительиого тока. Однако, чтобы измерительный ток не вызывал дополнительного, неучитываемого нагрева криста.:тла, его подают в виде короткого, порядка времени жизни неосновных носителей заряда, импульса, мощность потерь которого не превышает 3% средней мощности режима разогрева.
Предмет изобретения
1.Способ измерения теплового еонрот вления /;-«-переходов полупроводниковых приборов при помонц разогрева их импульсами прямого тока нагрева с последующим измерением порогового напряжения, являющегося темиературо-зависимым параметром, путем нропуекання прямого измерительного тока, отличающийся тем, что, с нелью уменьшения ногрешности нзмерення, обусловленной конечным временем рассасывання заряда неравновесн-ы.х носителей, задний фронт тока нагрева растягивают па время, равное 70-80i/o времени рассасывания,
2.Способ по li. 1, отличаю11{пися тем, что измерительный ток подают в виде короткого, порядка времени жизни неосновных носителей заряда, импульса, мощность потерь которого не превышает Зо/о: средней мощности режима разогрева.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 2005 |
|
RU2330300C2 |
ВСЕСОЮЗНАЯ :л» rvntfjip^'^T^-;''?'- , ".[! !:,-:li.iShtb I'-.ns....^ .- .: ;>&][ ?йь;;ис7?:нд | | 1971 |
|
SU321700A1 |
Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах с @ - @ переходами | 1982 |
|
SU1092436A1 |
Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус светодиода | 2021 |
|
RU2772930C1 |
Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых р-п переходах | 1980 |
|
SU951198A1 |
Способ формирования перепада напряжения | 1990 |
|
SU1783606A1 |
УСТРОЙСТВО для ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО | 1973 |
|
SU391503A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | 2006 |
|
RU2318218C1 |
Способ определения электрофизических параметров полупроводников | 1982 |
|
SU1057887A1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИИ | 2012 |
|
RU2484551C1 |
Даты
1967-01-01—Публикация