Электрофотографический материал и способ его получения Советский патент 1980 года по МПК G03G5/04 G03G5/08 

правленном от поверхности нанесенного селенового слоя к подложке. Эту обработку ведут в атмосфере воздуха, вначале в процессе повышения давления воздуха от 10- мм рт. ст. до атмосферного, а затем при постоянном атмо-сферном давлении, прячем перед быстрьгм охлаждением подложку ХраткоБременно вагревают на 5-10° С. При таком методе постепенного «аяуска воздуха легирование электрофотографического матернала кислородом в вакуумной камере происходит из среды, практически не содержащей селеновой пыли, и получаемая зеркальная поверхность селенового слоя содержит незначительное количество вкраплений.

iB результате такой обработки происходит легирование приповерхностного слоя стеклообразного селена кислородом и интенсифицируется зонная очистка слоев модифицированного и стеклообразного селена от собственных примесей.

Последнее приводит к дополнительной очистке слоя стеклообразного селена от примесей и к накоплению примесей в той части слоя стеклообразного селена, которая непосредственно прилегает к слою модифицированного селена. В результате взаимодействия селенидов с цепочками селена образуются донорные центры, увеличивающие чувствительность материала в красной части спектра (0,,8 мкм).

На фиг. 1 схематически изображен предлагаемыйэлектрофотографический

материал; на фиг. 2 - график зависимости температуры металлической, оксидированной подложки электрофотографического материала в процессе дополнительной обработки селенового слоя.

Величина температуры селенового слоя может быть принята равной температуре подложки, поскольку разность их температур в 1°С подложки выравнивается за 1/3 с-.

Электрофотографический слой (фиг. 1) выполнен иа металлической, например дюралюминиевой, подложке ,/, покрытой слоем оксида 2, к которому присоединен нанесенный селеновый слой 3.

Последний включает модифицированный слой 4 селена толщиной около 5 мкм и покрытие 5 из стеклообразного селена

толщиной около :80 Л1КМ.

Покрытие из стеклообразного селена дополнительно -содержит приповерхностный слой 6, легированный кислородом, и граничпый слой 7 стеклообразного селена, обогащенный примесями. Толщина триповерхностного слоя 6 0,5-5 мкм,, содержание кислорода в слое 6 около 2 10 вес. %. Толщина части слоя 7 стеклообразного селена около 0,5-5 мкм, содержание примесей в этой частислояоколо 5 10- вес. %.Содержание примесей в остальной части 8 слоя стеклообразного селена яе превьгщает .10-4 Чл

Предлагаемый материал, включающий высокочувствительные слои 6 н 7, разделенные слоем 8 стеклообразного селена, практически свободного от глубоких ловушек носителей заряда, обладает более высокой фоточувствительностью и износоустойчивостью по сравнению с известным материалом. При этом слой 6 определяет повышенную фоточувствительность материала в спектральной области света 0,4- 0,5 мкм, тогда как слой 7 определяет пов-ышенпую фоточувствительность в красной и ближней инфракрасной спектральной области света (0,65-0,8 мкм).

Легирование приповерхностного слоя 6 стеклообразного селеиа кислородом звеличивает износостойкость материала приблизительно на 30%.

Па графике (фиг. 2) показан температурно-,временной режим нанесения селена в вакуумной камере термообработки в вакууме и дополнительной обработки нанесе;шого селенового слоя. Участок 9 кривой соответствует начальному периоду нанесения селена на подложку в вакууме, участок ,10 кривой - периоду повышения температуры подложки от 70 до 85° С, участок // - термообработке селенового слоя в вакууме, точка Л участка 12 - прекращенпю процесса нанесения селена на подложку, началу повышения давления воздуха и началу резкого роста теплового потока через нанесенный селеновый слой, точка Б участка 1/2 - достижению атмосферного давления воздуха. Участки ,/2-J5 соответствуют процессам интенсивного легирования приповерхностного слоя селена кислородом, интенсивной зонной очистке слоя и обогащению примесями части слоя стеклообразного селена, непосредственно прилегающей к слою модифицированного селена. Участек 15 соответствует резкому охлаждению до темнературы ниже 40° С.

Предлагаемыйэлек трофотографический материал и способ его изготовления по сравиению с известными электрофотографическим материалом и способом его 1;згртовления обеспечивает увеличение фоточувствительпости, оцененной по усредненному эффективному квантовому выхэду фоторазряда в спектральной области света 0,4-0,5 мкм от до 0,6 и увеличение фоточувствительности в красной и ближней инфракрасной области 0,65- 0,8 мкм от 0,3 до 0,12, а также повыщени тирал естойкости вследствие повышеиия износоустойчивости селенового слоя от 25000 до 32000 копий.

Ф о р М у л а .изобретения

1. Электрофотографический материал, содержащий металлическую оксидированную подложку с последовательно нанесенными на нее слоем модисЬипиоованного селена и покрытием из стеклообразного селена, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности н износоустойчивости, нокрытие из стеклообразного селена содержит приповерхностный слой, легированный кислородом, и граничный слой, легированный примесями тяжелых элементов, контактирующий со слоем модифицированного селена. 2.Материал по п. а, отличающийся тем, что содержание кислорода в приповерхностном и примесей в граничном слоях покрытия составляет соответственно б Ю-2 и lO-2-HlO- вес. %. 3.Материал по п. 1, отличающийся тем, что толщины приповерхностного и граничного слоев покрытия из стеклообразного селена составляют 0,5-6 мкм. 4.Способ получения электрофотографического материала по пп. 1-4, включающий нанесение селена на подогретую под-ложку в вакуумной камере, термическую обработку в вакууме нанесенного слоя при 80-90С и охлаждение его со скоростью не менее 10 град/мин до температуры не выще 40°С, отличающийся тем, что после термообработки в вакууме повышают давление воздуха в камере до атмосферного н выдерживают слой при 80-90° С в течение .5-10 лин с последующим кратковременным подогревом слоя на 5-10° С в течение 3-7 мин, причем охлаждение проводят при атмосферном давлеиии. 5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что повыщение давления воздуха до атмосферного осуществляют в течение 2- 3 мин. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1.Тазенков Б. А. и др. Процессы и аппараты электрофотографии, Мащиностроение, Ii97i2, с. i87. 2.Там же, стр. 1Ю7.

г

Гс

100 9Q-8070

60 50-г

го

О 70

74 Г 2 73 В

/ .

t(fitJH)

50

30