Известны устройства для определения импульсного теплового сопротивления р-ге-перехода полупроводниковых приборов по разности экстремального значения темиературозависимого параметра, измеренного в момент снятия греющего импульса и через промежуток времени, больший времени охлаждения кристалла, ио меньший времени охлаждения корпуса прибора, содержаш,ие импульсный генератор тока нагрева, генератор измерительного тока, усилитель тем иературозависимого параметра и выходной показывающий прибор.
Эти устройства не обеспечивают достаточной точности определения вследствие недостаточного быстродействия и наличия дрейфа между двумя измерениями, свойственного усилителя постоянного напряжения.
В предлагаемом устройстве к выходу усилителя неременной составляющей температурозависимого параметра подключены две ииковые ячейки с разными постоянными времени заряда, включенные встречно на выходной прибор.
Для испытания полупроводниковых приборов с малой тепловой инерцией обе пиковые ячейки выбраны с одинаковым временем заряда, а между усилителем и одной ииковой ячейкой включен расширитель импульсов, обеспечивающий длительность действия экстремального значения темиературозависимого параметра, превышающую время заряда.
На фиг. 1 изображена приниипиальная схема описываемого устройства; на фиг. 2- то же, с расширителем импульсов.
Устройство содержит испытуемый диод /. к которому через выпрямитель 2 подводится ток нагрева от импульсного генератора ., а через выпрямитель 4 - измерительный ток от генератора 5.
После пропускания греющего импульса через диод / температурозависимый параметр, ианример пороговое напряжение на диоде /, меняется.
Его переменная составляющая, пройдя через конденсатор 6, усиливается усплителем 7 переменного тока, к вы.ходу которого подключены пиковая ячейка 8 с минимально возможным временем заряда и никовая ячейка 9 с временем заряда, большим времени остывания кристалла, но меньшим времени остывання корпуса диода /. Обе ячейки при помощи диодов Го и // включены встречно па выходной ирибор 12, показываюаии разность значений порогового напряжения в указанные моменты времени, характеризующую тепловое сопротивление р-я-нерехода. ковые ячейки 6 и 9 (фиг. 2) выбираются с одинаковым времеием заряда, а усилителем 7 и одной ячейкой 8 включается расширитель 13, например диодный, импульсов порогового напряжения, обеспечивающий длительность действия экстремального значения этого напряжения, превышающую время заряда ячейки 9. Устройство работает при комнатной температуре и не нуждается в термостатирующих приспособлениях. Предмет изобретения Устройство для оиределения импульсного теилового соиротивления р-я-перехода полупроводниковых приборов по разности экстремального значения температурозависимого параметра, измеренного в момент снятия греющего импульса и через промежуток вре510 15 20 мен), больший времени охлаждения кристалла, но меньший времени охлаждения кориуса прибора, содержащее импульсный генератор тока нагрева, генератор измерительного тока, усилитель перемеиной составляющей темиературозависимого параметра и выходной иоказывающнй прибор, от.шчающееся тем, что, с целью повышения точности определения, к выходу усилителя иодключены две пиковые ячейки с разными постоянньпми времени заряда, включенные встречно на выходной ирибор. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью испытания полупроводниковых приборов с малой тепловой инерцией, обе ииковые ячейки выбраны с одннаковым временем заряда, а между усилителем и одной пиковой ячейкой включе1 расширитель импульсов, обеспечивающий длительность действия экстремального значения температурозависимого параметра, превышающую время заряда ячейки.
