СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК Советский патент 1969 года по МПК H01L41/187 

Известны сегнетоэлектрики на основе двухкомлонентной (Ниобаиной системы, например, ниобата бария-свинца.

Цель изобретения - повысить величину пьезоэлектрического модуля в сильных электрических полях.

Достигается это тем, что в состав предложенного сегнетоэлектрика введен хромат бария-свинца. Сегнетоэлектрик содержит в мол. % окись свинца 23,5-30, карбонат бария 14,5-21, иятиокись ниобия 55,5-53 и окись хрома 0,3-1,7.

Шихту перемешивают, прессуют из нее таблетки, которые в течение 30 мин обжигают при 1000-1050°С. Спеченные таблетки размельчают и ирессуют из полученного порошка полуфабрикаты требуемой формы. Полуфабрикаты обжигают при температуре 1250- 1280°С в течение 30 мин.

Полученные предложенным способом сегнетоэлектрики имеют повышенную величину пьезомодуля в сильных электрических полях.

Предмет изобретения

Сегнетоэлектрик на осиове двухкомпонентной ниобатной системы, например, ниобата бария-свинца, отличающийся тем, что, с целью повышения значения пьезоэлектрического модуля в сильных электрических полях, в состав упомянутого материала введен третий компонент в виде хромата бария-свинца.