УСТРОЙСТВО для ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО Советский патент 1973 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

1

Изобретение относится к электрониой технике и может быть использовано для измерения параметров полупроводниковых приборов как на этапах разработки, так и в процессе производства.

В известном устройстве для измерения теплового сопротивл-ения полупроводниковых диодов, содержащем источники греющего и измерительного тока с параллельным ключом и разделительным диодом между источником греющего тока и измерительной схемой, измерении теплового сопротивления диодов с относительно больн1,им временем жизни неосновных носителей заряда, осОбенно в импульсном режиме, имеет место большая погреш-ность за счет рассасывания заряда, накапливаемого в базе диода при прохождении греюатего тока. В результате момент измерения отстоит от момента окончания греющего тока на время рассасывания накопленного заряда. Заэтовремя темнература р - п -перехода снижается, что приводит к погрешности измерения.

Цель изобретения - повышение точности измерений.

Это достигается те.м, что устройство содержит регулируемый .источник отрицательного смещения, соединенный положительным полюсом через измерительную схему с катодом исследуемого диода, а отри-цателыным полюсом через параллельный ключ - с разделительным диодом.

На чертеже представлена схема предлагаемою устройства.

Устройство состоит нз генератора / греющего тока, разделительного диода 2, измерительной схемы 3, исследуемого диода 4, параллельного ключа 5 и регулируемого источннка 6 отрицательного смещения.

Устройство работает следующим образом.

От источника / греющий ток проходит через разделительный диод 2, измерительную схему 3 и исс.тедуемый диод 4. Момент Окончания греющего тока задается включением параллельного ключа 5, при включении которого щунтируется источник / и прекращается греющий ток через исследуемый диод 4. Одновременно источник 6 отрицательного смещения подключается к исследуемому диоду 4 и разделнтельному диоду 2, включен ным последовательно. При этом через исследуемый днод 4 -проходит импульс обратного тока, который рассасывает накопивщийся в базе исследуемого диода заряд неосновных носителей. Рассасьпзан.не прекращается к момент) восстано1влепия обратного сопротнвле-ння разделительного диода 2; -при этом ,из исследуемого диода 4 извлекается большая часть накопленного заряда за значительно меньший промел уток времени, чем при рассасывании без подачл обратиото натряжения, что дает еозможность проводить измерения с меньшей задержкой относительно момента окончания греющего тока, за счет чего снижается погрешность измерения.

Устройство может быть использовано также для измерения теплового сопротивления других ТИ1ПОВ полупроводникавых приборов, имеющих хотя бы одиН р-я Переход.

Предмет изобретения

Устройство для измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов, содержащее генератор греющего тока, разделительный диод, измерительную схему и параллельный ключ, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, оно содержит регулируемый источник отрицательного смещения, соединенный положительным полюсом через измерительную схему с катодом исследуемого диода, а отрицательным полюсом через параллельный ключ - с разделительным диодом.