Изобретение относится к области запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.
Известны способы изготовления матриц запоминающих устройств на тонких магнитных пленках, использующих охват магнитных пленок управляющими шинами и наличие ферромагнитного материала для замыкания магнитного -потока.
К недостаткам известных решений относятся плохой охват управляющими шинами пле«очных элементов и сложность технологического .процесса вследствие необходимости заполнять объемный каркас ферромагнитным материалом.
Предложенный способ .позволяет улучшить качество матриц за счет более полного охвата управляющими шинами пленочных элементов и упрощения технологического процесса изготовления матриц. Это достигается определенной последовательностью изготовления матриц.
На чертеже показана матрица, изготовленная ПО иредлагаемому способу. В пластине 1 из ферромагнитного материала, например окои1фера, любым из известных способов, например фрезерованием, делают пазы 2 требуемой глубины для размещения цилиндрических пленок 3. По рабочей поверхности 4 пластины перпендикулярно к пазам и огибая их, прокладывают управляющие шины 5, которые могут быть изготовлены напылением, электрохимическим осаждением, а также приклейкой фольгированного диэлектрика. Изоляционные
слои 6 могут быть нанесены .поверх шин непосредственно на цилиндрические пленки. В пазы помещают цилиндрические магнитные пленки и пазы закрывают второй пластиной 7. Последние две операции можно выполнять в
обратном порядке.
С целью увеличения плотности размещения элементов и уменьшения числа соединений вторая пластина может быть из проводящего материала, который будет служить для замыкания вихревых -токов. С целью уменьшения токов управления вторая пластина быть из ферромагнитного материала и тогда по ее рабочей поверхности 8 также прокладывают управляющие шины.
20
Предмет изобретения
1. Способ изготовления пленочных магнитных матриц, выполненных в виде цилиндрических магнитных пленок, охваченных шинами управления, и ферромагнитных пластин, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления, уменьшения импеданса упра-вляющих шин и увеличения плотности
ют пазы, ортогона„1ьно к пазам по рабочим поверхностям Платы и пазов прокладывают управляющие шины, в лазы укладывают матнитные пленки и накрывают их дополнительной пластиной из ;проводящего материала, обеспечивающей замыкание вихревых токов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с -целью уменьщения амплитуды токов управления, дополнительную пластину выполняют из ферромагнитного материала и по ее рабочей поверхности прокладывают управляющие шины.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Накопитель информации | 1983 |
|
SU1109801A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2532589C2 |
ДВУХКОМПОНЕНТНЫЙ МАТРИЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТНОГО ПОЛЯ | 2004 |
|
RU2290654C2 |
Запоминающая матрица | 1975 |
|
SU532133A1 |
ЭЛЕКТРОННЫЙ КОМПОНЕНТ И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 2014 |
|
RU2575944C2 |
ПЛЕНОЧНАЯ МАГНИТНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМЫХ УСТРОЙСТВ СВЧ | 2014 |
|
RU2575123C1 |
Накопитель для ассоциативного запоминающего устройства | 1976 |
|
SU600613A1 |
ТРИЦА ПАМЯТИ | 1970 |
|
SU269218A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ С МАГНИТНЫМ ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ (ВАРИАНТЫ) | 2009 |
|
RU2459317C2 |
Даты
1970-01-01—Публикация