СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Советский патент 1970 года по МПК C03C3/74 

Изобретение может быть использовано для защиты активной части полупроводниковых приборов, например кремниевых планарных транзисторов, от внешних воздействий.

Известно стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, SiOo, В2Оз, СиО, TiOa, AUOg.

Цель изобретения - повысить химическую устойчивость во влажной атмосфере при повышенных температурах.

Это достигается тем, что оно содержит указанные компоненты в следующих соотношениях (в вес. %): РЬО 65-72; SiOg 14-15; 5-6; СиО 1-13; TiOa до 0,5; АЬОз до 0,3 и, кроме того, ZnO 1-3; CdO 1-4; MnO 1-5.

Порошок стекла с размером зерен порядка 0,2 мк сплавляют в стеклянную пленку толщиной 1,5-3,0 мк при температуре 500-540°С. При этой температуре за время оплавления покрытия алюминий не проплавляет окисный слой кремния.

Стекло, содержащее (в вес. %): РЬО 72; SiOo 15; ВоОз 6; ZnO 2; CuO 3; CdO 2; АЬОз до 0,3; TiO-2 до 0,5; FeaOg до 0,2, имеет температуру оплавления порошка 510-520°С, удельное сопротивление при температуре 200°С 1012 ом-см, что гарантирует надежную работу прибора при повышенных температурах, коэффициент линейного расширения при температурах 20-200°С 74- 10-7 град-г.

Предмет изобретения

Стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, SiOa, ВаОз, СиО,

TiOo, АЬОз, отличающееся тем, что, с целью повышения химической устойчивости, оно содержит указанные компоненты в следующих соотношениях (в вес. %): РЬО 65-72; SiO- 14-15; ВаОз 5--6; СиО 1 - 13; TiOa до 0,5;

АиОз до 0,3 и, кроме того, ZnO 1-3; CdO 1-4; MnO 1-5.