ДИНАМИЧЕСКИЙ ИНВЕРТОР Советский патент 1969 года по МПК H03K19/84 

Известен динамическ 1Й инвертор с двумя элементами памяти, так называемый инвертор на туннельном диоде и диоде с на.коилеиием заряда, в котором первым элементом памяти является диод с накоплением заряда, а вторым - туннельный диод.

Предложенный динамический инвертор отличается тем, что выход диодной схемы «ИЛИ через запоминающий конденсатор соединен с эмиттером инвертирующего транзистора, включениого по схеме с общей .базой, параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен диод, а коллектор транзистора соединен с анодом запом.инающего туннельного диода.

Это позволяет упростить схему и создать режим источника тока для питающих ,имиульсов.

Иа фиг. 1 приведена схема предложенного Динамического инвертора; на фнг. 2 - временная диаграмма главных питающих импульсов (Г HI ,и Г И-2).

Динамический инвертор состоит из входной Диодной схемы «ИЛИ на диодах 1 и резисторе 2, с импульсным питанием главными имПульсами ГИ и ГИ2, подаинымн иа вход 3. Выход диодной схемы «ИЛИ, т. е. катоды диодо,в / через запоминающий конденсатор 4 соединены с эмиттером инвертирующего транзистора 5, включенного по cxeNie с общей 6a3oii, Параллельно эмиттерно-базовому переходу которого выключен диод 6. Цепочка ич диода 7 и

резистора 8, включенная между эмиттером транзистора 5 и входом 3 главных импульсов /7-/1 (ГЯо), служ1гг для иодачи тока запирания транзистора 5. Потенциал левой и правой обкладок конденсатора ф.иксируется соответственно диодами . и 6. Коллектор инвертирующего транзистора 5 соединен с катодом туннельного диода JO и через цепочку из резистора 11 и диода 12 - со входом 3 главных импульсов FMi (ГИ-2).

Питающие импульсы ГИ и ГИ-i находятся в протнвофазе и делят временной интервал Т на две равные части. Импульсы ГИ и Г//2 несимметричны относительно уровня нуля.

Ток смещения, протекающий через туннельный диод 10, создается источником отрицательного смещення Е п поступает через резнстор 13. Величииа тока смещения выбрана минимальной, достаточной для обеспечения двух устойчивых состояний.

Цеиочка из диода 12 и резистора 11 служит для подачи тока установки туннельного диода 10 и устойчивое состоян.ие с высоким потенциалом на диффузионной ветви.

Если на всех задействованных входах инвертора установлены входные сигналы, соот ветствующие высокому уровню туннельного диода/(у, то отрицательный импульс геиератора импульсов Г//, заряжает конденсатор 4 по цепочке: резистор 2 is диод 6. Заряд конденсатора заканчивается к концу полуперлода отрицательного цмпульса, а уровень напряжения ца конденсаторе фиксируется BbicoKi-iNr уровнем туннельного диода 10 на входе.

Одновременно с этим отрицательиый миульс FHi тонком через цепочку: резистор //и диод 12 переключает туннельный диод 10 в состояние с высокиам иотенциалом. Этот ток, складываясь с тОКом смещения, иротекающего через резистор 13, превышает значение пикового тока туннельного диода 10.

Приходящий вслед за этим положительный импульс генератора импульсов FHi создает ток разряда ,кондеисатора 4, превышающий ток заряда, поскольку амплитуда положительной полуволны превыщает амнл итуду отрицательно ii.

Ток разряда протекает по 1епочке, состоящеГ| из диода 12 и входного сопротивления эмиттер - база открытого тряизистора 5. Почти без ослабления этот ток иередается в цепь коллектора транзистора и обеспечивает переключение туннельного диода 10 в состояние с низким потенциалом на выходе.

Процесс разряда конденсатора 4 заканчивается, как только открывается диод 9 фиксации.

Если с прнходом отрицательной части )1мпульса генератора главных и;мпульсов ГИ хотя бы па одном из входов инвертора будет низкий потенциал туниельного диода, т. е. близкий к иулю, то заряда .конденсато-ра 4 практически происходить ие будет, а весь ток будет протекать через входной диод и через управляющий туннельный диод.

Пр.иходящпй вслед за эти,.м положительный имнульс генератора имиульсов не вызовет разрядный ток конденсатора 4, поскольку сразу открывается диод 9 фиксации, и туннельный диод 10 инвертора останется в состоянии высоKOiO потенциала.

Предлагаемая .схема динамического инвертора с двумя элементами палгяти обладает следующими дополнительными преимуществами. Передача перепада туннельного диода 10 иредыдущего Каскада на левую обкладку конденсатора происходит практически без потерь, и, как следствие этого, схема менее критична к разбросу пара.метров. В отличие от схемы с диодом с накоплением заряда отсутствует параз)ггное накоиление, которое имеет .место в диоде с накоплением заряда. В предлагаемом инверторе наблюдается пониженная мощность рассеивания и повышенная нагрузочная способность, поскольку от источника с.мещення

потребляется через резистор 13 небольшой ток.

Предложенный динамический инвертор с двумя элементами памяти может быть использован для создания любой радиоанпаратуры

на дискретных двоичных элемеитах, а также в качестве типовых элементов быстродействующих Ц11фровых вычислительных .ман1ин.

Предмет и з о б р е г е н н я

Динамический .инвертор с двумя элементами иамяти, содержащий из. входе диодную схему «ПЛИ с импульсным питанием, ннвертирующий транзистор, диоды, резисторы и запоминающие туииельный диод и .кондеисатор, отличающийся те.м, что, с целью уирощения схемы и создания рсжи1ма источника тока для питающих импульсов, выход диодной схемы

«ПЛИ через запомииающий конденсатор соединен с эмиттером инвертирующего транзистора, включенного по схеме с общей базой, -параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен диод, а коллектор транзистора

сс1ед1и-1ен с анодом запоминающего туниельного диода.

Q

- .

/X

9

1

. 2