ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1969 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известен запоминающий элемент со считывание.м информации без разрушения, содержащий две идентичные магнитные пленки, пленку считывания л лленку хранения информации, нанесенные на диэлектрические или металлические подложки, с шинами считьгвания, записи и сигнала, разм ещенными между пленка-ми и отделенными от пленок одинаковыми диэлектрическими слоями. Иринципиальной особенностью данного элемента является использование магнитных полей, создавае1Л ых вяхревыми токами в металлической подложке, что делает весьма жесткими требования, предъявляемые к амплитудам и длительностям токов управления магнитным состоянием элемента. Иредлагаемый запоминающий элемент отличается тем, что он содержит дополнительный диэлектрический слой, отделяющпй считывания от пленки хранения информации. При согласовании щины считывания с помощью резистора на дальнем от генератора конце щи|Ны 1МОЖНО перераспределить ТОКИ возврата, п-ротекающие з проводящих подложках таким образом, что aгнитнoeпoлe в пленке считывания становится больше магнитного поля в пленке хранения информации. Соответствующим выбором толщин диэлектрических слоев можно ъ достаточно щероких

пределах изменять величины магнитных полей и иолучать такое распределение .полей, при котором в молггнт подачи имиульса счнтывания вектор намагниченности iB .пленке считывания полностью иоворачивается в направление оси трудного намагничивания, в то время как вектор намагниченности иленки хранения информации продолжает сохранять 1И1формацию, записаиную в данном элементе.

На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого запоминающего элемента; на фиг. 2 представлены днaгpa t мы распределения токоз в шине считывания и проводящих подложках элемента, а также распределения магнитных полей в пленках считывания и хра.неиия инфор.мации; на фнг. 3 - диаграмма работы заиоминающего элемента в режимах считывания и записи информации.

Запоминающий элемент (фиг. 1) содержит проводящую подложку /, на которую iiaiieceиа нленка 2 считывания, ироводящую иэд.южку 3, на которую нанесена пленка 4 хранения информации, управляющпе шины сч 1тывания 5 и сигнала-запнси 6, отделенные от подложек с пленками диэлектрическими слоями 7. Между шиной 5 и н лен кой 4 введен дополнительный диэлектрический слой 5, который отделяет также шину 5 от ш.ииы 6. Последние согласованы на дальних от генераторов тока концах с помощью резисторов, сопротивления

которых равлы волновым сопротивлениям полосковых линий, образуемых шина.ми.

Если рассто-якие между магнитными слоями невелико по сравнению с линейны.мн размерами магнлт} ых нленок, то между плейками существует магнитная связь, стремящаяся удержать :вектора намагннч&нности обеих ллено;к в противофазном состоянии.

Толщина диэлектрического слоя rfi, отделяющего шину считььвания 5 от иодложкн / с пленкой считывания 2, существен.но меньше суммарной толщины d-2 диэлектрических слоев, отделяющих эту же шину ОТ подложки 3 с пленкой 4.

В момент подачи в шину 5 имлульса тока считывания /о (фиг. 2, я) в обеих подложках / и 3 возникнут противоположно направленные ТОки возврата /i и Л, расположенные «зеркально относнтельно ШИны 5. Так как шина J гальванически связана подложками / н 3 с ломощью согласующего резистора, то возникшие в указанных лодложках вихревые токи не будут растекаться по «им, затухая со временем, а образуют замкнутый контур с шиной 5. Ток /1 будет больше тока h и будет увеличиваться с уменьшением велечтшы di. В пределе .при cfi-О ТОК 1 будет равен /о. С уменьшением c/i составляющая П магнитного поля в точке Л, равная гео метрической сумме составляющих li от всех трех толков /о, /1 и /2, будет увеличиваться, а составляющая Н в точке Б будет уменьшаться. Таким образом, изменением положения шины 5 считывания в зазоре между подложками 1 3 можно эффекти1вно менять соотношение полей в местах расположения пленки считывания (точка А и пленки хранения информаи,ии (точка Б.

Работает .запоминающий элемент следуюЩ1 м образом (фиг. 3).

В исходном состоянии («О или «1) вектора намагниченности пленоа 2 и 4 параллельны и направлены встречно. Им-пульс считывания, поданный в шину 5, создает поле Ячс в пленке 2 считывания и меньшее по величине

поле Ясч в плеНКе 4. В результате вектор налгагниченности пленки 2 отклоняется на угол YI, а вектор намагничениостн пленки 4 - на угол Yi, причем yi Y-- После снятия .импульса считывания магнитное ноле пленки 4 возвращает вектор на1ма1гниченности пленки 2 в исходное состояние, чем и достигается неразр уш е нле и нф Oip-.i а ш i л. Запись новой информадин осуществляется

иодачей импульса записи в шину 6 записи в момент прекр ащения действия импульса считывания. При этом возможны два варианта записи. При испояьзованни первого ва1рианта шина 6 записи, смещается ближе к пленке

хранеиия информации. Тогда при подаче импульса записи в Месте расположения плено к 2 ъ 4 возникнут неравные по величине магн.итные поля. Так как вектор .намагничегнности в пленке 2 выведен импульсом считыва.ни.я в

направление, близкое к направлению оси трудного намагничивания, то для переключения этой пленки необходи1мо незначительное

по величине по-ле Язап . В то же время для надежного .переключения пленки 4, вектор намагниченности которой отклонился на угол уа 90°, необходимо большее по величине поле записи Язап - Величины полей Язап и

L/4

.пзап олределяются током, оодаваемым в шину 6 записи, н геометрическим расположением Ш.ИНЫ 6 в .зазоре между проводящими подложками / и 3.

При использовании второго варианта шина записи располагается симметрично в зазоре

между подложками. Величина тока считывания в момент записи выбирается такой, чтобы вектора намагниченности обеих пленок повернулись в направлении трудного намагничивания. Тогда небольшое по величине поле

записи Язап , поданное в направлении оси легкого намагничивания, уверенно переключит элемент в мо-мент снятия поля считывания.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент, содержащий две одинаковые магнитные пленки - пленку хранения информац.ии и пленку считывания, нанесенные на метадлические подложки, с шина.ми считывания и шинами сигнала и записи,

отделенными соответственно от пленок считывания и хранения одинаковыми диэлектрическими слоями, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы элемента, он со.держит дополнительный диэлектрический

слой, отделяющий шину считывания от пленки хранения информации.

СЭт

7

// У//////7 / /j /.

cz:)

2

О,) cZ) (2)

.о

v

If

хрс д,а)

«г,а.; /6/2,; .

г

...Х

CZ)

.