Стекло для защиты полупроводниковых приборов Советский патент 1981 года по МПК C03C3/12 

(54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ , , . I Изобретение относится к составал легкоплавких стекол, используемых в микроэлектронике для стабилизации и защиты полупроводниковых приборов известно стекло, fll содержащее вес.%:.. РЬО74-94 8„О а2-10 ,2-2 и по крайней мере один окисел из гру пы СаО, SrO, ВаО, CdO, WO, Bi Oj5-15 . Это стекло используется для пропитки ЦТС-керамики и.,не предназначе но для защиты полупроводниковых приборов. Наиболее близким к предложенному по технической сущности и дости аемо му результату является состав стекла 1,21 для защиты полупроводниковых приборов, содержащий вес.%: РЬО 65-76, 5 Олв-14, 6-10, TIOj 1-3, CdO 1-4, ZnO 0,2-4. Это стекло характеризуется- повышенной влагостойкостью (гидролитичес кий класс стойкости 1), Необходимой адгезией и согласованностью с козффициентом линейного термического рас ширения полупроводниковых материалов ПРИБОРОВ ((i 82-87-10 ), низкой кристаллизационной способностью. Однако температура оплавления указанного стекла недостаточно низка ; (Т.пл.410±10), удельное сопротивле|ние при 200°С недостаточно высоко i/y.(l-4)-10 тЭМСМ, концентрация заряда в поверхностях состоящих МДП-. транзисто а, при нанесении в качестве стабилизирующего, и изолирующего :слоя данного стёкла высока Njy t8-9,5)10 1/см что не обеспечивает достаточно высокой стабильности параметров прибора. Целью изобретения является снижение температуры плавления стекла, повышение удельного сопротивления и улучшение стабилизирующих свойств. Эта цель достигается тем, что стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, , дополнительно содержит В i о,, при слеД$Ю1дем соотношении компонентов, вес.%: РЬО73,18-87,34 Ba.0s5,74-6,86 Bia.045,1-20,68 Al 0.0,0,2-0,7 Варку стекол осуществляют в плати новых тиглях в электропечах при 9001000°С 3 ч. В качестве исходного сырья используют окислы элементов с маркой ч.д.а. Для получения пленки разработанно НГ го стекла, его перетирают в порршок с размером зерен порядка 0,2 мкм, в .дальнейшем наносят яа поверхность и сп лавляют с выдерживанием при тем пературе оплавления 370-390 С 2030 мин. Конкретные составы стекол и приведены в таблиих свойства це. Кристаллизация стекол данного состава отсутствует при выдерживании их 160 ч при 350-400 С. По своей химической устойчивости в воде стекла относятся к первому гидролитическому классу потери 0,08 вес.% (ГОСТ 10134-62;. Применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позволяет получить покрытия с достаточно низкой температурой оплавления, высоким удельным сопротивлением и стабилизирующими свойствами, что благоприятствует их использованию и технологии герметизации МДП-транзистора и позволяет уменьшить дрейф параметров прибора.

Стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, , 35 о тл ичающееся тем, что, с целью снижения температуры оплавления, повышения удельного сопротивления и улучшения стабилизирующих свойств, оно дополнительно содержит и ДО

BQ.03 5,74-6,86; В , 1-20 , 68 ; А 12.00, 0,2-0,7.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

2.Авторское свидетельство СССР 543625, кл. С 03 С 3/10, 1975.